「栅」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

漏光修正用像素 24的溢出栅极电极 (OFG)被设计成常开的。

漏れ込み光補正用画素24のオーバーフローゲート（OFG）は常にオン状態となるように設計される。 - 中国語 特許翻訳例文集

各个复位晶体管 113C的栅极电极连接到公共复位线 118C。

各リセットトランジスタ113Cのゲート電極が共通のリセット線118Cに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 10中分别以标记 G、S及 D来说明MOSFET的栅极、源极及漏极。

MOSFETのゲート、ソースおよびドレインは、図10にそれぞれラベルG，SおよびDで示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，绘图数据发生器 32Y生成页 1至页 5的基本颜色 Y的光栅数据 Y。

例えば、描画データ生成部32Yは、Page1〜Page5の各ページの基本色YのラスタデータYを生成する。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二电路块 180_2的输出 (nMOS184与 pMOS185之间的连接点 )连接到 nMOS186和 pMOS187的栅极。

第2回路ブロック180_2の出力（nMOS184とpMOS185の接続点）がnMOS186およびpMOS187のゲートに共通に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，辅助晶体管 105的栅极—漏极间电压成为比“VTT”低的“VTT-Vth”。

例えば、補助トランジスタ105のゲート−ドレイン間電圧は“VTT”よりも低い“VTT−Vth”になる。 - 中国語 特許翻訳例文集

所有复位晶体管 200的栅极在每一像素 210行内连接在一起。

全てのリセットトランジスタ200のゲートは、画素210の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

所有复位晶体管 300的栅极在每一像素 310行内连接在一起。

全てのリセットトランジスタ300のゲートは、画素310の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

所有复位晶体管 100的栅极在每一像素110行内连接在一起。

全てのリセットトランジスタ100のゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

所有复位晶体管 101的栅极在每一像素 110行内连接在一起。

全てのリセットトランジスタ101のゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在绝缘膜 15上方、各个栅极 2上形成岛状的半导体有源层 8。

絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在绝缘膜 15上方的各栅极 2上形成岛形的半导体有源层 8。

絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5是根据本发明示例性实施例的栅极驱动器的框图；

【図5】本発明の一実施形態によるゲート駆動部を概略的に示すブロック図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

显示面板组件 300可包括多个像素、多个栅极线 G1-Gn和多个数据线 D1-Dm。

表示板組立体300は、複数の画素と、ゲート線G1〜Gn及びデータ線D1〜Dmを備える。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 102中，调用用于光栅数据生成处理的子例程。

ステップ102では、ラスターデータ生成処理のサブルーチンが行われる。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 27、28的栅极宽度 W分别都为 4μm。

直列接続される2つのNMOSトランジスタ27，28のゲート幅Wは、それぞれ同じ4μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

所串联连接的 2个NMOS晶体管 33、34的栅极宽度 W都为 3μm。

直列接続される2つのNMOSトランジスタ33，34のゲート幅Wは、それぞれ同じ3μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

所串联连接的 2个 NMOS晶体管 35、36的栅极宽度 W都为 5μm。

直列接続される2つのNMOSトランジスタ35，36のゲート幅Wは、それぞれ同じ5μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 40、41的栅极宽度 W都为 7μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ40，41のゲート幅Wは、それぞれ同じ7μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管30、31的栅极宽度 W分别都为 1μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ30，31のゲート幅Wは、それぞれ同じ1μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 1示出了一种 SLM，其中两个像素列与视差栅格中的一个狭缝相关联。

図1は、2つの画素列が、視差バリアの各スリットと関連付けされているSLMを示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 4是描述通过光栅来部分遮蔽入射光的原理。

【図4】アパーチャによる入射光の部分的遮蔽を示す原理図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5是解释了通过添加光栅来防止串扰的原理。

【図5】アパーチャの追加によるクロストークの防止を説明するための原理図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，停止将选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。

また、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加が停止される。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分输入信号的一个信号 IN1进入 P沟道 MOS晶体管 21的栅极。

PチャネルMOSトランジスタ21のゲートには、差動入力信号の一方の信号IN1が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分输入信号的另一个信号 IN2进入 P沟道 MOS晶体管 22的栅极。

PチャネルMOSトランジスタ22のゲートには、差動入力信号の他方の信号IN2が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

警卫站在面前，铁栅栏的外面聚集了很多拿着旗帜的人。

警備員が手前に立っており、鉄柵の外には大勢の人が旗をもって集まっている。 - 中国語会話例文集

警卫在面前站着，铁栅栏外面有很多人举着旗子聚在一起。

警備員が手前に立っており、鉄柵の外には大勢の人が旗をもって集まっている。 - 中国語会話例文集

在第二遮光像素 920中，为了增大栅极宽度 (沟道宽度 )W3和栅极长度 (沟道长度 )L3，缩小光电转换元件 D1的面积。

第2の遮光画素920においては、ゲート幅（チャネル幅）W3とゲート長（チャネル長）L3を大きくとるために、光電変換素子D1の面積を削減している。 - 中国語 特許翻訳例文集

为了增大栅极宽度 (沟道宽度 )W3，缩小光电转换元件 D1在垂直方向上的面积。 为了增大栅极长度 (沟道长度 )L3，缩小光电转换元件 D1在水平方向上的面积。

ゲート幅（チャネル幅）W3を広くするために、光電変換素子D1の垂直方向の面積を削減し、ゲート長（チャネル長）L3を長くするために、光電変換素子D1の水平方向の面積を削減している。 - 中国語 特許翻訳例文集

在这种情况下，可以仅增大栅极宽度 (沟道宽度 )W3，而将栅极长度 (沟道长度 )L3设置为与感光像素 110的 L1相等。 即使在该配置中，也可以获得一些噪声降低效果。

