「電位」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

通常、ステレオ出力信号は、出力回路12の端子15で供給される信号接地電位に関して1つの極性を有する電気信号である。

立体声输出信号通常是相对于在输出电路 12的端子 15提供的信号地具有单一极性的电信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

通常、出力回路12は、端子15における信号接地電位に関して正の電圧を有するステレオ出力信号を出力端子13、14から供給する。

通常，输出电路 12在输出 13、14处提供相对于端子 15的信号地具有正电压的立体声输出信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

書込制御線駆動部37は、書込制御線WSLを通じて、信号線電位のサブ画素51への書き込みを線順次に制御する駆動デバイスである。

所 述 写 控 制 线 驱 动 单 元 37 是 控 制 通 过 写 控 制 线 WSL 按 行 的 顺 序(line-sequentially)向子像素 51写入信号线电位的驱动装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

発光期間では、非発光期間に書き込まれた信号電位Vsigに基づいて、有機EL素子OLEDを点灯させる動作と、当該点灯を一時的に停止させる動作（すなわち、消灯動作）とが実行される。

在所述发光时段中，基于非发光时段写入的信号电位 Vsig执行点亮所述有机 EL器件 OLED的操作和暂时停止点亮的操作 (即，熄灭操作 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

前述した形態例の場合には、信号電位Vsigの書き込み動作が最後に終了する水平ラインの待ち時間TMをゼロに設定する場合について説明した。

在上面的实施例中，已经说明了信号电位 Vsig的写操作被最后完成的水平线的等待时间 TM被设置为 0(zero)的情况。 - 中国語 特許翻訳例文集

ドレイン41は、一定の電位が設定される拡散領域であり、ドレイン41に信号電荷が入力されると、この信号電荷は電流としてドレイン41に接続された電極を介して外部に排出される。

漏极门 40为设定有一定的电位的扩散区，一旦信号电荷向漏极 41输入，就能够将该信号电荷作为电流通过与该漏极 41连接的电极向外部排出。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号電荷（図中丸印で表示）は、この電位井戸における極小点に蓄積され、図示されるように、この極小点が順次移動することによって信号電荷が左側から右側に高効率で転送される。

信号电荷 (图中用圆圈表示 )，在该电位阱的极小点积蓄，如图所示的那样，随着该极小点依次切换，从左侧向右侧高效地传输信号电荷。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号電荷は、この電位井戸における極小点に蓄積され、図示されるように、この極小点が順次移動することによって信号電荷が左側から右側に転送される。

信号电荷在该电位阱的极小点积蓄，如图所示的那样，随着该极小点依次切换，信号电荷从左侧向右侧传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図25】動作例1の場合の完全転送期間および電子シャッタ期間における電位関係および詳細なタイミング関係を示すタイミングチャートである。

图 25是示出了在操作实例 1的情形中在完全转移时段和电子快门时段中的电势关系和具体的时序关系的时序图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図27】動作例2の場合の中間転送期間および電子シャッタ期間における電位関係および詳細なタイミング関係を示すタイミングチャートである。

图 27是出了在操作实例 2的情形中在中间转移时段和电子快门时段中的电势关系和具体的时序关系的时序图； - 中国語 特許翻訳例文集

次いで、期間t11の後半部分の期間t12でリセットパルスRSTが“H”レベルになることによってFD部26をリセットし、次いで選択パルスSELが“H”レベルになることによってFD部26の電位をリセットレベルとして読み出す。

接着，在时段“t11”的后一半的时段“t12”通过使得复位脉冲 RST为“H”电平，复位 FD区 26，然后，通过使得选择脉冲 SEL为“H”电平，读出 FD区 26的电势作为复位电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間（3）では／φGRが一時的にハイレベルになるため、期間（3）が終了する時点で転送容量228の他方の端子は電気的浮遊状態（フローティング）になり、転送容量228にはVGR＋Ntの電位差が保持される。

由于在时段 (3)中信号 暂时上升到高电平，因此，当时段 (3)结束时传送电容 228的所述另一端子进入电气浮置状态，并且，电势差 VGR+Nt被存储在传送电容 228中。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送容量228の他方の端子はVGR−（N1＋Nt）の電位となるため、転送部201のノイズNtが加わって、出力端子203からは、光信号−S1が出力される。

由于传送电容 228的所述另一端子变为表达为 VGR-(N1+Nt)的电势，因此，传送部件 201的噪声 Nt与 -(S1+Nt)相加，因此，从输出端子 203输出光学信号 -S1。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間（3）では／φGRが一時的にハイレベルになるため、期間（3）が終了する時点で転送容量228の他方の端子は電気的浮遊状態（フローティング）になり、転送容量228にはVGR＋Ntの電位差が保持される。

