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「晶体」を含む例文一覧
該当件数 : 391件
这在参考信号和像素信号读出时段期间维持从负载晶体管 614提供的负载电流的幅度恒定。
これにより、基準信号読出し期間および画像信号読出し期間における負荷トランジスタ614からの負荷電流の大きさを一定に維持することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
例如，可以不能充分地抑制从垂直信号线 (VSL1)501的信号电平的改变导致的、对与该垂直信号线 (VSL1)501相关联的负载晶体管栅极线 612的耦合影响。
例えば、垂直信号線（VSL1）501における信号レベルの変動によるカップリングの影響は、その垂直信号線（VSL1）501に対応する負荷トランジスタゲート線612に対して充分に抑制できないことがある。 - 中国語 特許翻訳例文集
除了图 1所示的固态成像设备 100的组件之外，固态成像设备 110包括第二负载电流提供电路620、参考电流产生电路 681、和参考晶体管 691和 692。
固体撮像装置110は、図1に示した固体撮像装置100の構成に加えて、第2負荷電流供給回路620と、基準電流生成回路681と、基準トランジスタ691および692とを備えている。 - 中国語 特許翻訳例文集
在第二负载电流提供电路 620中，第二设置晶体管 621使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到第二参考电流线 602。
この第2負荷電流供給回路620において、第2設定トランジスタ621は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が第2基準電流線602に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集
这允许将参考信号和像素信号的电平从像素电路 410的放大晶体管 414输出到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。
これにより、画素回路410における増幅トランジスタ414から基準信号および画素信号の信号レベルが垂直信号線（VSL1および2）501および502に出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 5是图示根据本发明的第二实施例的负载晶体管栅极线 612上的耦合影响的示例的概念性图。
図5は、本発明の第2の実施の形態における負荷トランジスタゲート線612に対するカップリングの影響の一例を示す概念図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
应注意，在第一实施例中，在像素信号读出时段期间，由于第二耦合改变 (ΔV2)，连接到垂直信号线 (VSL1)501的放大晶体管 414的放大增益升高。
なお、本発明の第1の実施の形態では、この第2カップリング変動量（ΔV2）により、画素信号読出し期間において、垂直信号線（VSL1）510に接続された増幅トランジスタ414における増幅利得が上昇してしまう。 - 中国語 特許翻訳例文集
电压设置电路 631基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号，将在其漏极侧的参考电流线 601和其源极侧的负载晶体管栅极线 632连接到一起。
この電圧設定回路631は、タイミング制御回路200からの維持制御信号に基づいて、そのドレイン側の基準電流線601とソース側の負荷トランジスタゲート線632との間を接続する。 - 中国語 特許翻訳例文集
如见于图 6右侧的持续点所示，可以提供额外的控制信号和晶体管段来实现对于驱动电路 601的输出特性的调节的更高分辨率。
図6の右側に見られる連続点により示されるように、駆動回路601の出力特性を調節する際にさらなる分解能を実現するために追加の制御信号およびトランジスタ部を設けてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
仅描绘了两个晶体管级“A”和“B”，但是可以添加第三或额外的级 (例如，“C”级 )； 这种扩展的可能性由两串延续点 717表示。
図7は、2つのトランジスタ段「A」と「B」だけが描写されるという点で図6と異なるが、第3の段または追加の段（例えば段「C」）を追加してもよく、この拡張可能性は2つの一連の連続点717により表される。 - 中国語 特許翻訳例文集
并且，在图 1的水平控制线 L3、L4的地址线是低电平 (low level)时，地址晶体管 3、3′成为截止 (OFF)状态，源极跟随器不动作，所以不输出信号。
そして、図1の水平制御線L3、L4のアドレス線がロウレベルの時、アドレストランジスタ3、3´がオフ状態となりソースフォロワ動作しないため、信号は出力されない。 - 中国語 特許翻訳例文集
在第一示例性实施例中，通过箝位电容器 5从第一共用输出线 2向第一输入晶体管 501的栅极供给信号。
第1の入力トランジスタ501のゲートに第1の共通出力線2からの信号が供給される。 本実施例においてはクランプ容量を介して供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集
在所述采样晶体管 N1被切换为导通状态之前，所述信号线 DTL的电位被切换为所述信号电位 Vsig(图 15A至 15C和图 16A至 16C)。
