「晶体」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

地址晶体管 24通过进行行选择的地址线 ADDRESS的电压来进行导通 /截止控制，在被行选择后导通的期间，放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接。

アドレストランジスタ24は、行選択を行うアドレス線ADDRESSの電圧によりオン・オフ制御され、行選択されてオンしている期間において増幅トランジスタ23のドレイン端子を電源26に接続する。 - 中国語 特許翻訳例文集

但是，由于此时的 FD25的电压为放大晶体管 23的阈值以下，放大晶体管 23成为准备开始源极跟踪器电路动作的状态。

但し、このときのFD25の電圧は増幅トランジスタ23の閾値以下であるから、増幅トランジスタ23はソースフォロワ回路動作の開始をスタンバイしている状態になる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在单位像素 2a中，虽然放大晶体管 23导通，但由于地址晶体管 24基于选择解除而被截止，因此漏极端子成为从电源被切断的状态。

単位画素2aでは、増幅トランジスタ23はオンしているが、アドレストランジスタ24が選択解除によりオフしたので、ドレイン端子が電源から切り離された状態となる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，源极端子连接到 PMOS晶体管 60、66的漏极端子的 PMOS晶体管 61、67的各栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。

また、PMOSトランジスタ60，66のドレイン端子にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ61，67の各ゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

每个像素的电子累积时间是上述复位操作和读取操作之间的时间段，准确地说是在转移晶体管 2被复位随后截止之后、直到转移晶体管 2在读取中截止为止的时段 T1。

各画素の電子蓄積時間は、上記リセット動作と読み出し動作との間の期間であり、正確には転送トランジスタ2がリセット後オフしてから、読み出しでオフするまでの期間T1である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在配置于电源侧的 PMOS晶体管 60、61和 PMOS晶体管 66、67中，在源极端子连接到电源 64的 PMOS晶体管 60、66中 PMOS晶体管 60的栅极端子被直接输入第 n+1列的寄存器数据 Dn+1，PMOS晶体管 66的栅极端子经由 NAND电路 70被输入对第 n+1列寄存器数据Dn+1进行逻辑反转后的数据 (/Dn+1)和对第 n列寄存器数据 Dn进行逻辑反转后的数据 (/Dn)。

電源側に直列配置されるPMOSトランジスタ60，61およびPMOSトランジスタ66，67において、電源64にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ60，66のうち、PMOSトランジスタ60のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1が直接入力され、PMOSトランジスタ66のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1を論理反転したデータ（／Dn＋1）とn列目のレジスタデータDnを論理反転したデータ（／Dn）とがNAND回路70を介して入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

也就是说，在显示面板 300的下表面形成有下偏振片 12，在下偏振片上形成有作为下基板的薄膜晶体管基板 310，形成有面向薄膜晶体管基板的上基板 320，并且，在上基板 320和薄膜晶体管基板 310之间形成有液晶层 330。

つまり、液晶表示パネル300の下部面には下部偏光板12が形成され、その上には下部基板である薄膜トランジスタ基板310が形成され、これに対向する位置には上部基板320が形成され、上部基板320と薄膜トランジスタ基板310との間には液晶層330が位置している。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，用于垂直信号线 Vsig11a的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14的源极侧的扩散层 DF2上，用于垂直信号线 Vsig11b的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14′的源极侧的扩散层 DF2上，用于垂直信号线 Vsig11c的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14″的源极侧的扩散层 DF2上。

そして、垂直信号線Vsig11aに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14のソース側の拡散層DF2に接続され、垂直信号線Vsig11bに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14´のソース側の拡散層DF2に接続され、垂直信号線Vsig11cに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14´´のソース側の拡散層DF2に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 t4，通过使得复位脉冲 RST为“H”电平并且使得复位晶体管 23处于导通状态，仅仅复位 FD区 26，并且在时段 t5，通过使得选择电源电势 SELVDD为“L”电平并且使得FD区 26的电势低于放大晶体管 24的阈值，放大晶体管 24被关断，以使得像素处于未选定状态。

期間t4でリセットパルスRSTが“H”レベルとなり、リセットトランジスタ23がオン状態になることによってFD部26のみをリセットし、期間t5で選択電源電位SELVDDが“L”レベルになり、FD部26の電位を増幅トランジスタ24の閾値よりも低い電位とすることで、当該増幅トランジスタ24がオフして画素を非選択状態とする。 - 中国語 特許翻訳例文集

