「晶体」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

所有复位晶体管 200的栅极在每一像素 210行内连接在一起。

全てのリセットトランジスタ200のゲートは、画素210の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

所有复位晶体管 300的栅极在每一像素 310行内连接在一起。

全てのリセットトランジスタ300のゲートは、画素310の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

所有复位晶体管 100的栅极在每一像素110行内连接在一起。

全てのリセットトランジスタ100のゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

所有复位晶体管 101的栅极在每一像素 110行内连接在一起。

全てのリセットトランジスタ101のゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 4a及图 4b展示本发明的添加了行选择晶体管 112的替代实施例。

図4a及び図4bは、行選択トランジスタ112を加えられた本発明の代替の実施形態を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

除添加了行选择晶体管外，这些实施例与图 3相同。

これらの実施形態は、行選択トランジスタが付加された点を除いて、図3と同じである。 - 中国語 特許翻訳例文集

重置晶体管 Tr2连接在行选择信号 和浮置扩散 22之间。

リセットトランジスタTr2は、行選択信号φSELとFD22との間に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

负载 MOS晶体管 105是对于各个垂直输出线 102设置的。

負荷MOSトランジスタ105は垂直出力線毎に設けられ、ゲートが共通に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

此时，包含 MOS晶体管 221和恒流源 225的源跟随器的输出为 VRS。

このとき、MOSトランジスタ221と定電流源225とで構成されるソースフォロワの出力はVRSである。 - 中国語 特許翻訳例文集

然后，选定的像素行的选择脉冲 SEL被激活，以接通选择晶体管 25。

その後、選択行の選択パルスSELをアクティブとすることで、選択トランジスタ25がオンする。 - 中国語 特許翻訳例文集

然后，选择脉冲 SEL被禁止以关断选择晶体管 25。

しかる後、選択パルスSELを非アクティブにし、選択トランジスタ25をオフさせる。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 27、28的栅极宽度 W分别都为 4μm。

直列接続される2つのNMOSトランジスタ27，28のゲート幅Wは、それぞれ同じ4μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

所串联连接的 2个NMOS晶体管 33、34的栅极宽度 W都为 3μm。

直列接続される2つのNMOSトランジスタ33，34のゲート幅Wは、それぞれ同じ3μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

所串联连接的 2个 NMOS晶体管 35、36的栅极宽度 W都为 5μm。

直列接続される2つのNMOSトランジスタ35，36のゲート幅Wは、それぞれ同じ5μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 40、41的栅极宽度 W都为 7μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ40，41のゲート幅Wは、それぞれ同じ7μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管30、31的栅极宽度 W分别都为 1μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ30，31のゲート幅Wは、それぞれ同じ1μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接，处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。

基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75，76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 78、79中漏极端子与基准电压线Vref3连接的 NMOS晶体管 78的栅极端子被输入列选择信号，处于 NMOS晶体管 78的源极端子与电路接地端之间的 NMOS晶体管 79的栅极端子与电源 77连接。

また、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ78，79のうち、基準電圧線Vref3にドレイン端子が接続されるNMOSトランジスタ78のゲート端子には、列選択信号が入力され、NMOSトランジスタ78のソース端子とグランドとの間に介在するNMOSトランジスタ79のゲート端子は、電源77に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，停止将选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。

また、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加が停止される。 - 中国語 特許翻訳例文集

首先，在时刻 t1时，将复位脉冲 RST设为“H”电平，使复位晶体管 RSTTr导通。

まず、時刻t1の際、リセットパルスRSTが”H”レベルとされ、リセットトランジスタRSTTrがオンとされる。 - 中国語 特許翻訳例文集

这增大了流向 N沟道 MOS晶体管 15的参考电流 Iref0的值。

その結果、NチャネルMOSトランジスタ15を流れる参照電流Iref0の値が大きくなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

这减小了流向 N沟道 MOS晶体管 15的参考电流 Iref0的值。

その結果、NチャネルMOSトランジスタ15を流れる参照電流Iref0の値が小さくなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分输入信号的一个信号 IN1进入 P沟道 MOS晶体管 21的栅极。

PチャネルMOSトランジスタ21のゲートには、差動入力信号の一方の信号IN1が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分输入信号的另一个信号 IN2进入 P沟道 MOS晶体管 22的栅极。

PチャネルMOSトランジスタ22のゲートには、差動入力信号の他方の信号IN2が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

像素哑放大晶体管 117具有连接至电源线 LVDDAMP的漏极、以及连接至像素哑选择晶体管 118的漏极的源极。

画素ダミーアンプトランジスタ117のドレインが電源ラインLVDDAMPに接続され、ソースが画素ダミー選択トランジスタ118のドレインに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

光子晶体波导是可以用来引导光子晶体带隙的特定波长范围内的光学信号的光学传输路径。

フォトニック結晶導波路は、フォトニック結晶バンドギャップの特定の波長範囲内の光信号を導くために使用することができる光伝送路である。 - 中国語 特許翻訳例文集

最大值检测NMOS晶体管 116的漏极端子与电源 VDD连接。 最大值检测 NMOS晶体管 116的源极端子与差分放大器 115的反相输入端子连接并且与最大值检测开关 117连接。

最大値検出用NMOSトランジスタ116のドレイン端子は電源VDDに接続され、ソース端子は差動アンプ115の反転入力端子および最大値検出用スイッチ117と接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

