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「電位」を含む例文一覧
該当件数 : 146件
電位計で電圧を制御する
用电位计控制电压
- 中国語会話例文集
また、このゲート電位Vgの電位変化に連動して、駆動トランジスタN2のソース電位Vsも押し下げられる（図15（E）、図16（E））。
与所述栅极电位 Vg的电位变化所关联，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs也减小(图 15E，图 16E)。 - 中国語 特許翻訳例文集
（c−5）非発光期間内の信号電位書込み動作
(c-5)非发光时段中信号电位的写操作 - 中国語 特許翻訳例文集
この動作の開始に伴い、駆動トランジスタN2のゲート電位Vgは、信号電位Vsigに上昇する（図15（D）、図16（D））。
随着所述操作的开始，所述驱动晶体管 N2的栅极电位 Vg被增加到所述信号电位Vsig(图 15D，图 16D)。 - 中国語 特許翻訳例文集
図23（4）において、実線はデータ線10の電位変化を示し、破線は基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の電位変化を示している。
在图 23(4)中，实线表示数据线 10的电位变化，虚线表示基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3的电位变化。 - 中国語 特許翻訳例文集
図7中の605は、共通出力線605の電位を表している。
在图 7中，附图标记 605表示共用输出线 605的电势。 - 中国語 特許翻訳例文集
本実施例においては、電位関係はGND＜Vref＜VDDとなっている。
在第二示例性实施例中，满足 GND＜ Vref＜ VDD的电势关系。 - 中国語 特許翻訳例文集
図15（E）及び図16（E）は、駆動トランジスタN2のソース電位Vsの波形である。
图15E和 16E是所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs的波形。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、駆動トランジスタN2のソース電位Vsは、Vofs_L−Vthで与えられる。
所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs由 Vofs_L-Vth给出。 - 中国語 特許翻訳例文集
データ線10の電位は、特性oのように、VDD／2からVDDに向かって上昇する。
数据线 10的电位如特性 o那样，从 VDD/2向VDD上升。 - 中国語 特許翻訳例文集
［比較例1（アナログ的に垂直信号線の電位を制御する一例）］
[比较例 1(模拟地控制垂直信号线的电位的一例 )] - 中国語 特許翻訳例文集
この垂直信号線（VSL1）501の電位は、基準信号読出し期間におけるブラック電位（VB）から、画像読出し期間においてホワイト電位（VW）に低下する。
垂直信号线 (VSL1)501的电势从参考信号读出时段期间的黑色电势 (VB)降低到像素信号读出时段期间的白色电势 (VW)。 - 中国語 特許翻訳例文集
セレクタ69は、画素階調に対応する信号電位Vsigと、閾値補正電位Vofs_Lと、初期化電位Vofs_Hとのいずれか一つを、1水平走査期間内に選択的に出力する回路デバイスである。
所述选择器 69是一个水平扫描周期中选择性地输出对应于像素色度的信号电视Vsig、阈值校正电位 Vofs_L和初始化电位 Vofs_H之一的电路装置。 - 中国語 特許翻訳例文集
このように、基準電圧駆動回路19bが駆動する基準電圧線Vrefの電位は、転送1ビットの2値に対応したデータ線10の電位の中間電位を取るようになっている。
如上，基准电压驱动电路 19b所驱动的基准电压线 Vref的电位取的是与传输 1位的 2值对应的数据线 10的电位的中间电位。 - 中国語 特許翻訳例文集
本実施例では、基準信号検出期間203で出力線141を低い電位の基準信号に設定した後に、最大値検出期間204に出力線141の電位を上昇させ、その後に最小値検出期間205で出力線141の電位を下降させる。
