「栅」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5是图示根据本发明的第二实施例的负载晶体管栅极线上的耦合影响的示例的概念性图；

【図5】本発明の第2の実施の形態における負荷トランジスタゲート線612に対するカップリングの影響の一例を示す概念図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，复位晶体管 413使其栅极端子连接到像素复位线 321和 322，并且使其漏极端子连接到复位电势线 311和 312。

また、リセットトランジスタ413は、そのゲート端子が画素リセット線321および322に接続され、そのドレイン端子がリセット電位線311および312に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在负载电流提供电路 610中，设置晶体管 611使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到参考电流线 601。

この負荷電流供給回路610において、設定トランジスタ611は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が基準電流線601に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生电容器 619包括在负载晶体管 614的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和参考电流线 601之间形成的布线间电容器。

寄生容量619は、負荷トランジスタ614のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と基準電流線601との間に形成される配線間容量からなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

然而，这样的长期下降有可能被从设置晶体管 611到负载晶体管栅极线 612的沟道漏电流抑制。

しかしながら、このような長期的な電位低下は、設定トランジスタ611から負荷トランジスタゲート線612へのチャンネルリーク電流によって抑制されると考えられる。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，可以不能充分地抑制从垂直信号线 (VSL1)501的信号电平的改变导致的、对与该垂直信号线 (VSL1)501相关联的负载晶体管栅极线 612的耦合影响。

例えば、垂直信号線（VSL1）501における信号レベルの変動によるカップリングの影響は、その垂直信号線（VSL1）501に対応する負荷トランジスタゲート線612に対して充分に抑制できないことがある。 - 中国語 特許翻訳例文集

在第二负载电流提供电路 620中，第二设置晶体管 621使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到第二参考电流线 602。

この第2負荷電流供給回路620において、第2設定トランジスタ621は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が第2基準電流線602に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5是图示根据本发明的第二实施例的负载晶体管栅极线 612上的耦合影响的示例的概念性图。

図5は、本発明の第2の実施の形態における負荷トランジスタゲート線612に対するカップリングの影響の一例を示す概念図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

电压设置电路 631基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号，将在其漏极侧的参考电流线 601和其源极侧的负载晶体管栅极线 632连接到一起。

この電圧設定回路631は、タイミング制御回路200からの維持制御信号に基づいて、そのドレイン側の基準電流線601とソース側の負荷トランジスタゲート線632との間を接続する。 - 中国語 特許翻訳例文集

打印机引擎 12b由打印机控制器 12a控制，将从打印机控制器 12a输入的光栅数据打印在纸张上。

プリンタエンジン12bは、プリンタコントローラ12aによって制御され、プリンタコントローラ12aから入力されるラスターデータを用紙に印刷する。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地说，在 FD放大器 107中，在终止存储时段之后，在输出信号之前，通过复位线 113(其组成复位栅极 (Rst))复位电荷检测器 110。

すなわち、FDアンプ107は、蓄積期間が完了すると、信号を出力する前に電荷検出部110がリセットゲート（Rst）を構成するリセット線113でリセットされる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在第一示例性实施例中，通过箝位电容器 5从第一共用输出线 2向第一输入晶体管 501的栅极供给信号。

第1の入力トランジスタ501のゲートに第1の共通出力線2からの信号が供給される。 本実施例においてはクランプ容量を介して供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集

基本上在该操作的同时，向开关60的栅极供给脉冲以接通开关60，由此，向运算放大器4的输出节点供给基准电压 Vref。

この動作と略同時にスイッチ60のゲートにパルスを供給して導通させることにより、演算増幅器4の出力ノードにVrefを供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

驱动器 18c响应于从 SG 20输出的垂直同步信号 Vsync，对摄像面施加预曝光，而且以光栅扫描形式读出摄像面上生成的电荷的一部分。

ドライバ18cは、SG20から出力された垂直同期信号Vsyncに応答して、撮像面にプリ露光を施し、かつ撮像面で生成された電荷の一部をラスタ走査態様で読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

驱动器 18c响应于垂直同步信号 Vsync的产生，对摄像面实施真实曝光，并且以光栅扫描形式读出摄像面上生成的全部电荷。

ドライバ18cは、垂直同期信号Vsyncの発生に応答して撮像面に本露光を施し、撮像面で生成された全ての電荷をラスタ走査態様で読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

驱动器 18c响应由未图示的 SG(Signal Generator)周期性地产生的垂直同步信号 Vsync，对摄像面进行曝光，并且以光栅扫描形态读出在摄像面中产生的电荷。

ドライバ18cは、図示しないSG(Signal Generator)から周期的に発生する垂直同期信号Vsyncに応答して、撮像面を露光し、かつ撮像面で生成された電荷をラスタ走査態様で読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构，其形成于半导体上。

