「栅」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

中国語辞書 - Weblio日中中日辞典 中国語例文
約36万の例文を収録
 
  手書き文字入力


Weblio 辞書 > Weblio 日中中日辞典 > 栅の意味・解説 > 栅に関連した中国語例文


「栅」を含む例文一覧

該当件数 : 357



<前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 次へ>

然而,如果这种显示被用在二维或单视图模式中,其中禁用或除去了视差栅格 25,则可能产生其周期为 9个像素列的不想要的颜色条带。

しかしながら、このようなディスプレイが、視差バリア25が無効または除去されて、2Dまたはシングルビューモードで使用される場合、9つの画素列の周期で、望ましくないカラー縞を発生し得る。 - 中国語 特許翻訳例文集

然而,当用在单个视图模式中且视差栅格 25被除去或被禁用时,颜色条带伪像可能是可见的 (在 40处示出了蓝色密度较高的区域 )。

しかしながら、ここでもまた、視差バリア25が除去または無効にされて、シングルビューモードで使用される場合、カラー縞のアーチファクトは見ることも可能である(青の密度が高い領域は、40で示される)。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 18示出了一种 P2显示,其中视差栅格中相邻的狭缝行之间的偏置等于像素列节距的大致两倍 (从而允许视点补偿 )。

図18は、P2ディスプレイを示し、視差バリアのスリットの隣接する行の間のオフセットは、画素列ピッチのほぼ2倍に等しい(視点補償を可能にする)。 - 中国語 特許翻訳例文集

2.根据权利要求 1所述的图像读取装置,其中,在所述多个透镜阵列的中间位置、光入射侧以及光反射侧之中,至少在所述中间位置处,设置所述光栅。

2. 前記複数のレンズアレイの中間位置、光入射側及び光出射側のうち、少なくとも前記中間位置に前記アパーチャが配置されている、請求項1に記載した画像読取り装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

7.根据权利要求 6所述的光学模块,其中,在所述多个透镜阵列的中间位置、光入射侧以及光反射侧之中,至少在所述中间位置处,设置所述光栅。

7. 前記複数のレンズアレイの中間位置、光入射側及び光出射側のうち、少なくとも前記中間位置に前記アパーチャが配置されている、請求項6に記載した光学モジュール。 - 中国語 特許翻訳例文集

驱动器 18c响应于周期性产生的垂直同步信号 Vsync,对摄像面进行曝光,并以光栅扫描方式读出在摄像面生成的电荷。

ドライバ18cは、周期的に発生する垂直同期信号Vsyncに応答して、撮像面を露光し、撮像面で生成された電荷をラスタ走査態様で読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

驱动器 18c响应周期性地产生的垂直同步信号 Vsync曝光摄像面,通过光栅扫描方式读出由摄像面生成的电荷。

ドライバ18cは、周期的に発生する垂直同期信号Vsyncに応答して、撮像面を露光し、撮像面で生成された電荷をラスタ走査態様で読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外,复位晶体管 146的栅电极施加有复位脉冲 RST,浮置扩散区 145被复位,从而从浮置扩散区 145中释放多余电荷N0。

また、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から不要電荷N0が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地,将复位脉冲 RST施加至复位晶体管 146的栅电极,使浮置扩散区145复位,电荷从浮置扩散区 145释放。

具体的には、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から電荷が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地,在时间t19,复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极,浮置扩散区145被复位,并从浮置扩散区 145中释放信号电荷 S1。

具体的には、時刻t19において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S1が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集


具体地,在时间t22,复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极,浮置扩散区145复位,且从浮置扩散区 145释放信号电荷 S2。

具体的には、時刻t22において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S2が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

结果,通过由于反射或衍射而导致的光入射在栅电极 173A的下部而产生的电荷泄露到存储部 174,可以减少由于加入到信号电荷 S1而产生的噪声的量。

その結果、例えば、反射や回折などでゲート電極173Aの下部に光が入射することにより発生した電荷が、メモリ部174に漏れ込み、信号電荷S1に加算されることによるノイズ量を低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

这里,此时,选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147栅电极的状态持续到步骤 S55。

なお、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS55まで継続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外,此时,选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147的栅电极的状态持续到步骤 S62。