然后，在最大值检测周期 204中，输出线 141的电势上升。 在随后的最小值检测周期 205中，输出线 141的电势下降。 - 中国語 特許翻訳例文集
このように、基準電圧駆動回路19dが駆動する基準電圧線Vref1，Vref3，および固定電圧（VDD／2）の基準電圧線Vref2の電位は、第1の実施例と同様に、転送2ビットの4通りのビットパターンに対応したデータ線10の電位の中間電位を取るようになっている。
如上，基准电压驱动电路 19d所驱动的基准电压线 Vref1、Vref3和固定电压(VDD/2)的基准电压线 Vref2的电位与第一实施例同样地，取与传输 2位中 4种位模式对应的数据线 10的电位的中间电位。 - 中国語 特許翻訳例文集
フローティングディフュージョン（以下FDと呼ぶ）304a〜304cは、光信号電荷をFD電位に転換する。
FD304a至 FD 304c将光信号转换为 FD电位。 - 中国語 特許翻訳例文集
PMOSトランジスタPT311のソースおよびPMOSトランジスタPT312のソースが電源電位VDDに接続されている。
PMOS晶体管 PT311的源极和 PMOS晶体管 PT312的源极连接至电源电势 VDD。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図15】サブ画素の駆動波形例と内部電位の関係を示す図である。
图 15A至 15E是显示了子像素的驱动波形示例与内部电位之间的关系的图； - 中国語 特許翻訳例文集
【図16】サブ画素の駆動波形例と内部電位の関係を示す図である。
图 16A至 16E是显示了子像素的驱动波形示例与内部电位之间的关系的图； - 中国語 特許翻訳例文集
203はサンプリングスイッチ202によりサンプリングした電位を保持する保持容量である。
保持电容器 203保持由采样开关 202采样的电位。 - 中国語 特許翻訳例文集
（1）リセット電位が低下する事による黒沈みの問題が発生を防止できる。
(1)能够防止产生由于复位电位降低而产生的暗黑。 - 中国語 特許翻訳例文集
すなわち、ソースファロアー回路はゲインが略1のアンプ回路として動作し、入力ノードであるFDノード7の電位Vfの変化に追随するように、垂直信号線11の電位Vslは変調される。
即，源极跟随器电路作为增益几乎为 1的放大电路而工作，并且调制垂直信号线11的电位 Vsl以跟随作为输入节点的 FD节点 7的电位 Vf的变化。 - 中国語 特許翻訳例文集
蓄積容量70の一方の電極は、画素電極9aと並列してTFT30のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線300に電気的に接続されている。
蓄积电容 70的一方电极与像素电极 9a并列地电气连接到 TFT30的漏极，另一方电极为了成为恒定电位，与电位固定的电容线 300电气连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
なお、サンプリングトランジスタN1がオン状態に切り替わる前には、信号線DTLの電位が信号電位Vsigに切り替わっている（図15（A）〜（C），図16（A）〜（C））。
在所述采样晶体管 N1被切换为导通状态之前，所述信号线 DTL的电位被切换为所述信号电位 Vsig(图 15A至 15C和图 16A至 16C)。 - 中国語 特許翻訳例文集
図18に、完全転送期間T4および電子シャッタ期間T1におけるフォトダイオード（PD）21とFD部26の電位関係および選択電源電位SELVDD、リセットパルスRSTおよび転送パルスTRGの詳細なタイミング関係を示す。
在图 18中，示出了在完全转移时段 T4和电子快门时段 T1中，光电二极管 (PD)21和 FD区 26的电势关系，以及选择电源电势 SELVDD、复位脉冲 RST和转移脉冲 TRG的具体时序关系。 - 中国語 特許翻訳例文集
図19に、中間転送期間T2，T3におけるフォトダイオード21とFD部26の電位関係および選択電源電位SELVDD、リセットパルスRSTおよび転送パルスTRGの詳細なタイミング関係を示す。