なお、サンプリングトランジスタN1がオン状態に切り替わる前には、信号線DTLの電位が信号電位Vsigに切り替わっている（図15（A）〜（C），図16（A）〜（C））。 - 中国語 特許翻訳例文集
振荡器 127是用于生成提供给 GPS控制部分 121的内部的时钟信号的振荡源，并且例如晶体振荡器 (TCXO)用作振荡器 127。
発振器127は、GPS制御部121内に供給されるクロック信号を発生させるための振動源であり、例えば、水晶発振器（TCXO）が用いられる。 - 中国語 特許翻訳例文集
例如，术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构，其形成于半导体上。
例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。 - 中国語 特許翻訳例文集
调齐传感器 39分别是具有夹着输送路 P而对置的发光部 (LED等 )和受光部 (光电晶体管等 )的光透射型的传感器，沿着主扫描方向排列配置。
整列センサー39は、それぞれ搬送路Pを挟んで対向する発光部（LED等）と受光部（フォトトランジスター等）とを備える光透過型のセンサーであり、主走査方向に並べて配設されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
在一示范性实施例中，时间窗的持续时间可对应于给定参考时钟的预定循环数，例如，512个循环的 19.2-MHz XO(晶体振荡器 )参考时钟。
例示的な実施形態において、タイムウィンドウの継続期間（duration）は、所定のサイクル数例えば基準クロック19．2MHzXO（水晶発振器）の512サイクルに対応しても構わない。 - 中国語 特許翻訳例文集
通过如此构成，可以按照供给节点 N101的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制供给节点 N101的电压。
このように構成することにより、供給ノードN101の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように供給ノードN101の電圧を制限できる。 - 中国語 特許翻訳例文集
通过如此构成，可以按照输入节点 N103的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制输入节点 N103的电压，因此能够可靠地防止接收器103的耐压破坏。
このように構成することにより、入力ノードN103の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように入力ノードN103の電圧を制限できるので、レシーバ103の耐圧破壊を確実に防止できる。 - 中国語 特許翻訳例文集
另外，由于能够对应于信号电压 VP1、VN1的互补变动而使电压缓和晶体管 202p、202n的电导互补地变化，所以可减轻信号电压 VP1、VN1的变动速度的劣化。
また、信号電圧VP1，VN1の相補的な変動に応じて電圧緩和トランジスタ202p，202nのコンダクタンスを相補的に変化させることができるので、信号電圧VP1，VN1の変動速度の劣化を軽減できる。 - 中国語 特許翻訳例文集
通过如此构成，可以按照供给节点 N201p、N201n的电压不超过辅助晶体管 205p、205n的栅极电压的方式来限制供给节点 N201p、N201n的电压。
このように構成することにより、供給ノードN201p，N201nの電圧が補助トランジスタ205p，205nのゲート電圧を超えないように供給ノードN201p，N201nの電圧を制限できる。 - 中国語 特許翻訳例文集
在数据通信电路 31中，驱动器 201、电压缓和晶体管 202p、202n以及信号节点 NP1、NN1的连接关系与图 5所示的连接关系同样。
データ通信回路31において、ドライバ201，電圧緩和トランジスタ202p，202n，および信号ノードNP1，NN1の接続関係は、図5に示した接続関係と同様である。 - 中国語 特許翻訳例文集
在一个实施例中，被输入到图 6B和图 6C的 PMOS晶体管 M2的信号“空闲”用于绕过斜坡产生器 610和 620。
一実施形態において、図6B及び図6CのPMOSトランジスタM2に入力される信号"アイドル"は、ランプ発生器610、620をバイパスするのに使用される。 - 中国語 特許翻訳例文集
虽然图 6B和图 6C的实施例被示出为基于 CMOS的设计，但是可以使用其他晶体管技术 (例如，ECL、BJT、BiCMOS等 )来实现相同的设计，而不改变本发明的本质。
図6B及び図6Cの実施形態では、CMOSをベースとした設計が示されたが、他のトランジスタ技術（例えば、ECL、BJT、BiCOMS等）を、本発明の本質を変更することなく同じ設計を実装するのに採用してもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
PD 1的阴极与电源电压 VDD连接，PD 1的阳极与复位 MOS晶体管 3的主电极中的一个和运算放大器 2的非反相输入端子连接。
PD1のカソードは電源電圧VDDに接続され、アノードはリセットMOSトランジスタ3の一方の主電極およびオペアンプ2の非反転入力端子に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集
差分放大器电路 4的非反相输入端子与单位像素的输出端子连接，并且，差分放大器电路 4的输出端子与用作第一开关的 MOS晶体管 5的主电极中的一个连接。
差動増幅回路4の非反転入力端子は単位画素の出力端子と接続され、その出力端子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ5の一方の主電極に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集