また、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS62まで継続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此,通过由于 (例如 )反射或衍射而入射在栅电极 173A的下部上的光产生的电荷泄露到存储部 174中,可以减少由于加入到信号电荷 S1中而导致的噪声的量。

その結果、例えば、反射や回折などでゲート電極173Aの下部に光が入射することにより発生した電荷が、メモリ部174に漏れ込み、信号電荷S1に加算されることによるノイズ量を低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在读取动作中,首先对单位像素 3的复位晶体管 RSTTr的栅极赋予复位脉冲(RST),向垂直信号线 L输出复位信号。

読み出し動作は、まず、単位画素3のリセットトランジスタRSTTrのゲートにリセットパルス(RST)を与え、リセット信号を垂直信号線VSLに出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

虽然开关部件 31、32、36和 37中的开关是作为 N-沟道开关来描述的,但是在其他的示例中,这些开关也可以是诸如 P-沟道开关或转移栅极之类的其他类型的开关。

スイッチブロック31、32、36、及び37は上記ではNチャネルスイッチとして述べられたが、これらのスイッチは、他の例では、Pチャネルスイッチまたはトランスファーゲートのような他のタイプのスイッチであっても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

图6、图7A和图7B分别是根据图4所示的修改的示例性实施例、利用协处理器(或DSP)来进行用于多光束打印机引擎的打印图像平面光栅化的方法的伪代码、以及根据图 5所示的另一修改的示例性实施例的进行用于多光束打印机引擎的打印图像平面光栅化的方法的伪代码的示意图。

図6、図7A及び図7Bは、図4に示す修正された典型的実施態様に係るコプロセッサ(又はDSP)を用いたマルチビームレーザ印刷エンジン用の印刷画像平面ラスタライズを行う疑似コード又は方法と、図5に示すもう一つの修正された典型的実施態様に係るマルチビームレーザ印刷エンジン用の印刷画像平面ラスタライズを行う方法と、をそれぞれ示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 1A、图 1B和图 1C为第 1实施方式的固体摄像装置中的传感器的剖视图,图 1A为概要地表示取出第 1实施方式的传感器的摄像区域中的一部分的、元件形成区域和栅极的布局图像的图,图 1B为概要地表示取出同一传感器的摄像区域中的一部分的、滤色器和微透镜的布局图像的图,图 1C为概要地表示取出同一传感器的摄像区域中的一部分的、元件形成区域和栅极的布局图像以及滤色器和微透镜的布局图像的图;

【図1】(a)は第1の実施形態のセンサの撮像領域における一部分を取り出して素子形成領域およびゲートのレイアウトイメージを概略的に示す図、(b)は同センサの撮像領域の一部を取り出して色フィルタ及びマイクロレンズのレイアウトイメージを概略的に示す図、(c)は同センサの撮像領域における一部分を取り出して素子形成領域およびゲートのレイアウトイメージ並びに色フィルタ及びマイクロレンズのレイアウトイメージを概略的に示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 3A、图 3B和图 3C为第 2实施方式的固体摄像装置中的传感器的剖视图,图 3A为概要地表示取出第 2实施方式的传感器的摄像区域中的一部分的、元件形成区域和栅极的布局图像的图,图 3B为概要地表示取出同一传感器的摄像区域中的一部分的、滤色器和微透镜的布局图像的图,图 3C为概要地表示取出同一传感器的摄像区域中的一部分的、元件形成区域和栅极的布局图像以及滤色器和微透镜的布局图像的图;

【図3】(a)は第2の実施形態のセンサの撮像領域における一部分を取り出して素子形成領域およびゲートのレイアウトイメージを概略的に示す図、(b)は同センサの撮像領域の一部を取り出して色フィルタ及びマイクロレンズのレイアウトイメージを概略的に示す図、(c)は同センサの撮像領域における一部分を取り出して素子形成領域およびゲートのレイアウトイメージ並びに色フィルタ及びマイクロレンズのレイアウトイメージを概略的に示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集

18.如权利要求 9所述的三维图像显示装置,其中,栅极驱动器包括连接到栅极线的一端的多级,其中,每一级包括第一输入端、第二输入端、输出端和传输信号输出端,所述多级中的至少一级的第一输入端连接到所述多级中的另一极的传输信号输出端,所述多级中的至少一级的输出端连接到所述另一极的第二输入端。

