「電位」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

【図18】完全転送期間および電子シャッタ期間における電位関係および詳細なタイミング関係を示すタイミングチャートである。

图 18是示出了在完全转移时段和电子快门时段中的电势关系和具体的时序关系的时序图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図19】中間転送期間における電位関係および詳細なタイミング関係を示すタイミングチャートである。

图 19是示出了在中间转移时段中的电势关系和具体的时序关系的时序图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図24】動作例1の場合の中間転送期間における電位関係および詳細なタイミング関係を示すタイミングチャートである。

图 24是示出了在操作实例 1的情形中在中间转移时段中的电势关系和具体的时序关系的时序图； - 中国語 特許翻訳例文集

期間T3の場合は、期間t1でFD部26の電位をリセットレベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 T3的情形中，在时段 t1，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势，作为复位电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間T3の場合は、期間t3でFD部26の電位を信号レベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 T3的情形中，在时段 t3，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势作为信号电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間S3の場合は、期間t1でFD部26の電位をリセットレベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 S3的情形中，在时段 t1，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势，作为复位电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間S3の場合は、期間t3でFD部26の電位を信号レベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 S3的情形中，在时段 t3，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势作为信号电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図7】図7は、2列2ビット転送時のデータ線および3つの基準電圧線での電位変化を説明する波形図である。

图 7是说明 2列 2位传输时的数据线和 3个基准电压线的电位变化的波形图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図8】図8は、2ビットデータを受け取る3つの差動増幅回路の各2つのノードにおける電位変化を説明する波形図である。

图 8是说明接受 2位数据的 3个差动放大电路的各 2个节点处的电位变化的波形图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図16】図16は、1ビット転送時のデータ線および基準電圧線の電位変化を説明する波形図である。

图 16是说明 1位传输时的数据线和基准电压线的电位变化的波形图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図17】図17は、ビット“1”転送時の差動増幅回路の内部ノードの電位変化を説明する波形図である。

图 17是说明位“1”传输时的差动放大电路的内部节点的电位变化的波形图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図18】図18は、ビット“0”転送時の差動増幅回路の内部ノードの電位変化を説明する波形図である。

图 18是说明位“0”传输时的差动放大电路的内部节点的电位变化的波形图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図24】図24は、2ビットデータを受け取る3つの差動増幅回路の各2つのノードにおける電位変化を説明する波形図である。

图 24是说明接受 2位数据的 3个差动放大电路的各 2个节点处电位变化的波形图。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図7は、2列2ビット転送時のデータ線および3つの基準電圧線での電位変化を説明する波形図である。

并且，图 7是说明 2列 2位传输时的数据线和 3个基准电压线的电位变化的波形图。 - 中国語 特許翻訳例文集

図8は、2ビットデータを受け取る3つの差動増幅回路の各2つのノードにおける電位変化を説明する波形図である。

图 8是说明接受 2位数据的 3个差动放大电路的各 2个节点处的电位变化的波形图。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、図7（4）では、基準電圧駆動回路19aが駆動する基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の電位変化の特性e，f，gが示されている。

另外，图7(4)中表示出基准电压驱动电路19a所驱动的基准电压线Vref1、Vref2、Vref3的电位变化的特性 e、f、g。 - 中国語 特許翻訳例文集

図8（5）は、データ線10と基準電圧線Vref1とが接続される差動増幅回路45aの内部ノード（D1，／D1）の電位変化を示している。

图 8(5)表示连接有数据线 10和基准电压线 Vref1的差动放大电路 45a的内部节点 (D1、/D1)的电位变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

図8（6）は、データ線10と基準電圧線Vref2とが接続される差動増幅回路45bの内部ノード（D2，／D2）の電位変化を示している。

图 8(6)表示连接有数据线 10和基准电压线 Vref2的差动放大电路 45b的内部节点 (D2、/D2)的电位变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

図8（6）は、データ線10と基準電圧線Vref3とが接続される差動増幅回路45cの内部ノード（D3，／D3）の電位変化を示している。

图 8(7)表示连接有数据线 10和基准电压线 Vref3的差动放大电路 45c的内部节点 (D3、/D3)的电位变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

図16は、1ビット転送時のデータ線および基準電圧線の電位変化を説明する波形図である。

图 16是说明 1位传输时的数据线和基准电压线的电位变化的波形图。 - 中国語 特許翻訳例文集

図17は、ビット“1”転送時の差動増幅回路の内部ノードの電位変化を説明する波形図である。

图 17是说明位“1”传输时的差动放大电路内部节点的电位变化的波形图。 - 中国語 特許翻訳例文集

図18は、ビット“0”転送時の差動増幅回路の内部ノードの電位変化を説明する波形図である。

图 18是说明位“0”传输时的差动放大电路内部节点的电位变化的波形图。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図23は、2列2ビット転送時のデータ線および3つの基準電圧線での電位変化を説明する波形図である。