差分放大器电路 6的非反相输入端子与单位像素的输出端子连接。 差分放大器电路 6的输出端子经由用作第一开关的MOS晶体管 7与差分放大器电路 6的反相输入端子连接。
差動増幅回路6の非反転入力端子は単位画素の出力端子と接続され、その出力端子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ7を介して自身の反転入力端子に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集
因此，在最小值检测单元 BTM的输出端子 BOUT处获得来自所有电路块之中具有输入到 MOS晶体管 66的控制电极的最小信号的电路块的输出。
これにより、最大値検出部BTMの出力端子BOUTからは、MOSトランジスタ66の制御電極に入力される信号が最小となる回路ブロックの出力が得られる。 - 中国語 特許翻訳例文集
时序发生器 (TG)15生成时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3(参考图 2)，用于确定供应电压控制电路 13向转移晶体管 22的栅电极供应控制电压的定时。
タイミング発生回路（TG）15は、供給電圧制御回路13が転送トランジスタ22のゲート電極に制御電圧を供給する際のタイミングを決めるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3（図2参照）を発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集
接着，在时段“t13”，电压 Vtrg1被供应到转移晶体管 22的控制电极，并且根据光电二极管 21中的存储电子的量 (其由入射光强度决定 )，电子被部分地转移到 FD区 26。
次に、期間t13で転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrg1を供給し、入射光強度によって決まるフォトダイオード21の蓄積電子の量に応じて部分的にFD部26へ転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集
在时段 t4，通过使得复位脉冲 RST为“H”电平并且使得复位晶体管 23处于导通状态 (充当电子快门 )，复位 FD区 26。
期間t4でリセットパルスRSTが“H”レベルになり、リセットトランジスタ23がオン状態になることによってFD部26をリセットし、電子シャッタの動作をする。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 20E是时段 T3、T4中时段 t3的电势图，这时转移晶体管 22在完全转移读出信号之后处于关断状态。
図20（e）は、期間T3，T4における期間t3、即ち信号を読み出すべく完全転送後に転送トランジスタ22をオフ状態にしたときのポテンシャル図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
MOS晶体管 221和恒流源 225包含于源跟随器电路中，并且，源跟随器电路的输出端子与反馈开关 227的另一端子连接。
MOSトランジスタ221は定電流源225とともにソースフォロワ回路を構成し、その出力はフィードバックスイッチ227の他方の端子と接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集
在时段 (8)中，首先，信号 上升到高电平，并且，包含 MOS晶体管 221和恒流源 225的源跟随器的输出与共用输出线 102连接。
期間（8）においては、まず、信号φFBがハイレベルになり、MOSトランジスタ221と定電流源225とで構成されるソースフォロワの出力を共通出力線に接続する。 - 中国語 特許翻訳例文集
术语接收器指的是光电二极管、PIN二极管、光电晶体管或用于接收 IR或可见光信号并将它们转换为电信号的其他光电检测器。
受信機という用語は、IRまたは可視光信号を受信し、それを電気信号に変換するフォトダイオード、Pinダイオード、フォトトランジスタ、または他の光検出器を意味する。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 2示出了除了 IR RX和 LPF 32、光电晶体管 12、IR TX 33和 IR发射器或 LED 13之外具有与 SPDT调光器 6MIR中采用的等同或类似的电路和装置的 SPDT调光器电路 6M-2。
図2は、IRRXおよびLPF32、フォトトランジスタ12、IRTX33およびIR送信機またはLED13を除いて、SPDT調光器6MIRで使用された同一または同様な回路およびデバイスを有するSPDT調光器回路6M−2を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集
接着，下面将详细描述后一种方法即当选择晶体管 25被关断时将负电压施加到栅极的实施例。
続いて、後者の手法、即ち選択トランジスタ25をオフするときにゲートに負電圧を与える具体的な実施例について以下に説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集
接着，将参照图 7所示的时序图来描述当应用根据第二实施例的方法时像素 20和负载晶体管 31的操作。
次に、第2実施例に係る手法を適用した場合の画素20および負荷トランジスタ31の動作について、図5のタイミングチャートを用いて説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集