由于信号 在时段 (3)中暂时上升到高电平，因此，当时段 (3)结束时，传送电容 228的所述另一端子进入电气浮置状态，并且，电势差 VGR+Nt被存储在传送电容 228中。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送容量228の他方の端子はVGR−（N1＋Nt）の電位となるため、転送部201のノイズNtが加わって、出力端子203からは、光信号−S1が出力される。

由于传送电容 228的所述另一端子获得表达为 VGR-(N1+Nt)的电势，因此，传送部件 201的噪声 Nt与 -(S1+Nt)相加，使得从输出端子 203输出光学信号 -S1。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図23】図23は、2列2ビット転送時のデータ線および画像データ受信回路内での3つの基準電圧線での電位変化を説明する波形図である。

图 23是说明 2列 2位传输时的数据线和图像数据接收电路内的 3个基准电压线的电位变化的波形图。 - 中国語 特許翻訳例文集

データ転送回路18aは、2ビット（Dn＋1，Dn）の4通りの組み合わせ（0．0）（0，1）（1，0）（1，1）のいずれか一つを転送するが、図7（4）では、その4通りの組み合わせを転送するときのデータ線10の電位変化の特性a，b，c，dが示されている。

数据传输电路 18a传输 2位 (Dn+1、Dn)中 4种组合 (0，0)、(0，1)、(1，0)、(1，1)中的某个，而在图 7(4)中示出了传输这 4种组合时数据线 10的电位变化特性 a、b、c、d。 - 中国語 特許翻訳例文集

データ転送回路18cは、1ビットの2値“0”“1”のいずれか一つを転送するが、図16（4）では、その2値“0”“1”を転送するときのデータ線10の電位変化の特性h，iが示されている。

数据传输电路 18c传输 1位的 2值“0”、“1”中的某个，而在图 16(4)中表示出传输该 2值“0”、“1”时数据线 10的电位变化的特性 h，i。 - 中国語 特許翻訳例文集

データ転送回路18dは、2ビット（Dn＋1，Dn）の4通りの組み合わせ（0．0）（0，1）（1，0）（1，1）のいずれか一つを転送するが、図23（4）では、その4通りの組み合わせを転送するときのデータ線10の電位変化の特性o，p，q，rが示されている。

数据传输电路 18d传输 2位 (Dn+1，Dn)中 4种组合 (0，0)、(0，1)、(1，0)、(1，1)中的某个，图 23(4)中表示出传输这 4种组合时数据线 10的电位变化特性 o、p、q、r。 - 中国語 特許翻訳例文集

この比較例1は、非常に強力な過大光が入射した場合に、アナログ的にリセット信号が下降しない様に垂直信号線の電位を制御する一例に関する。

该比较例 1涉及在入射了极强光的情况下将垂直信号线的电位模拟地控制成不会使复位信号下降的一例。 - 中国語 特許翻訳例文集

続いて、時刻t01〜t02の間、参照電圧VREFを電圧降下させてオートゼロ積分を開始し、オートゼロによりリセット信号を取得し、コンパレータ108の基準電位を取得する。

接着，在时刻 t01～ t02之间，使参照电压 VREF的电压下降，以开始自动调零积分，通过自动调零来取得复位信号，取得比较器 108的基准电位。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、バイアス回路から生成したある閾値電圧を参照電圧としてリセット信号制御用コンパレータへ入れ、リセット信号との電位比較を行う。

在该情况下，将从旁路电路生成的某个阈值电压作为参照电压而输入到复位信号控制用比较器中，来与复位信号进行电位比较。 - 中国語 特許翻訳例文集

列回路としての負荷回路150は、画素の列配列に対応して各垂直信号線116−1〜116−nにドレインが接続され、ソースが基準電位VSSに接続された機能部としての負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nを有する。

用作列电路的负载电路 150包括与像素列相关联的负载 MOS晶体管 151-1至151-n，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n在其漏极分别连接至垂直信号线 116-1至 116-n，并且在其源极连接至基准电势 VSS。 - 中国語 特許翻訳例文集

さて、この移動度補正動作の完了後も電源制御トランジスタN3のオン状態が継続すると、駆動トランジスタN2のソース電位Vsが有機EL素子OLEDの閾値電圧Vth(oled)を越えるまで上昇し、有機EL素子OLEDの点灯が開始される。

当电力供应控制晶体管 N3的导通状态在完成所述迁移率校正操作之后继续时，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs被增加到超过所述有机 EL器件 OLED的阈值电压Vth(oled)，并开始所述有机 EL器件 OLED的点亮。 - 中国語 特許翻訳例文集