18. 前記ゲート駆動部は前記ゲート線の一端に接続される複数のステージを備え、前記ステージは、第1の入力端子、第2の入力端子、出力端子、及び伝達信号出力端子を備え、前記複数のステージのうちの少なくともいずれか一つの第1の入力端子は他のステージの伝達信号出力端子に接続され、出力端子は他のステージの第2の入力端子に接続されることを特徴とする請求項9に記載の立体映像表示装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

换句话说,在从步骤 322到步骤 336的处理中,累积基于总量限制处理之前的清透光栅数据形成的透明图像的区域 (即其中清透色调剂的浓度大于 0的区域 )内的像素的数量 (ClearArea),以及基于总量限制处理之前的清透光栅数据形成的透明图像的区域 (即其中清透色调剂的浓度大于 0的区域 )内的、通过像素总量限制处理浓度未被校正的像素的数量 (FullArea)。

すなわち、ステップ322からステップ336までの処理により、総量規制処理前のクリアのラスターデータにより形成される透明な画像の領域(クリアの濃度値が0より大きい領域)の画素の数(ClearArea)、及び総量規制処理前のクリアのラスターデータにより形成される透明な画像の領域(クリアの濃度値が0より大きい領域)において、総量規制処理により濃度値が補正されなかった画素の数(FullArea)を累積して求めている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在配置于电源侧的 PMOS晶体管 60、61和 PMOS晶体管 66、67中,在源极端子连接到电源 64的 PMOS晶体管 60、66中 PMOS晶体管 60的栅极端子被直接输入第 n+1列的寄存器数据 Dn+1,PMOS晶体管 66的栅极端子经由 NAND电路 70被输入对第 n+1列寄存器数据Dn+1进行逻辑反转后的数据 (/Dn+1)和对第 n列寄存器数据 Dn进行逻辑反转后的数据 (/Dn)。

電源側に直列配置されるPMOSトランジスタ60,61およびPMOSトランジスタ66,67において、電源64にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ60,66のうち、PMOSトランジスタ60のゲート端子には、n+1列目のレジスタデータDn+1が直接入力され、PMOSトランジスタ66のゲート端子には、n+1列目のレジスタデータDn+1を論理反転したデータ(/Dn+1)とn列目のレジスタデータDnを論理反転したデータ(/Dn)とがNAND回路70を介して入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如,当通过绘图数据发生器 32生成光栅数据作为绘图数据时,分析器 26可以生成行程数据代替参照图 3、4所描述的数据来作为中间数据。

また、例えば、描画データ生成部32において描画データとしてラスタデータが生成される場合、解釈部26は、中間データとして、図3及び図4を参照して説明した態様のデータの代わりに、ランレングスデータを生成してもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

公共输出线 8,其用于根据扫描线 7的扫描信号输出来自保持单元 5中的每一个保持单元的信号; 复位单元 9,其用于根据栅极信号 将公共输出线 8复位到电压 VCHR;

8は各保持手段5からの信号を走査信号7に応じて出力する共通出力線、9はゲート信号φCHRに応じて共通出力線8を電圧VCHRにリセットするリセット手段、10は共通出力線8からの信号を増幅し出力する出力回路である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5示出了保持电容器 51、用于根据栅极信号 进行写入的第二写入开关 52、以及用于根据来自扫描电路 6的扫描信号7 将来自保持电容器 51的信号传送到公共输出线 8的传送开关 53。

図5において、51は保持容量、52はゲート信号φCTに応じて書き込みを行う第2の書き込みスイッチ、53は走査回路6からの走査信号7(φSR)に応じて共通出力線8へ保持容量51の信号を転送する転送スイッチである。 - 中国語 特許翻訳例文集

许多已知的多画面显示器均是基于例如液晶装置的空间光调制器形式的显示装置,其像素结构与例如平行隔栅或透镜状屏幕的视差光学部件协作,以控制从中可看到像素的观看区域。

多くの公知のマルチビューディスプレイは、空間光変調器の形態である表示装置(例えば、画素構造が視差光学素子(例えば、平行バリアまたはレンズ状画面)と協同して、画素が可視である表示領域を制御する、液晶装置)に基づいている。 - 中国語 特許翻訳例文集