并且，图 23是说明 2列 2位传输时的数据线和 3个基准电压线的电位变化的波形图。 - 中国語 特許翻訳例文集

図24は、2ビットデータを受け取る3つの差動増幅回路の各2つのノードにおける電位変化を説明する波形図である。

图 24是说明接受 2位数据的 3个差动放大电路的各2个节点处的电位变化的波形图。 - 中国語 特許翻訳例文集

図24（5）は、データ線10と基準電圧線Vref1とが接続される差動増幅回路45aの内部ノード（D1，／D1）の電位変化を示している。

图 24(5)表示连接有数据线 10和基准电压线 Vref1的差动放大电路 45a的内部节点 (D1、/D1)的电位变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

図24（6）は、データ線10と基準電圧線Vref2とが接続される差動増幅回路45bの内部ノード（D2，／D2）の電位変化を示している。

图 24(6)表示连接有数据线 10和基准电压线 Vref2的差动放大电路 45b的内部节点 (D2、/D2)的电位变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

図24（6）は、データ線10と基準電圧線Vref3とが接続される差動増幅回路45cの内部ノード（D3，／D3）の電位変化を示している。

图 24(7)表示连接有数据线 10和基准电压线 Vref3的差动放大电路 45c的内部节点 (D3、/D3)的电位变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

本例の制御動作では、非常に強力な過大光が入射した時（b）であっても、垂直信号線VSLの電位制御は行なわない。

在本例的控制动作中，即使入射极强光时 (b)，也不进行垂直信号线 VSL的电位控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

非常に強力な過大光が入射した場合（b）、この第2の実施形態でも、垂直信号線VSLの電位制御は行なわない。

即使在该第 2实施方式中，在射入极强光时 (b)也不进行垂直信号线 VSL的电位控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

図示するように、上記と同様に、まず時刻t2〜t3の際、オートゼロによりリセット信号を取得し、コンパレータ8の基準電位を取得する。

如图所示，与上述同样，首先在 t2～ t3时，通过自动调零取得复位信号，取得比较器 8的基准电位。 - 中国語 特許翻訳例文集

このリセット信号が下降しない様に、リセット電圧取得時（時刻t3〜t7の期間）に垂直信号線VSLの電位を制御する。

在取得复位电压时 (时刻 t3～ t7的期间 )，控制垂直信号线 VSL的电位，以便该复位信号不会降低。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】図5のCMOSイメージセンサの高感度モードにおける画素の動作タイミング、リセット動作時における半導体基板内のポテンシャル電位および読み出し動作時のポテンシャル電位の一例を示す図。

图 6A为表示图 5的 CMOS图像传感器的高灵敏度模式下的像素的动作定时的时序图，图 6B为表示复位动作时的半导体衬底内的电势 (potential)电位和读出动作时的电势电位的一个例子的图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図7】図5のCMOSイメージセンサの低感度モードにおける画素の動作タイミング、リセット動作時における半導体基板内のポテンシャル電位および読み出し動作時のポテンシャル電位の一例を示す図。

图 7A为表示图 5的 CMOS图像传感器的低灵敏度模式下的像素的动作定时的时序图，图 7B为表示复位动作时的半导体衬底内的电势电位和读出动作时的电势电位的一个例子的图； - 中国語 特許翻訳例文集

図27に、動作例2の場合の中間転送期間S3′および電子シャッタ期間S5におけるフォトダイオード21とFD部26の電位関係および選択電源電位SELVDD、リセットパルスRSTおよび転送パルスTRGの詳細なタイミング関係を示す。

在图 27中，示出了操作实例 2的情形中，在中间转移时段 S3’和电子快门时段 S5中，光电二极管 21和 FD区 26的电势关系，以及选择电源电势 SELVDD、复位脉冲 RST和转移脉冲 TRG的具体时序关系。 - 中国語 特許翻訳例文集

データ転送回路18aと基準電圧駆動回路19aでも、列選択信号が出力されて高レベルである期間では、同様に、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の放電が行われ、電位が低下するが、それぞれの回路特性から、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の電位変化は、例えば図7（4）に示すようになる。

在数据传输电路 18a与基准电压驱动电路 19a中，在列选择信号被输出而处于高电平的期间内，同样地进行数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3的放电，虽然电位会下降，然而根据各自的电路特性，数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3的电位变化例如将成为图 7(4)所示那样。 - 中国語 特許翻訳例文集

したがって、画像データ受信回路6aの3つの差動増幅回路45a，45b，45cの各2つの内部ノードは、例えば図8（5）（6）（7）に示すように、相補的な電位関係を示すので、図9と同様に、列方向の隣り合う2ビット（Dn＋1，Dn）毎の4通りの組み合わせ（0，0）（0，1）（1，0）（1，1）を、正相内部ノードD3，D2，D1の電位（論理レベル）の組み合わせで特定することができる。

因此，例如图 8(5)、(6)、(7)所示，图像数据接收电路 6a的 3个差动放大电路 45a、45b、45c的各 2个内部节点表示出互补的电位关系，因此与图 9相同地，能通过正相内部节点 D3、D2、D1的电位 (逻辑电平 )的组合指定列方向的相邻每 2位 (Dn+1，Dn)的 4种组合(0，0)、(0，1)、(1，0)、(1，1)。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、後述する比較例1では、非常に強力な過大光が入射された場合、リセット信号レベル取得時の垂直信号線VSLの電位をモニターし、垂直信号線VSLの電位をアナログ的に制御する方法で画素信号をAD変換する前に信号制御を行なっている。