复位晶体管 22的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与 FD25连接，栅极端子与复位线 RESET连接。
リセットトランジスタ22は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子がFD25に接続され、ゲート端子がリセット線RESETに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
复位晶体管 22通过复位线 RESET的电压进行导通 /截止控制，该导通期间中将 FD25的电压设定为电源 26的电压 VDD。
リセットトランジスタ22は、リセット線RESETの電圧によりオン・オフ制御され、そのオン期間においてFD25の電圧を電源26の電圧VDDに設定する。 - 中国語 特許翻訳例文集
即，放大晶体管 23仅源极端子与浮动状态的垂直信号线 VSL连接，不进行源极跟踪器电路的动作。
つまり、増幅トランジスタ23は、ソース端子がフローティング状態の垂直信号線VSLに接続されているだけであるので、ソースフォロワ回路の動作を行わない。 - 中国語 特許翻訳例文集
基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3侧的 3个 NMOS晶体管 30、33、35的各栅极端子被公共输入来自列选择电路 5a的列选择信号。
基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3側の3つのNMOSトランジスタ30，33，35の各ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が共通に入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集
各控制信号驱动电路 20为相同构成，包括串联连接于控制信号线 21与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 40、41。
各制御信号駆動回路20は、同じ構成であって、制御信号線21とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ40，41で構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
此时，由于 PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中所对应的基准电压线。
このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 13中，各数据传输电路 18b构成都相同，包括串联连接于数据线 10与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 25、26。
図13において、各データ転送回路18bは、同じ構成であって、データ線10とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ25，26で構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 14中，各基准电压驱动电路 19b的构成相同，包括串联连接于作为 1条基准电压线 11b的基准电压线 Vref与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 30、31。
図14において、各基準電圧駆動回路19bは、同じ構成であって、1本の基準電圧線11bである基準電圧線Vrefとグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ30，31で構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
另一方面，在基准电压驱动电路 19b中，在列选择信号被输出且处于高电平的期间内，驱动基准电压线 Vref的 NMOS晶体管 30导通。
一方、基準電圧駆動回路19bでは、列選択信号が出力されて高レベルである期間では、基準電圧線Vrefを駆動するNMOSトランジスタ30がオンする。 - 中国語 特許翻訳例文集
此时，由于PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中对应的基准电压线。
このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集
另外，复位晶体管 146的栅电极施加有复位脉冲 RST，浮置扩散区 145被复位，从而从浮置扩散区 145中释放多余电荷N0。
また、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から不要電荷N0が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集
具体地，将复位脉冲 RST施加至复位晶体管 146的栅电极，使浮置扩散区145复位，电荷从浮置扩散区 145释放。
具体的には、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から電荷が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集
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