在图 19，示出了在中间转移时段 T2、T3中，光电二极管 (PD)21和 FD区 26的电势关系，以及选择电源电势 SELVDD、复位脉冲 RST和转移脉冲 TRG的具体时序关系。 - 中国語 特許翻訳例文集
図24に、中間転送期間S2，S3におけるフォトダイオード21とFD部26の電位関係および選択電源電位SELVDD、リセットパルスRSTおよび転送パルスTRGの詳細なタイミング関係を示す。
在图 24中，示出了在中间转移时段 S2、S3，光电二极管 21和 FD区 26的电势关系，以及选择电源电势 SELVDD、复位脉冲 RST和转移脉冲 TRG的具体时序关系。 - 中国語 特許翻訳例文集
図25に、完全転送期間S4および電子シャッタ期間S5におけるフォトダイオード21とFD部26の電位関係および選択電源電位SELVDD、リセットパルスRSTおよび転送パルスTRGの詳細なタイミング関係を示す。
在图 25中，示出了在完全转移时段 S4和电子快门时段 S5中，光电二极管 21和 FD区 26的电势关系，以及选择电源电势 SELVDD、复位脉冲 RST和转移脉冲 TRG的具体时序关系。 - 中国語 特許翻訳例文集
基準電圧線Vref2の電位低下のスピードは、転送2ビットが（0，1）の場合の特性bと（1，0）の場合の特性cとの中間スピードとなるので、基準電圧線Vref1の電位変化は特性fに示すようになる。
基准电压线Vref2的电位降低速度是传输 2位为 (0，1)时的特性 b与为 (1，0)时的特性 c的中间速度，因此基准电压线 Vref1的电位变化如特性 f所示。 - 中国語 特許翻訳例文集
同様に、基準電圧線Vref3の電位低下のスピードは、転送2ビットが（1，0）の場合の特性cと（1，1）の場合の特性dとの中間スピードとなるので、基準電圧線Vref3の電位変化は特性gに示すようになる。
同样地，基准电压线 Vref3的电位降低速度是传输 2位为 (1，0)时的特性 c与为 (1，1)时的特性 d的中间速度，因此基准电压线Vref3的电位变化如特性 g所示。 - 中国語 特許翻訳例文集
破線は、基準電圧線Vref1が接続される正相内部ノードD1の電位変化であり、実線は、データ線10が接続される逆相内部ノード／D1の電位変化である。
虚线是连接有基准电压线 Vref1的正相内部节点 D1的电位变化，实线是连接有数据线 10的反相内部节点 /D1的电位变化。 - 中国語 特許翻訳例文集
破線は、基準電圧線Vref2が接続される正相内部ノードD2の電位変化であり、実線は、データ線10が接続される逆相内部ノード／D2の電位変化である。
虚线是连接有基准电压线 Vref2的正相内部节点 D2的电位变化，实线是连接有数据线 10的反相内部节点 /D2的电位变化。 - 中国語 特許翻訳例文集
破線は、基準電圧線Vref3が接続される正相内部ノードD3の電位変化であり、実線は、データ線10が接続される逆相内部ノード／D3の電位変化である。
虚线是连接有基准电压线 Vref3的正相内部节点 D3的电位变化，实线是连接有数据线 10的反相内部节点 /D3的电位变化。 - 中国語 特許翻訳例文集
期間t4でリセットパルスRSTが“H”レベルとなり、リセットトランジスタ23がオン状態になることによってFD部26のみをリセットし、期間t5で選択電源電位SELVDDが“L”レベルになり、FD部26の電位を増幅トランジスタ24の閾値よりも低い電位とすることで、当該増幅トランジスタ24がオフして画素を非選択状態とする。
在时段 t4，通过使得复位脉冲 RST为“H”电平并且使得复位晶体管 23处于导通状态，仅仅复位 FD区 26，并且在时段 t5，通过使得选择电源电势 SELVDD为“L”电平并且使得FD区 26的电势低于放大晶体管 24的阈值，放大晶体管 24被关断，以使得像素处于未选定状态。 - 中国語 特許翻訳例文集
図4の画素に光子が入射している場合、後者の信号は前者より低電位となり、出力端子SAOUTに「0」が出力される。
当将光子输入到图 4中的像素时，后面的信号在电势上低于前面的信号，使得将“0”输出到输出端子 SAOUT。 - 中国語 特許翻訳例文集
光電変換装置100は、このときの出力線141の電位を基準信号として、第3の出力部106から出力する。