在此，在后述的比较例 1中，当入射了极强光时，在对复位信号电平取得时的垂直信号线 VSL的电位进行监视、并将垂直信号线 VSL的电位以模拟的方式进行控制的方法中，在对像素信号进行模数变换之前进行信号控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

選択トランジスタ（以下選択Trと呼ぶ）305a〜305cは、特定行を選択して画素ソースフォロアを作動させてFD電位を垂直出力線に読み出す。

选择晶体管 (下文中称为选择 Tr)305a至 305c选择特定行以使得像素源极跟随器 (称为像素 SF)306a至 306c能够将 FD电位读出到垂直输出线 204a至 204c上。 - 中国語 特許翻訳例文集

各ADC151は、ランプ波形のある参照信号SLCADCとカウンタ値が一対一の対応を取りながら変化することで垂直信号線116の電位（アナログ信号）Vslをデジタル信号に変換する。

随着带有斜坡波形的参照信号 SLP_ADC与计数值以一一对应关系变化，每个 ADC 151把垂直信号线 116的电势 (模拟信号 )Vs1转换为数字信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

セレクタ181は、第1入力が各スイッチSW0〜SWNの出力端子に接続され、第2入力が基準電位、たとえばグランドGNDに接続されている。

选择器 181具有连接至开关 SW0～ SWN的输出端的第一输入、以及连接至例如地GND的参照电势的第二输入。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合には、基準信号は最大値信号よりも高い電位となるので、基準信号検出期間の次に最小値検出期間に示した動作を行い、さらにその後に最大値検出期間に示した動作を行う。

在这种情况下，在基准信号检测周期之后执行最小值检测周期中的上述操作，然后执行最大值检测周期中的操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

最小値検出期間705ではスイッチ604がオンであるので、光電変換装置600は、このときの共通出力線605の電位を最小値として、第3の出力部106から出力する。

在该最小值检测周期 705中，开关 604的接通导致光电转换装置 600从第三输出单元 106输出在这种状态下的共用输出线 605上的电势作为最小值。 - 中国語 特許翻訳例文集

各カラム処理回路（ADC）61において、垂直信号線10に読み出されたアナログ信号（電位Vsl）が列毎に配置された比較器61−1で階段状に変化する参照信号RAMP（Vslop）と比較される。

在每个列处理电路 (ADC)61，读出到垂直信号线 10的模拟信号 (电势 Vs1)在布置在列中的比较器 61-1与逐步变化的基准信号 RAMP(Vslop)相比较。 - 中国語 特許翻訳例文集

ADC161は、参照信号RAMP（電位Vslop）の電圧の変化を時間の変化に変換するものであり、その時間をある周期(クロック)で数えることでデジタル値に変換する。

ADC 161把基准信号 RAMP(电势 Vslop)的电压的变化转换为时间变化 (时间间隔 )，并且该时间间隔使用一定时间段 (时钟 )来计数，以将其转换为数字值。 - 中国語 特許翻訳例文集

各カラム処理回路（ADC）161において、垂直信号線116に読み出されたアナログ信号電位VSLが列毎に配置された比較器162で参照信号RAMPと比較される。

在每个列处理电路 (ADC)161中，读出到垂直信号线 116的模拟信号电势 VSL在布置在列中的比较器 162处与基准信号 RAMP相比较。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、リセットトランジスタ413は、そのゲート端子が画素リセット線321および322に接続され、そのドレイン端子がリセット電位線311および312に接続される。

此外，复位晶体管 413使其栅极端子连接到像素复位线 321和 322，并且使其漏极端子连接到复位电势线 311和 312。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、増幅トランジスタ414は、そのドレイン端子が電源電位線415に接続され、そのソース端子が垂直信号線（VSL1および2）501および502に接続される。

此外，放大晶体管 414使其漏极端子连接到电源电势线 415，并且使其源极端子连接到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここでは、横軸を共通の時間軸として、クロック端子103、水平同期端子102、アドレス線201、画素リセット線321および電荷転送線331における電位変動が実線により示されている。

这里，在水平轴表示时间轴的情况下，通过实线示出时钟端子 103、水平同步端子102、地址线 201、像素复位线 321和电荷传输线 331的电势中的改变。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、このような長期的な電位低下は、設定トランジスタ611から負荷トランジスタゲート線612へのチャンネルリーク電流によって抑制されると考えられる。

然而，这样的长期下降有可能被从设置晶体管 611到负载晶体管栅极线 612的沟道漏电流抑制。 - 中国語 特許翻訳例文集

この例では、1行読み出し期間における垂直信号線（VSL1）501、第2負荷トランジスタゲート線622、第2負荷トランジスタ624のソース端子および負荷トランジスタゲート線612における電位変動が示されている。

在该示例中，示出了在一行读出时段期间垂直信号线 (VSL1)501、第二负载晶体管栅极线622、第二负载晶体管624的源极端子、以及负载晶体管栅极线612的电势中的改变。 - 中国語 特許翻訳例文集