このため、共通出力線8または9の電位は差動増幅回路4または6の仮想接地により差動増幅回路の非反転入力端子と等しくなり、出力端子POUTまたはBOUTから出力される信号からは、MOSトランジスタ5または7で生じる電圧降下の影響が低減される。

这导致由 MOS晶体管 5或 7引起的电压降对于从输出端子 POUT或BOUT输出的信号的影响减小。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御部106は、撮影モードへの移行が通知されると放射線検出待ち状態に移行し、スキャン信号制御回路104を制御して、図12に示すように、スキャン信号制御回路104から各走査配線101にOFF信号（電位Vglの信号）を出力させる。

当被通知转变到成像模式时，控制部 106转变到放射线检测等待状态。 然后，控制部 106控制扫描信号控制电路 104，并且如图 12所示，从扫描信号控制电路 104向各条扫描线 101输出断开信号 (电压 Vgl信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間t14では、選択パルスSELが“H”レベルになることによって転送された電子の量に応じたFD部26の電位を信号レベルとして読み出し、必要に応じて、期間t12で読み出したリセットレベルを用いて、例えばカラム回路16においてノイズキャンセル処理を行う。

在时段 t14，通过使得选择脉冲 SEL为“H”电平，根据被转移电子的量的 FD区 26的电势被读出，作为信号电平，并且如果需要的话，使用在时段 t12读出的复位电平，在例如列电路 16中执行噪音消除处理。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOSトランジスタ41は常時オンしているので、制御信号線21の放電が行われ、制御信号線21の電位が低下し論理整合回路48の閾値を過ぎるタイミングで、図7（3）に示すように、制御端47に制御信号が現れる。

由于 NMOS晶体管 41始终是导通的，因此进行控制信号线 21的放电，在控制信号线 21的电位下降且通过了逻辑匹配电路 48的阈值的定时，如图 7(3)所示，控制端 47显现出控制信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

図8（4）では、データ転送回路18aが、2ビット（Dn＋1，Dn）の4通りの組み合わせ（0．0）（0，1）（1，0）（1，1）のいずれか一つを転送する場合として、転送2ビットが（0，1）である場合の図7（4）に示したデータ線10の電位変化の特性bと、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の特性e，f，gとが示されている。

图 8(4)中表示出作为数据传输电路 18a传输 2位 (Dn+1，Dn)的 4种组合 (0，0)、(0，1)、(1，0)、(1，1)的某个的情况，当传输 2位为 (0，1)时的图 7(4)所示的数据线 10的电位变化特性 b和基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3的特性 e、f、g。 - 中国語 特許翻訳例文集

各基準電圧駆動回路19aは、図4に示す構成によって、画像データ受信回路6aに接続される3本の基準電圧線（Vref1，Vref2，Vref3）11aを、列選択回路5bからの列選択信号に従って並列に駆動し、図7（4）のに示す特性e，f，gの電位変化を起こさせる。

各基准电压驱动电路 19a使用图 4所示构成，按照来自列选择电路 5b的列选择信号，并行驱动与图像数据接收电路 6a连接的 3条基准电压线 (Vref1、Vref2、Vref3)11a，引起图 7(4)所示的特性 e、f、g的电压变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、データ転送回路18bは、列方向の隣り合う2ビット（Dn＋1，Dn）毎の4通りの組み合わせ（0，0）（0，1）（1，0）（1，1）について、データ転送回路18aと完全に同じゲート幅Wでもってデータ線10を駆動できるので、図7（4）に示す特性a，b，c，dの電位変化を起こさせる。

也就是说，数据传输电路 18b对于列方向的相邻每 2位 (Dn+1，Dn)的 4种组合 (0，0)、(0，1)、(1，0)、(1，1)，能通过与数据传输电路18a完全相同的栅极宽度W驱动数据线10，因此能引起图 7(4)所示的特性 a、b、c、d的电位变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

図23（1）（2）において、列選択信号が出力される時間間隔の期間におけるプリチャージ信号により、プリチャージ回路80，49がオンし、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3がVDD／2にプリチャージされ、制御信号線21が電源電位VDDにプリチャージされる。

在图 23(1)、(2)中，通过输出列选择信号的时间间隔的期间中的预充电信号，使得预充电电路 80、49接通，数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3被预充电至 VDD/2，控制信号线 21被预充电至电源电位 VDD。 - 中国語 特許翻訳例文集