最小值检测PMOS晶体管 119的漏极端子与电源 VDD连接。 最小值检测 PMOS晶体管 119的源极端子与差分放大器 118的反相输入端子连接，并且还与最小值检测开关 120连接。

最小値検出用PMOSトランジスタ119のドレイン端子は電源VDDと接続され、ソース端子は差動アンプ118の反転入力端子および最小値検出用スイッチ120と接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在水平扫描时间周期中，首先，复位晶体管 104-1和104-2以及选择晶体管 106-1和 106-2被接通，以便分别复位转换区域 103-1和 103-2的电压。

1水平走査期間内において、まず、変換領域103−1、103−2の電圧をリセットするために、リセットトランジスタ104−1、104−2および選択トランジスタ106−1、106−2がオン状態にされる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 4中，放大电路 42被布置在选择晶体管 41之后，即，对于每一列布置一个放大电路 42，但是放大电路 42可以布置在选择晶体管 41之前。

なお、図4において選択トランジスタ41の後段に増幅回路42を配置している、すなわち1列あたりに1個の増幅回路42を配置しているが、選択トランジスタ41の前段に増幅回路42を配置しても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

控制信号 (地址信号或选择信号 )SEL经由选择控制线 LSEL供给至选择晶体管115的栅极，来导通选择晶体管 115。

そして、選択制御線LSELを通して制御信号（アドレス信号またはセレクト信号)SELが選択トランジスタ115のゲートに与えられ、選択トランジスタ115がオンする。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOS晶体管 NT311的栅极构成第一信号输入端子，而 NMOS晶体管 NT312的栅极构成第二信号输入端子。

そして、NMOSトランジスタNT311のゲートにより第1の信号入力端子が形成され、NMOSトランジスタNT312のゲートにより第2の信号入力端子が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

也就是说，在连接时段期间，负载晶体管栅极线 612示出与现有技术的负载晶体管栅极线 872的波形相似的波形。

すなわち、負荷トランジスタゲート線612に示される波形は、接続期間において従来負荷トランジスタゲート線872と同様の波形を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

然而，这样的长期下降有可能被从设置晶体管 611到负载晶体管栅极线 612的沟道漏电流抑制。

しかしながら、このような長期的な電位低下は、設定トランジスタ611から負荷トランジスタゲート線612へのチャンネルリーク電流によって抑制されると考えられる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另一方面，第二负载晶体管 624使其漏极端子连接到垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502，并且使其源极端子连接到负载晶体管 614的漏极端子。

また、第2負荷トランジスタ624は、そのドレイン端子が垂直信号線（VSL1または2）501または502に接続され、そのソース端子が負荷トランジスタ614のドレイン端子に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二负载晶体管 624将与流过参考晶体管 691的参考电流相当的负载电流提供到垂垂直信号线 (VSL1或VSL2)501或 502。

この第2負荷トランジスタ624は、基準トランジスタ691に流れる基準電流に応じた負荷電流を垂直信号線（VSL1または2）501または502に供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

选择晶体管 56根据从时序控制部分 26提供的驱动信号 SEL，接通 /切断从放大晶体管 55到垂直信号线 57的电压信号的输出。

選択トランジスタ56は、タイミング制御部26から供給される駆動信号SELに従って、増幅トランジスタ55からの電圧信号の垂直信号線57への出力をオン／オフする。 - 中国語 特許翻訳例文集

而且，由于电压缓和晶体管 202p的漏极电压及栅极电压分别为“VTT-Vα”、“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p的端子间电压比“VTT”低。

また、電圧緩和トランジスタ202pのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT−Vα”，“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202pの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

同样，由于电压缓和晶体管 202n的漏极电压及栅极电压分别为“VTT”、“VTT-Vα”，所以可以使电压缓和晶体管 202n的端子间电压比“VTT”低。

同様に、電圧緩和トランジスタ202nのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT”，“VTT−Vα”になるので、電圧緩和トランジスタ202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

而且，由于电压缓和晶体管 202p、202n的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p、202n的端子间电压比“VTT”低。

また、電圧緩和トランジスタ202p，202nのドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202p，202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

选择晶体管Tr4的源极不连接到列信号线VSL，以防止来自放大晶体管Tr3的信号错误地输出到列信号线 VSL。

なお、選択トランジスタTr4のソースを列信号線VSLと接続しないことで、増幅トランジスタTr3から列信号線VSLへ誤って信号が出力されないようにしている。 - 中国語 特許翻訳例文集

更具体地说，在图 4中，图 7所示的开关脉冲 LOAD被提供到负载晶体管 31的栅极，这使负载晶体管 31充当开关元件。

具体的には、図2において、負荷トランジスタ31のゲートに図5に示すスイッチングパルスLOADを印加することで、負荷トランジスタ31にスイッチ素子としての役割を持たせる。 - 中国語 特許翻訳例文集

偏置控制电路 4由 M个开关晶体管 12构成，各开关晶体管 12的源极端子与垂直信号线 VSL-1～ VSL-M的每一个连接。

バイアス制御回路4は、垂直信号線VSL−1〜VSL−Mのそれぞれにソース端子が接続されるM個のスイッチトランジスタ12で構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

地址晶体管 24的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与放大晶体管 23的漏极端子连接，栅极端子与地址线 ADDRESS连接。

アドレストランジスタ24は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子が増幅トランジスタ23のドレイン端子に接続され、ゲート端子がアドレス線ADDRESSに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集