放大晶体管 42使其栅极连接到浮动扩散 38,使其漏极连接到电源 Vdd,且使其源极经由垂直选择晶体管 40连接到像素线 51,并进一步连接到垂直信号线 19。

増幅用トランジスタ42は、ゲートがフローティングディフュージョン38に接続され、ドレインが電源Vddに、ソースは垂直選択用トランジスタ40を介して画素線51に接続され、さらに垂直信号線19に接続されるようになっている。 - 中国語 特許翻訳例文集

帧计数器 22对信号进行计数,例如对具有在 1个垂直周期 (或 1个帧周期 )期间产生一次的脉冲的垂直同步信号 Vsync或栅极启动脉冲 GSP进行计数,以产生帧计数信号Cnt_FR。

フレームカウンター22は、垂直同期信号VsyncまたはゲートスタートパルスGSPのように1垂直期間(または1フレーム期間)に1回パルスが発生される信号をカウントしてフレームカウント信号Cnt_FRを発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生电容器 629包括在第二负载晶体管 624的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和第二参考电流线 602之间形成的布线间电容器。

寄生容量629は、第2負荷トランジスタ624のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線(VSL1または2)501または502と第2基準電流線602との間に形成される配線間容量からなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在将被供应到转移晶体管 22的栅电极的电压为 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和 Vtrg4的情形中,当通过地址信号 ADR选定行时,根据时序信号 PTRG1、PTRG2和 PTRG3,对应于各个时序信号的电压Vtrg1、Vtrg2和 Vtrg3被供应,而电压 Vtrg4被供应到其它行。

転送トランジスタ22のゲート電極に供給する電圧をVtrg1,Vtrg2,Vtrg3,Vtrg4とした場合において、アドレス信号ADRによって行が選択された際に、タイミング信号PTRG1,PTRG2,PTRG3によって、それぞれに対応する電圧Vtrg1,Vtrg2,Vtrg3を供給し、それ以外は電圧Vtrg4を供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

参照图 9,显示装置 50包括显示面板 100、背光单元 200、数据驱动器 400、栅极驱动器500、图像信号处理器610、立体控制器620、帧转换控制器630、帧存储器640、亮度控制器 210和灰度电压产生器 800。

図9を参照すると、表示装置(display device)50は、表示パネル(display panel)100と、バックライトユニット200と、データ駆動部400と、ゲート駆動部500と、イメージ信号処理部(image signal processor)610と、ステレオ制御部(stereo controller)620と、フレーム変換制御部(frame conversion controller)630と、フレームメモリ(frame memory)640と、輝度制御部(luminance controller)210と、階調電圧生成部800などを備える。 - 中国語 特許翻訳例文集

SR1至SRn+1中的每一级均包括两个输入端 IN1和 IN2、两个时钟端 CK1和 CK2、接收与栅极截止电压相应的低电压 Vss的电压输入端 Vin、重置端 RE、输出端 OUT以及传输信号输出端 CRout。

各ステージSR1〜SRn+1は、2つの入力端子IN1、IN2と、2つのクロック入力端子CK1、CK2と、ゲートオフ電圧に相当する低電圧(Vss)が印加される電圧入力端子Vinと、リセット端子REと、出力端子OUT及び伝達信号出力端子CRoutを備える。 - 中国語 特許翻訳例文集

第六晶体管 Tr6的控制端通过重置端 RE接收伪级的传输信号 CR,通过第二输入端 IN2向第九晶体管 Tr9的控制端输入下一级的栅极电压。

第6のトランジスターTr6の制御端子にはリセット端子REを介してダミーステージの伝達信号CRが印加され、第9のトランジスターTr9の制御端子には第2の入力端子IN2を介して次段のステージのゲート電圧が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第三晶体管 Tr3的控制端连接到上拉驱动器 511的第七晶体管 Tr7的输出端,通过第二输入端 IN2向第二晶体管 Tr2的控制端输入下一级的栅极电压。