在该状态下，由于在像素 (1，1)处复位晶体管 T1保持断开，因此像素信号读取操作继续。

この状態の画素（1，1）においては、リセットトランジスタT1がオフの状態なので、続けて、画素信号読みを行う。 - 中国語 特許翻訳例文集

参考图 6，没有示出除了光电转换元件 D1、FD电容器 C1、各个晶体管的栅极、源极和漏极、以及内部连线以外的组件。

図6においては、光電変換素子D1、FD容量C1、各トランジスタのゲート、ソース、ドレインおよび配線以外は省略している。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 4放大地描述了根据实施例的具有 4个晶体管的 CMOS图像传感器中的像素的例子；

【図4】本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を拡大して示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 4放大地描述了根据实施例的具有 4个晶体管的 CMOS图像传感器中的像素的例子。

図4は、本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を拡大して示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

像素哑选择晶体管118的栅极连接至将由垂直扫描部件120供给的选择脉冲DSEL的供给线。

画素ダミー選択トランジスタ118のゲートが垂直走査部120により供給される選択パルスDSELの供給ラインに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

每个像素块 160C的多个像素的传送晶体管的源极或漏极连接到公共输出信号线 131。

そして、各画素ブロック160Cの複数の画素の転送トランジスタのソースまたはドレインが共通の出力信号線131に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

时钟源 2481-248K可为 (例如 )系统中的不同晶体振荡器、松弛振荡器等。

クロックソース2481−248Kは、例えば、システムでの異なる水晶発振器、リラクセーション発振器などがありえる。 - 中国語 特許翻訳例文集

二维光子晶体可以被设计成反射指定频带内的 EMR。

2次元フォトニック結晶を、指定された周波数帯内のEMRを反射するように設計することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

可借助于由垂直选择电路 VS驱动的复位信号控制复位晶体管 104。

リセットトランジスタ104は、垂直選択回路VSによって駆動されるリセット信号によって制御されうる。 - 中国語 特許翻訳例文集

可借助于由垂直选择电路 VS驱动的行选择信号控制选择晶体管 106。

選択トランジスタ106が、垂直選択回路VSによって駆動される選択信号によって制御されうる。 - 中国語 特許翻訳例文集

可借助于由垂直选择电路 VS驱动的传输信号控制传输晶体管 102。

転送トランジスタ102は、垂直選択回路VSによって駆動される転送信号によって制御されうる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在传输晶体管 102-1和 102-3被关断时，光信号被电路 (未示出 )读取。

次に、転送トランジスタ102−1、102−3がオフ状態にされて、不図示の回路により光信号が読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

背光型液晶显示面板包括薄膜晶体管 (TFT)基板和滤色器基板。

透過型液晶表示パネルは、薄膜トランジスター(Thin Film Transistor: 以下、“TFT”とする)基板とカラーフィルター基板を含む。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，通过第 3晶体管 25、设置于共同信号线 27商的未图示的负荷电流源构成源跟随器电路。

なお、第3のトランジスタ25と、共通信号線27に設けられた図示しない負荷電流源とでソースフォロア回路が構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5是示出按照第一实施例的 CMOS图像传感器的像素的例子的图，该像素由四个晶体管形成；

【図5】本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5是示出按照本实施例的 CMOS图像传感器的像素的例子的图，该像素由四个晶体管形成。

図5は、本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOS晶体管NT311的栅极连接至电容器C311的第一电极，避过且连接点构成节点ND313。

NMOSトランジスタNT311のゲートがキャパシタC311の第1電極に接続され、その接続点によりノードND313が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOS晶体管 NT312的栅极连接至电容器 C312的第一电极，并且连接点构成节点ND314。

NMOSトランジスタNT312のゲートがキャパシタC312の第1電極に接続され、その接続点によりノードND314が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，负载晶体管 614使其漏极端子连接到垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502，并且使其源极端子接地。

また、負荷トランジスタ614は、そのドレイン端子が垂直信号線（VSL1または2）501または502に接続され、そのソース端子が接地される。 - 中国語 特許翻訳例文集

保持电容器 613维持负载晶体管 614的栅极电压恒定，以便维持负载电流恒定。

保持容量613は、負荷電流を一定に維持するために、負荷トランジスタ614のゲート電圧を一定に保持するためのキャパシタである。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，参考晶体管 690使其源极端子接地，并且使其栅极端子和漏极端子连接到参考电流线 610。

また、基準トランジスタ690は、そのソース端子が接地され、かつ、そのゲート端子およびドレイン端子が基準電流線601に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

这允许信号读出电路 710读出以恒定的放大增益从放大晶体管 414输出的参考信号。

このため、信号読出し回路710により、増幅トランジスタ414から一定の増幅利得により出力された基準信号が読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