この時、ゲート幅（チャネル幅）W3だけ広くして、ゲート長（チャネル長）L3を感光画素110のL1と同じにしてもよく、それでもノイズ低減効果はある。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，可以仅增大栅极长度 (沟道长度 )L3，而将栅极宽度 (沟道宽度 )W3设置为与感光像素 110的 W1相等。 即使在该配置中，也可以获得一些噪声降低效果。

また、ゲート長（チャネル長）L3だけ長くして、ゲート幅（チャネル幅）W3を感光画素110のW1と同じにしてもよく、それでもノイズ低減効果はある。 - 中国語 特許翻訳例文集

与第一遮光像素 910相比较，这允许增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，因此可以满足本实施例中的情况 (1)的条件。

これにより、第1の遮光画素910に比べて、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする余裕が生じるので、本実施形態の（1）の条件を満たすことができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

与第一遮光像素 910相比较，这允许增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，因此可以满足本实施例中的“(1)”的条件。

これにより、第1の遮光画素910に比べて、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする余裕が生じるので、本実施形態の（1）の条件を満たすことができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二复位晶体管Tr16被配置为所谓的溢出沟道机构(overflow drain mechanism)，其具有用作溢出栅极的复位栅极以及用作溢出漏极的漏极。

この第2リセットトランジスタTr16は、そのリセットゲートをオーバーフローゲートとし、そのドレインをオーバーフロードレインとした、いわゆるオーバーフロードレイン機構として構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

溢出栅极电极 (OFG)43相当于第二复位栅极电极，而溢出漏极区域 38相当于复位漏极区域。

オーバーフローゲート電極（OFG）43は、第2リセットゲート電極に相当し、オーバーフローどれ印領域38は、リセットドレイン領域に相当する。 - 中国語 特許翻訳例文集

绘图数据发生器 32使用所获取的中间数据按照各相应基本颜色生成包括格式的页面的光栅数据，并将所生成的光栅数据输出至相应的打印引擎42。

各描画データ生成部32は、取得した中間データを用いて、自身の担当の基本色についてフォームを含む各ページのラスタデータを生成し、対応する印刷エンジン42に対して出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一电路块 180_1和第二电路块 180_2交叉耦合，其中第一电路块 180_1的 nMOS182的漏极连接到第二电路块 180_2的 pMOS185的栅极，并且第二电路块 180_2的 nMOS184的漏极连接到第一电路块 180_1的 pMOS183的栅极。

第1回路ブロック180_1のnMOS182のドレインを第2回路ブロック180_2のpMOS185のゲートへ接続し、第2回路ブロック180_2のnMOS184のドレインを第1回路ブロック180_1のpMOS183のゲートへ接続した襷掛け接続構造を採っている。 - 中国語 特許翻訳例文集

显示面板控制信号 CDIS包括用于控制数据驱动电路的操作时序的数据控制信号，和用于控制栅极驱动电路的操作时序的栅极控制信号。

表示パネル制御信号CDISは、データ駆動回路の動作タイミングを制御するためのデータ制御信号と、ゲート駆動回路の動作タイミングを制御するためのゲート制御信号を含む。 - 中国語 特許翻訳例文集

在另一实例中，计算引擎 204可以接收音调间隔和载波栅格，并将载波间隔定义为音调间隔和载波栅格的最小公倍数。

他の例では、計算エンジン204は、トーン間隔およびキャリア・ラスタを受信し、トーン間隔とキャリア・ラスタとの最小公倍数であるキャリア間隔を定義しうる。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOS晶体管 NT311的栅极构成第一信号输入端子，而 NMOS晶体管 NT312的栅极构成第二信号输入端子。

そして、NMOSトランジスタNT311のゲートにより第1の信号入力端子が形成され、NMOSトランジスタNT312のゲートにより第2の信号入力端子が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

也就是说，在连接时段期间，负载晶体管栅极线 612示出与现有技术的负载晶体管栅极线 872的波形相似的波形。

すなわち、負荷トランジスタゲート線612に示される波形は、接続期間において従来負荷トランジスタゲート線872と同様の波形を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在该示例中，示出了在一行读出时段期间垂直信号线 (VSL1)501、第二负载晶体管栅极线622、第二负载晶体管624的源极端子、以及负载晶体管栅极线612的电势中的改变。

この例では、1行読み出し期間における垂直信号線（VSL1）501、第2負荷トランジスタゲート線622、第2負荷トランジスタ624のソース端子および負荷トランジスタゲート線612における電位変動が示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，像素 12b的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PTX(n+1)连接。 像素 12b′的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号PTX(n+3)连接。

また、画素12bの転送スイッチ2のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX（n＋1）に接続され、画素12b’の転送スイッチ2のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX（n＋3）に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号传送单元 13a的复位开关 3的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号PRES(n)连接，并且行选择开关 6的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PSEL(n)连接。

信号転送部13aのリセットスイッチ3のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PRES（n）に接続され、行選択スイッチ6のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PSEL（n）に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号传送单元 13b的复位开关 3的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PRES(n+2)连接，并且行选择开关 6的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PSEL(n+2)连接。

また、信号転送部13bのリセットスイッチ3のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PRES（n＋2）に接続され、行選択スイッチ6のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PSEL（n＋2）に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，像素 12f的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PTX(n+1)连接。 像素 12f′的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号PTX(n+3)连接。

また、画素12fの転送スイッチ2のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX（n＋1）に接続され、画素12f’の転送スイッチ2のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX（n＋3）に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号传送单元 13e的复位开关 3的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号PRES(n)连接，并且行选择开关 6的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PSEL(n)连接。

信号転送部13eのリセットスイッチ3のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PRES（n）に接続され、行選択スイッチ6のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PSEL（n）に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集