第3のトランジスターTr3の制御端子はプルアップ駆動部511の第7のトランジスターTr7の出力端子に接続され、第2のトランジスターTr2の制御端子には第2の入力端子IN2を介して次段のステージのゲート電圧が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 3示出在图 1的光学装置中使用的 SLM 208(即,在图 1中的 SLM108)的平面视图与由第一色散光栅装置 118a在该 SLM 108上聚焦的空间分离的光波长λ1、λ2和λ3(分别由光束 310、320和 330表示 )。

図3は、図1の光デバイスに使用されるSLM208の平面図(すなわち図1のSLM108)、同じく第1の分散回折格子配置118aによってSLM108に焦点を合わせられる空間的に分離された光波長λ1、λ2およびλ3(それぞれ、ビーム310、320および330によって表される)を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

再一次参见图 6,在光第二次从 DMD 108反射离开后沿着路径 182或 184传播之后,光然后以与如上所述的方式相反的方式穿过光栅 120和第一准直透镜 115。

再び図6を参照して、DMD108から離れたその第2の反射の後で経路180または182に沿って進行したあと、光は次いで上で記載されているそれとは逆の方法で回折格子120および第1のコリメーティングレンズ115を横断する。 - 中国語 特許翻訳例文集

通常用光栅模式扫描检测图像的像素的这些元件以便在输出 33中产生一系列模拟信号,提供当扫描它们时,入射到逐个光电检测器元件的辐射的强度。

画像の画素を検出するこれらの要素は典型的には、ラスタパターンで走査されて、それらが走査される際に、光検出器要素に次々に当たる放射の強度を与える出力33中の連続したアナログ信号を発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一实施例的特征在于,当像素 20的选择晶体管 25被关断时,其栅极电压被设为一电压也就是负电压,该电压距关断侧比距其中形成了选择晶体管 25的阱的电压更近。

第1実施例では、画素20内の選択トランジスタ25をオフときに、そのゲート電圧を当該選択トランジスタ25が形成されているウェルの電圧よりもオフ側、本例では負電圧に設定することを特徴としている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 202的总量限制处理中,CMYK各颜色的浓度都被校正成以相同的比率减小,使得 CMYK各颜色的光栅数据的每个像素总浓度不会超出第一预定上限值 (下文中称为第一总量限制值 )。

ステップ202の総量規制処理では、CMYK各色のラスターデータの各画素毎の濃度値の合計値が予め定められた第1の上限値(これを第1の総量規制値という)を超えないように、CMYK各色の濃度値がそれぞれ同じ割合で減少するように補正する。 - 中国語 特許翻訳例文集

M个开关晶体管 12的各漏极端子并联地连接在偏压生成电路 5的输出端子上,各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电压控制线 13上。

M個のスイッチトランジスタ12の各ドレイン端子はバイアス電圧生成回路5の出力端子に並列に接続され、各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電圧制御線13に並列に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

也就是说,数据传输电路 18b对于列方向的相邻每 2位 (Dn+1,Dn)的 4种组合 (0,0)、(0,1)、(1,0)、(1,1),能通过与数据传输电路18a完全相同的栅极宽度W驱动数据线10,因此能引起图 7(4)所示的特性 a、b、c、d的电位变化。

つまり、データ転送回路18bは、列方向の隣り合う2ビット(Dn+1,Dn)毎の4通りの組み合わせ(0,0)(0,1)(1,0)(1,1)について、データ転送回路18aと完全に同じゲート幅Wでもってデータ線10を駆動できるので、図7(4)に示す特性a,b,c,dの電位変化を起こさせる。 - 中国語 特許翻訳例文集

P3显示与 P1和 P2显示的区别在于,观看者 30的每只眼睛可以透过视差栅格 25c的每个狭缝看到三列像素,并且 LCD 20c所显示的每个视图的每个条带都由三个相邻的像素列来显示。

P3ディスプレイは、観察者30の各目が、視差バリア25cの各スリットを介する3つの画素列を見る点で、および、LCD20cによって表示される2つのビューのそれぞれの各帯が、3つの隣接する画素列によって表示される点で、P1およびP2ディスプレイとは異なる。 - 中国語 特許翻訳例文集

这里,由于选择脉冲 SEL被施加至选择晶体管 147的栅电极,表示浮置扩散区 145(其释放信号电荷 S1)的电压 (下文中称作复位电平 R2)的像素信号从放大晶体管 148输出至垂直信号线 155。