电压 VM比向栅极供给以关断 PMOS晶体管的电压的绝对值小。

ここで、VMはPMOSトランジスタのオフのためにゲートに供給される電圧の絶対値よりも小さい電圧である。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号从第一共用输出线2被输入到第一输入晶体管 201的栅极。

第1の入力トランジスタ201のゲートに第1の共通出力線2からの信号が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

负载晶体管 503供给用于使得运算放大器 4操作的电流 (即，偏压电流 )。

負荷トランジスタ503は演算増幅器を動作させるための電流（バイアス電流）を供給するためのものである。 - 中国語 特許翻訳例文集

将参考上面图 15A至 15E和图 16A至 16E说明所述驱动晶体管 N2的驱动时序和电位状态的变化。

なお、その駆動タイミングと駆動トランジスタN2の電位状態の変化は、前述した図15及び図16を参考に説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

此时，所述写控制线 WSL处于 L电平，且所述采样晶体管 N1被控制为处于关断状态。

このとき、書込制御線WSLはLレベルであり、サンプリングトランジスタN1はオフ状態に制御されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

当初始化时刻到来时，所述写控制线 WSL被控制为处于 H电平，且所述采样晶体管 N1被切换为导通状态。

初期化タイミングが到来すると、書込制御線WSLはHレベルに制御され、サンプリングトランジスタN1はオン状態に切り替わる。 - 中国語 特許翻訳例文集

与所述采样晶体管 N1的导通操作同步地将所述初始化电位 Vofs_H施加给信号线 DTL。

また、このサンプリングトランジスタN1のオン動作に同期して、信号線DTLには初期化電位Vofs_Hが印加される。 - 中国語 特許翻訳例文集

与所述栅极电位 Vg的电位变化所关联，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs也减小(图 15E，图 16E)。

また、このゲート電位Vgの電位変化に連動して、駆動トランジスタN2のソース電位Vsも押し下げられる（図15（E）、図16（E））。 - 中国語 特許翻訳例文集

在开始时刻，甚至当考虑变动时，所述驱动晶体管 N2的栅 /源极之间的电压 Vgs也比所述阈值电压 Vth更宽。

この開始時点において、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsは、バラツキを考慮しても閾値電圧Vthより広くなっている。 - 中国語 特許翻訳例文集

随着所述操作的开始，所述驱动晶体管 N2的栅极电位 Vg被增加到所述信号电位Vsig(图 15D，图 16D)。

この動作の開始に伴い、駆動トランジスタN2のゲート電位Vgは、信号電位Vsigに上昇する（図15（D）、図16（D））。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，栅 /源极之间的电压 Vgs随着所述驱动晶体管N2的迁移率μ的增加而减小。

結果的に、移動度μが大きい駆動トランジスタN2ほどゲート・ソース間電圧Vgsが小さくなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

专利文献 1中公开了一种由第一及第二 nMOS晶体管构成的开放 (open)漏极型输出电路。

特許文献1には、第1および第2のnMOSトランジスタから構成されたオープンドレイン型出力回路が開示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在信号电压 V1为“VTT”的情况下，供给节点 N101的电压 (电压缓和晶体管 102的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”。

信号電圧V1が“VTT”である場合、供給ノードN101の電圧（電圧緩和トランジスタ102のソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，图 3所示的数据通信电路 11可以还具备图 2所示的辅助晶体管 105。

なお、図3に示したデータ通信回路11は、図2に示した補助トランジスタ105をさらに備えていても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，图 3所示的数据通信电路 12可以还具备图 2所示的辅助晶体管 106。

なお、図3に示したデータ通信回路12は、図2に示した補助トランジスタ106をさらに備えていても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

该情况下，供给节点 N201p、N201n的电压(电压缓和晶体管 202p、202n的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”。

この場合、供給ノードN201p，N201nの電圧（電圧緩和トランジスタ202p，202nのソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，图 7所示的数据通信电路 21可以还具备图 6所示的辅助晶体管 205p、205n。

なお、図7に示したデータ通信回路21は、図6に示した補助トランジスタ205p，205nをさらに備えていても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

晶体管 203的所有传送门控制栅极在每一像素 210行内连接在一起。

トランジスタ203の全てのトランスファゲート制御ゲートは、画素203の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

晶体管 202缓冲浮动扩散部 204与输出列信号导线之间的电压。

トランジスタ202は、フローティング・ディフュージョン204と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。 - 中国語 特許翻訳例文集