例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

根据由正时控制部分 43进行的正时控制，栅极驱动器 52按照线顺序驱动在液晶显示面板 2中的各个像素 20。

ゲートドライバ52は、タイミング制御部43によるタイミング制御に従って、液晶表示パネル2内の各画素20を線順次駆動するものである。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过如此构成，可以按照供给节点 N101的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制供给节点 N101的电压。

このように構成することにより、供給ノードN101の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように供給ノードN101の電圧を制限できる。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过如此构成，可以按照输入节点 N103的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制输入节点 N103的电压，因此能够可靠地防止接收器103的耐压破坏。

このように構成することにより、入力ノードN103の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように入力ノードN103の電圧を制限できるので、レシーバ103の耐圧破壊を確実に防止できる。 - 中国語 特許翻訳例文集

而且，由于电压缓和晶体管 202p的漏极电压及栅极电压分别为“VTT-Vα”、“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p的端子间电压比“VTT”低。

また、電圧緩和トランジスタ202pのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT−Vα”，“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202pの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

同样，由于电压缓和晶体管 202n的漏极电压及栅极电压分别为“VTT”、“VTT-Vα”，所以可以使电压缓和晶体管 202n的端子间电压比“VTT”低。

同様に、電圧緩和トランジスタ202nのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT”，“VTT−Vα”になるので、電圧緩和トランジスタ202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

而且，由于电压缓和晶体管 202p、202n的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p、202n的端子间电压比“VTT”低。

また、電圧緩和トランジスタ202p，202nのドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202p，202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过如此构成，可以按照供给节点 N201p、N201n的电压不超过辅助晶体管 205p、205n的栅极电压的方式来限制供给节点 N201p、N201n的电压。

このように構成することにより、供給ノードN201p，N201nの電圧が補助トランジスタ205p，205nのゲート電圧を超えないように供給ノードN201p，N201nの電圧を制限できる。 - 中国語 特許翻訳例文集

时序发生器 (TG)15生成时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3(参考图 2)，用于确定供应电压控制电路 13向转移晶体管 22的栅电极供应控制电压的定时。

タイミング発生回路（TG）15は、供給電圧制御回路13が転送トランジスタ22のゲート電極に制御電圧を供給する際のタイミングを決めるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3（図2参照）を発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集

虽然图 6仅示出了沿 X轴排列的元件单行 114，但组件 100实际上包括了并列的多个该类行，从而在 X-Y平面中形成了栅格。

図6は、X軸に沿って配列された光電子要素の単一の列114のみを示すが、照明組立体100は実際には、多重のこの種の平行な列を有し、X−Y面に1つの格子を形成する。 - 中国語 特許翻訳例文集

这里，在右眼图像 (R)被顺序地施加到与相应的栅极线连接的多个像素时，右眼快门可处于打开状态，并且左眼快门可处于关闭状态。

ここで、右眼映像Rが順次に当該ゲート線に接続されている複数の画素に印加される間、右眼シャッターは開状態であり、左眼シャッターは閉状態である。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，在左眼图像 (L)可被顺序地施加到与相应的栅极线连接的多个像素时，左眼快门可处于打开状态，并且右眼快门可处于关闭状态。

なお、左眼映像Lが順次に当該ゲート線に接続されている複数の画素に印加される間、左眼シャッターは開状態であり、右眼シャッターは閉状態である。 - 中国語 特許翻訳例文集

参照图 5至图 7，在安装到显示面板组件 300的栅极驱动器 500中，可实现输入图像数据以使液晶分子大部分呈卧式的方法。

図5〜図7を参照すると、表示板組立体300に実装されるゲート駆動部500において、液晶分子を殆ど横たわる状態にするイメージデータを入力する方法が実現される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二开关元件 TR2的输入电极连接到电压信号线 Vss，控制电极连接到第二扫描开始信号线 STVP2，输出电极连接到栅极线 G1至 Gn+1。

第2のスイッチング素子TR2の入力電極は電圧信号線Vssに接続され、制御電極は第2のスキャン開始信号線STVP2に接続され、出力電極はゲート線G1〜Gn＋1に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

将栅极截止电压施加到电压输入端 Vin，并且将重置端 RE连接到通常最后布置的伪级 SRn+1的传输信号输出端 CRout。

電圧入力端子Vinにはゲートオフ電圧が印加され、リセット端子REは最終段に位置するダミーステージSRn＋1の伝達信号出力端子CRoutに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

PDM使用光栅或其他装置来将 WDM信号分离或解复用为其独立的信道或波长，并且使用一系列光电检测器来测量在每一个信道或波长中的功率。

PDMは、WDM信号をその個々のチャンネルまたは波長に分割するかまたは非多重化する回折格子または他のデバイス、および各チャンネルまたは波長の出力を測定する一連の光検出器を使用する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在这个示例中，第一色散光栅装置 118a操作以将多波长信号 112分离为离散的波长或信道 (λ1-λn)，并且将该波长聚焦在 SLM 108上。