ここで、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加されているので、信号電荷S1が排出された浮遊拡散領域145の電圧(以下、リセットレベルR2と称する)を示す画素信号が、増幅トランジスタ148から垂直信号線155に出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 S62中,采用类似于步骤 S55的处理,单元像素 131的目标行使浮置扩散区145复位,释放当前帧的信号电荷 S1,并停止选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。

ステップS62において、注目行の単位画素131は、ステップS55と同様の処理により、浮遊拡散領域145をリセットし、現在のフレームの信号電荷S1を排出し、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加を停止する。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 9A和图 9B为第 2实施方式的固体摄像装置中的传感器的剖视图,图 9A为概要地表示取出图 5的 CMOS图像传感器的摄像区域中的一部分的、元件形成区域和栅极的布局图像的图,图 9B为概要地表示取出图 5的 CMOS图像传感器中的摄像区域的一部分的、滤色器和微透镜的布局图像的图。

【図9】(a)は図5のCMOSイメージセンサの撮像領域における一部分を取り出して素子形成領域およびゲートのレイアウトイメージを概略的に示す図、(b)は図5のCMOSイメージセンサにおける撮像領域の一部を取り出して色フィルタ及びマイクロレンズのレイアウトイメージを概略的に示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集

当检测到放射线的照射时,控制部 106在经过特定累积持续时间之后控制扫描信号控制电路104,并且使得从扫描信号控制电路104每次一条线顺序地向各条扫描线101输出导通信号。 从而,控制部 106通过扫描线 101将导通信号顺序地施加给 TFT开关 4的栅极 2。

制御部106は、放射線の照射を検出すると、所定の蓄積期間経過後に、スキャン信号制御回路104を制御してスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させ、TFTスイッチ4のゲート電極2に走査配線101を介して順次ON信号を印加する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在经过特定累积持续时间之后,控制部 106控制扫描信号控制电路 104,使得从扫描信号控制电路 104每次一条线顺序地向各条扫描线 101输出导通信号。 结果,控制部 106通过扫描线 101顺序地向 TFT开关 4的栅极 2施加导通信号。

制御部106は、放射線の照射を検出すると、リセット動作を停止して放射線検出素子10の各画素20Aに電荷を蓄積させ、所定の蓄積期間経過後に、スキャン信号制御回路104を制御してスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させ、TFTスイッチ4のゲート電極2に走査配線101を介して順次ON信号を印加する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在已经经过特定累积持续时间之后,控制部 106控制扫描信号控制电路104,使得从扫描信号控制电路104每次一条线顺序地向各条扫描线101输出导通信号。 结果,控制部 106通过扫描线 101顺序地向 TFT开关 4的栅极 2施加导通信号。

制御部106は、放射線の照射を検出すると、リセット動作を停止して放射線検出素子10の各画素20Aに電荷を蓄積させ、所定の蓄積期間経過後に、スキャン信号制御回路104を制御してスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させ、TFTスイッチ4のゲート電極2に走査配線101を介して順次ON信号を印加する。 - 中国語 特許翻訳例文集

电路块 134包括采用地址信号 ADR和 NOR电路 135的输出作为两个输入的 AND电路 1341,采用地址信号 ADR作为一个 (负 )输入并且采用 AND电路的输出信号作为另一个输入的 OR电路 1342,电平相移器 1343以及 N-沟道驱动晶体管 1344,其选定电压 Vtrg4(所述电压 Vtrg4低地电压 )并且将其供应到转移晶体管 22的栅电极。

回路ブロック134は、アドレス信号ADRとNOR回路135の出力信号とを2入力とするAND回路1341、アドレス信号ADRを一方の(否定)入力とし、AND回路1341の出力信号を他方の入力とするOR回路1342、レベルシフタ1343およびNチャネルの駆動トランジスタ1344により構成され、接地電圧よりも低い電圧Vtrg4を選択して転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

<前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 次へ>




   

中国語⇒日本語
日本語⇒中国語
   

   

中国語⇒日本語
日本語⇒中国語
   


  
中国語 特許翻訳例文集
北京语智云帆科技有限公司版权所有 © 2011-2024

©2024 GRAS Group, Inc.RSS