図24（4）では、データ転送回路18dが、2ビット（Dn＋1，Dn）の4通りの組み合わせ（0．0）（0，1）（1，0）（1，1）のいずれか一つを転送する場合として、転送2ビットが（0，1）である場合の図23（4）に示したデータ線10の電位変化の特性pと、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の特性s，t，uとが示されている。

图 24(4)中，作为数据传输电路 18d传输 2位 (Dn+1，Dn)中 4种组合 (0，0)、(0，1)、(1，0)、(1，1)中的某个的情况，表示出传输 2位为 (0，1)时图 23(4)所示的数据线 10的电位变化的特性 p、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3的特性 s、t、u。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後リセット信号と比較して参照電圧VREFが同電位になったところでコンパレータが反転し、その時間までのカウンタ111に入力したクロック数をカウントし、そのカウント値をリセット信号として取得する。

之后与复位信号相比，参照电压 VREF成为同电位的情况下，比较器反转，对在该时间为止输入到计数器 111的时钟数进行计数，取得该计数值，作为复位信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

上記のように、比較例1，2に係る構成およびその制御動作は、いずれも非常に強力な過大光が入射された場合（b）、リセットレベル取得時の垂直信号線VSLの電位をモニターし、画素信号をAD変換する前に信号制御を行う。

如上所述，比较例 1、2的结构及其控制动作均在入射了极强光的情况下 (b)，对复位电平取得时的垂直信号线 VSL的电位进行监视，在将像素信号进行模数变换之前进行信号控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

また更に、この場合において、第1の水平ラインの点灯開始から信号電位の書き込みが最後に完了する第2の水平ラインの点灯終了までの期間で与えられる各フレームの表示期間が、隣接するフレームの間で重複しないように、待ち時間および点灯時間が設定されることが望ましい。

此外，在此情况中，优选地，所述等待时间和所述点亮时段被设置为使得从点亮所述第一水平线开始到点亮信号电位的写入最后完成的第二水平线结束的时段期间给出的各个帧的显示时段在相邻帧之间不重叠。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御部106は、待機状態の場合、スキャン信号制御回路104を制御して、図11に示すように、スキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号（電位VgHの信号）を出力させ、各走査配線101に接続された各TFTスイッチ4を1ラインずつ順にONさせて電荷の取り出しを行う。

当处于待机状态下时，控制部 106控制扫描信号控制电路 104，并且如图 11所示，从扫描信号控制电路 104每次一条线顺序地向各条扫描线 101输出导通信号 (电压 VgH信号 )。 然后，控制部 106每次一条线顺序地将连接到各条扫描线 101的各 TFT开关 4切换为导通，并且读出电荷。 - 中国語 特許翻訳例文集

画像データ受信回路6bは、1ビット転送であるから、例えば図15に示すように、データ線10毎に1つの差動増幅回路を備え、それぞれ、1本のデータ線10および1本の基準電圧線Vrefの電位変化に対応する1ビットの2値を判別可能に内部ノードに発生し信号処理回路7に出力する。

图像数据接收电路 6b进行 1位传输，因而例如图 15所示，对每条数据线 10设置1个差动放大电路，以能判别的方式分别在内部节点产生与 1条数据线 10和 1条基准电压线 Vref的电位变化对应的 1位的 2值并输出给信号处理电路 7。 - 中国語 特許翻訳例文集

後述する比較例では、ある時間に入るクロック数をカウントして画素信号をデジタル変換するCMOSセンサにおいて、非常に強力な過大光が入射した場合、リセット信号が下降しない様に垂直信号線の電位をアナログ的に制御する方法で画素信号をAD変換する前に信号制御を行っている。

在后述的比较例中，在将进入到某时间的时钟数进行计数来将像素信号进行数字变换的 CMOS传感器中，在入射了极强光的情况下，在通过将垂直信号线的电位以复位信号不会降低的方式进行模拟控制的方法中，在对像素信号进行模数变换之前进行信号控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

図示するように、時刻t2の際に、非常に強力な過大光が入射した場合（b）には、画素リセット信号が下降してしまうが、そのリセット信号の下降が非常に大きい場合、通常時（a）と非常に強力な過大光が入射した時（b）とでオートゼロ（リセット）信号レベルが大幅に異なってしまい、その結果、コンパレータの基準電位が異なってしまう事が懸念される。

如图所示，在时刻 t2时，在入射了极强光时 (b)，像素复位信号下降，但是在该复位信号的下降非常大的情况下，在通常时 (a)和入射了极强光时 (b)，自动调零 (复位 )信号电平大幅变化，其结果有可能导致比较器的基准电位不同。 - 中国語 特許翻訳例文集