この例では、第1の分散回折格子配置118aは、複数波長信号112を個別波長またはチャンネル（λ1−λn）に分離して、波長をSLM108に焦点を合わせるように動作する。 - 中国語 特許翻訳例文集

类似地，第二色散光栅装置 118b操作以将从 SLM 108反射的波长组合为输出多波长光信号 114，并且将信号 114聚焦到输出光纤 104内。

同様に、第2の分散回折格子配置118bはSLM108から反射された波長を出力複数波長光信号114に結合して、信号114を出力光ファイバ104に焦点を合わせるように動作する。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，根据波长λ1入射在其上的镜元件的倾斜角，DMD 108作为闪耀光栅，并且光被沿着路径 160向上和向右衍射，或被沿着路径 165向上和向左衍射。

したがって、波長λ1が入射するミラー素子の傾斜角に従い、DMD108はブレーズド格子として機能し、および、光は経路160に沿って上および右に、またはあるいは、経路165に沿って上および左に回折される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 7中α表示一个区域的光栅扫描期间，a表示 4个顶点数据生成处理期间，b表示双线性插值处理期间。

図7において、αは1ブロックのラスタースキャン期間、αは4頂点データ生成処理期間、bは双線形補間処理期間を表わしている。 - 中国語 特許翻訳例文集

光栅至块 (raster to block)地址发生器 115寻址存储器 71，使得当读出缓冲器的内容时，改变元件的顺序。

ラスタ・ブロックアドレス発生器115は、メモリ71をアドレス指定するので、バッファの内容が読み出される場合に、要素の順序が変更される。 - 中国語 特許翻訳例文集

接着，下面将详细描述后一种方法即当选择晶体管 25被关断时将负电压施加到栅极的实施例。

続いて、後者の手法、即ち選択トランジスタ25をオフするときにゲートに負電圧を与える具体的な実施例について以下に説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

更具体地说，在图 4中，图 7所示的开关脉冲 LOAD被提供到负载晶体管 31的栅极，这使负载晶体管 31充当开关元件。

具体的には、図2において、負荷トランジスタ31のゲートに図5に示すスイッチングパルスLOADを印加することで、負荷トランジスタ31にスイッチ素子としての役割を持たせる。 - 中国語 特許翻訳例文集

当步骤 214中的确定为否定时，在步骤 216中删除上面产生的总量限制处理之前和之后的光栅数据，然后，控制从该子例程返回到图 6所示的主处理例程。

ステップ214で否定判定した場合には、ステップ216で、上記生成した総量規制処理前後のラスターデータを削除して、本サブルーチンから図6のメインの処理ルーチン戻る。 - 中国語 特許翻訳例文集

当步骤218中的确定为肯定时，在步骤 220中，从上述输出数据中删除总量限制处理之后的清透光栅数据。

ステップ218で肯定判定した場合には、ステップ220で、総量規制処理後のクリアのラスターデータを前述した出力用データから除外する。 - 中国語 特許翻訳例文集

当步骤 222中的确定为肯定时，在步骤 224中将总量限制处理之前的清透光栅数据设置为用于添印的数据，然后控制从该子例程返回图 6所示的主处理例程。

ステップ222で肯定判定した場合には、ステップ224で、総量規制処理前のクリアのラスターデータを追い刷り用のデータとして設定し、本サブルーチンから図6のメインの処理ルーチン戻る。 - 中国語 特許翻訳例文集

复位晶体管 22的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与 FD25连接，栅极端子与复位线 RESET连接。

リセットトランジスタ22は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子がFD25に接続され、ゲート端子がリセット線RESETに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

地址晶体管 24的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与放大晶体管 23的漏极端子连接，栅极端子与地址线 ADDRESS连接。

アドレストランジスタ24は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子が増幅トランジスタ23のドレイン端子に接続され、ゲート端子がアドレス線ADDRESSに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3侧的 3个 NMOS晶体管 30、33、35的各栅极端子被公共输入来自列选择电路 5a的列选择信号。

基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3側の3つのNMOSトランジスタ30，33，35の各ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が共通に入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，源极端子连接到 PMOS晶体管 60、66的漏极端子的 PMOS晶体管 61、67的各栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。

また、PMOSトランジスタ60，66のドレイン端子にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ61，67の各ゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

然而，这种显示具有一些缺点，比如，对于观看者而言栅格结构可能更可见，还可能产生下文要描述的颜色缺陷。

しかしながら、このようなディスプレイは不利な点を有し、バリア構造が、視聴者に、より見えるようになり得、本明細書に以下に記載されるようなカラー欠陥が生成され得る。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，视差光学器件 (比如视差栅格 )有可能或更易于采用有源类型，同时无需使用像薄玻璃这样的薄基板。

さらに、このために、視差バリアのような視差光学素子が、薄いガラスのような薄い基板の使用を必要とせずに、アクティブなタイプとすることが可能に、あるいは、より容易になる。 - 中国語 特許翻訳例文集