在该状态中，作为来自光电转换装置 100的第三输出单元 106的基准信号，输出线 141的电势被输出。 - 中国語 特許翻訳例文集
光電変換装置100は、このときの出力線141の電位を最大値として、第3の出力部106から出力する。
作为结果，从光电转换装置 100的第三输出单元 106输出这种状态下的输出线 141上的电势作为最大值。 - 中国語 特許翻訳例文集
光電変換装置100は、このときの出力線141の電位を最小値として、第3の出力部106から出力する。
作为结果，从光电转换装置 100的第三输出单元 106输出这种状态下的输出线 141上的电势作为最小值。 - 中国語 特許翻訳例文集
ところで、図2や4において、基準信号検出期間までの間の出力線141の電位は不定状態にある。
在图 2或图 4中，输出线 141处于电势不安定状态，直到电势具有安定的值的基准信号检测周期开始。 - 中国語 特許翻訳例文集
光電変換装置600は、この時の共通出力線605の電位を基準信号として第3の出力部106から出力される。
在该状态中，从光电转换装置 600的第三输出单元 106输出共用输出线 605的电势作为基准信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
光電変換装置600は、このときの共通出力線605の電位を最大値として、第3の出力部106から出力する。
作为结果，从光电转换装置 600的第三输出单元 106输出这种状态下的共用输出线 605上的电势作为最大值。 - 中国語 特許翻訳例文集
この構成では、光電変換素子811が光を受けると、差動アンプ114の非反転入力端子の電位が低下していく。
在该配置中，当光电转换元件 811接收光时，差分放大器 114的非反相输入端子的电势降低。 - 中国語 特許翻訳例文集
各スイッチSW1−1〜SW1−xの端子aにそれぞれ基準電位VSS、たとえばグランドGNDに接続された電流源I1−1〜I1−xが接続されている。
连接到地 GND的基准电势 VSS，例如电流源 I1-1至 I1-x，分别连接至开关 SW1-1至 SW1-x的端子 a。 - 中国語 特許翻訳例文集
この水平線（HL1および2）301および302には、リセット電位線311および312と、画素リセット線321および322と、電荷転送線331および332とが含まれる。
水平线 (HL1和 HL2)组 301和 302分别包括复位电势线 311和 312、像素复位线 321和 322、以及电荷传输线 331和 332。 - 中国語 特許翻訳例文集
第2負荷トランジスタ624ソース端子には、第2負荷トランジスタ624のソース単位の電位変動が示されている。
第二负载晶体管 624的源极端子示出第二负载晶体管 624的源极端子的电势改变。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図25】閾値補正動作の完了から信号電位の書込開始までの動作に対応するサブ画素の等価回路を示す図である。
图 25是显示了与从所述阈值校正操作的完成到写入信号电位的起始的操作对应的子像素的等效电路的图； - 中国語 特許翻訳例文集
なお、その駆動タイミングと駆動トランジスタN2の電位状態の変化は、前述した図15及び図16を参考に説明する。
将参考上面图 15A至 15E和图 16A至 16E说明所述驱动晶体管 N2的驱动时序和电位状态的变化。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、このサンプリングトランジスタN1のオン動作に同期して、信号線DTLには初期化電位Vofs_Hが印加される。
与所述采样晶体管 N1的导通操作同步地将所述初始化电位 Vofs_H施加给信号线 DTL。 - 中国語 特許翻訳例文集
なお、ソース電位Vsが、有機EL素子OLEDの閾値電圧Vth(oled)を越えるまでは、有機EL素子OLEDの消灯状態が維持される。
所述有机 EL器件 OLED的熄灭状态被维持直到所述源极电位 Vs超过所述有机 EL器件 OLED的阈值电压 Vth(oled)。 - 中国語 特許翻訳例文集
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