この際、通常時（a）では、フローティングディフージョン部（FD）は遮光されており電位変動はほぼ無い為、リセット信号はオートゼロ時に取得したとほぼ等しい電圧が出るのでコンパレータ8は反転し、その時間までのクロックカウント値をカウンタ11でカウント（計測）することでリセットカウントが確定する。

此时，在通常时 (a)，浮点扩散部 (FD)被遮光，电位变动几乎为零，由于复位信号出现与自动调零时所取得的电压几乎相等的电压，所以比较器 8反转，在该时间之前，通过由计数器 11对时钟计数值进行计数 (计测 )，由此来确定复位计数值。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、図示するように、時刻t1の際、リセットパルスが立ち上がりフォトダイオードから画素リセット信号が垂直信号線VSLに送られた後、コンパレータ108でのリセット信号検出期間中一定の基準閾値電圧以下にならないように、クランプイネーブル信号を”H”にしておき、垂直信号線VSLの電位をクランプさせておく。

例如，如图所示，在时刻 t1时，在复位脉冲上升、并从光电二极管向垂直信号线VSL发送像素复位信号之后，将钳位启用信号设为“H”来钳住垂直信号线 VSL的电位，以便在比较器 108中的复位信号检测期间不会成为一定的基准阈值电压以下。 - 中国語 特許翻訳例文集

上記のように、比較例1の構成およびその制御動作は、非常に強力な過大光が入射した場合（b）、アナログ的にリセット信号が下降しない様にリセット信号制御回路106が垂直信号線VSLの電位を制御する点で、上記実施形態および変形例と相違する。

如上所述，比较例 1的结构及其控制动作，在入射了非常过大的光的情况下 (b)，复位信号控制电路 106将垂直信号线 VSL的电位控制成使得复位信号不会模拟地下降，在这一点上，不同于上述实施方式和变形例。 - 中国語 特許翻訳例文集

第4の実施の形態に係る放射線画像撮影装置100では、上記第1の実施の形態と同様の流れで、スキャン信号制御回路104から各走査配線101にOFF信号（電位Vglの信号）を出力させると共に、X線検出回路130を制御して所定周期1HでX線検出回路130により放射線検出用配線120に流れる電気信号をデジタルデータに変換させて放射線の検出を行うサンプリングを繰り返す。

在根据第五示例性实施方式的放射线图像成像设备 100中，与上述第一示例性实施方式中的类似，控制部 106控制扫描信号控制电路 104，使得从扫描信号控制电路 104向各条扫描线 101输出断开信号 (电压 Vgl信号 )。 控制部 106还控制 X射线检测电路 130，使得以特定周期 1H执行重复采样，以通过 X射线检测电路 130将放射线检测线 120中流动的电信号转换成数字数据来检测放射线。 - 中国語 特許翻訳例文集

続いて、時刻t6の際、通常時（a）では、フローティングディフージョンFDは遮光されており電位変動はほぼ無いため、リセット信号は垂直信号線VSLにはオートゼロ期間（1）中に取得した信号とほぼ等しい電圧が読み出されるので、垂直信号線VSLと参照電圧VREFが等しくなった時にコンパレータ8は反転し、エッジ検出器10でその反転時のエッジを捉える事で、その時間までのクロックカウント（count clk）の値をカウント11でカウント（計測）することでき、リセットカウントが確定する。

接着，在时刻t6时，在通常时(a)，浮点扩散器FD被遮光，电位变动大致变无，所以复位信号向垂直信号线 VSL读取与在自动调零期间 (1)取得的信号大致相等的电压，所以在垂直信号线 VSL和参照电压 VREF变相等时比较器 8反转，通过在边缘检测器 10捕捉该反转时的边缘，能够在计数器 11对该时间为止的时钟计数 (count clk)的值进行计数 (计测 )，并确定复位计数。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのため、比較例1では、リセット信号制御回路106が配置され、画素アレイ102で取得した画素信号をコンパレータ108によって参照信号と比較する直前にリセット信号制御回路106を入れ、バイアス回路105から生成したある閾値電圧を信号制御回路106へ供給し、垂直信号線VSLから送られてくる画素リセット信号の電位を、あるタイミングで信号補正している。

因此，在比较例 1中，配置复位信号控制电路 106，利用比较器 108在将由像素阵列 102取得的像素信号和参照信号进行比较之前，放入复位信号控制电路 106，并将由旁路电路 105生成的某个阈值电压向信号控制电路 106供给，在某个定时，对从垂直信号线 VSL发送来的像素复位信号的电位进行信号校正。 - 中国語 特許翻訳例文集