「晶体」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

这里，由于选择脉冲 SEL被施加至选择晶体管 147的栅电极，表示浮置扩散区 145(其释放信号电荷 S1)的电压 (下文中称作复位电平 R2)的像素信号从放大晶体管 148输出至垂直信号线 155。

ここで、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加されているので、信号電荷S1が排出された浮遊拡散領域145の電圧（以下、リセットレベルR2と称する）を示す画素信号が、増幅トランジスタ148から垂直信号線155に出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

放大晶体管 23在构成源极跟踪器电路的期间中，将被复位晶体管 22复位后的 FD25的电压 (复位电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL，另外，通过读出晶体管 21，在从光电二极管 20将信号电荷读出至 FD25之后的 FD25的电压 (复位电压 +变换信号电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL。

増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成している期間において、リセットトランジスタ22によりリセットされた後のFD25の電圧（リセット電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力し、さらに、読み出しトランジスタ21により、フォトダイオード20から信号電荷がFD25に読み出された後のFD25の電圧（リセット電圧＋変換信号電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

各基准电压驱动电路 19a为相同构成，如果将 3条基准电压线 11a称作基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3，则包括串联连接于基准电压线 Vref1与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管30、31、串联连接于基准电压线 Vref2与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 33、34、串联连接于基准电压线 Vre3与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 35、36。

各基準電圧駆動回路19aは、同じ構成であって、3本の基準電圧線11aを、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3と呼ぶことにすると、基準電圧線Vref1とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ30，31と、基準電圧線Vref2とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ33，34と、基準電圧線Vref3とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ35，36とで構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，如图 4所示，当以基准信号读取周期、最大值检测周期和最小值检测周期的次序执行操作时，不是通过负载电阻器而是通过流过晶体管 116的拉电流或流过晶体管 119的灌电流来对于输出线 141进行充放电。

そのため、図4に示すように、基準信号読み出し期間、最大値検出期間、最小値検出期間の順に動作を行うことで、出力線141の充放電を、負荷抵抗ではなく、トランジスタ116を流れるソース電流または119を流れるシンク電流によって行うことができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

电压调整部 207对应于多个信号线对中的任意一个，将与该对应的信号线对分别连接的信号节点 NP1、NN1的电压 (信号电压 VP1、VN1)的中间电压作为控制电压 VM，向电压缓和晶体管 202p、202p、…的栅极及电压缓和晶体管 202n、202n、…的栅极供给。

電圧調整部207は、複数の信号線対のうちいずれか1つに対応し、その対応する信号線対にそれぞれ接続される信号ノードNP1，NN1の電圧（信号電圧VP1，VN1）の中間電圧を制御電圧VMとして電圧緩和トランジスタ203p，203p，…のゲートおよび電圧緩和トランジスタ203n，203n，…のゲートに供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

电路块 134包括采用地址信号 ADR和 NOR电路 135的输出作为两个输入的 AND电路 1341，采用地址信号 ADR作为一个 (负 )输入并且采用 AND电路的输出信号作为另一个输入的 OR电路 1342，电平相移器 1343以及 N-沟道驱动晶体管 1344，其选定电压 Vtrg4(所述电压 Vtrg4低地电压 )并且将其供应到转移晶体管 22的栅电极。

回路ブロック134は、アドレス信号ADRとNOR回路135の出力信号とを2入力とするAND回路1341、アドレス信号ADRを一方の（否定）入力とし、AND回路1341の出力信号を他方の入力とするOR回路1342、レベルシフタ1343およびNチャネルの駆動トランジスタ1344により構成され、接地電圧よりも低い電圧Vtrg4を選択して転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

反相内部节点 /D1、/D2、/D3分别作为“差动放大电路的一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 54与数据线连接，正相内部节点 D1、D2、D3分别作为“差动放大电路的另一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 55与基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3连接。

逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、それぞれ「差動増幅回路の一方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ54を介してデータ線に接続され、正相内部ノードD1，D2，D3は、それぞれ「差動増幅回路の他方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ55を介して基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

参考图 3，垂直扫描电路300从像素矩阵中选择特定的读出行，并且复位晶体管(下文中称为复位Tr)301a至 301c使累积在光电二极管 (下文中称为 PD)303a至 303c上的光信号电荷复位。

図3において、垂直走査回路300は画素配列から特定の読み出し行を選択し、リセットトランジスタ（以下リセットTrと呼ぶ）301a〜301cはフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をリセットする。 - 中国語 特許翻訳例文集

传送晶体管 (下文中简称为传送 Tr)302a至 302c将累积在 PD303a至 PD 303c上的光信号电荷传送到浮动扩散 (下文中简称为 FD)304a至 304c，并且 PD 303a至 PD 303c是光电转换元件。

転送トランジスタ（以下転送Trと呼ぶ）302a〜302c はフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をフローティングディフフュージョンに転送し、フォトダオード（以下、PD）303a〜303cは光電変換素子である。 - 中国語 特許翻訳例文集

选择晶体管 (下文中称为选择 Tr)305a至 305c选择特定行以使得像素源极跟随器 (称为像素 SF)306a至 306c能够将 FD电位读出到垂直输出线 204a至 204c上。

選択トランジスタ（以下選択Trと呼ぶ）305a〜305cは、特定行を選択して画素ソースフォロアを作動させてFD電位を垂直出力線に読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

返回参考图 2，负荷晶体管 Ts1分别连接至垂直信号线 101、垂直信号线 102和垂直信号线 103，以使得漏极连接至垂直信号线 101～ 103，并且栅极和源极接地。

図2に戻って、垂直信号線101〜103に接続されている負荷トランジスタTs1は、ドレインがそれぞれ垂直信号線101〜103に接続され、ゲートおよびソースが接地されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

然后，垂直地址线 241接通选择晶体管 T2以将 FD电容器 C1的复位电压输出至垂直信号线 (信号输出线 )101。

次に、垂直アドレス線241により選択トランジスタT2がオンし、FD容量C1のリセット電圧を垂直信号線（信号出力線）101に出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果。

感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があるのは、第1から第3の実施形態から明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

如上所述，在第一至第六实施例中，与各感光像素相比较，本发明的各实施例中的各遮光像素具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果。

以上より、第1から第6の実施形態において、本発明の実施形態の遮光画素が、感光画素と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二复位晶体管Tr16被配置为所谓的溢出沟道机构(overflow drain mechanism)，其具有用作溢出栅极的复位栅极以及用作溢出漏极的漏极。

この第2リセットトランジスタTr16は、そのリセットゲートをオーバーフローゲートとし、そのドレインをオーバーフロードレインとした、いわゆるオーバーフロードレイン機構として構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

当向第二复位晶体管 Tr16的溢出栅极电极 (OFG)43施加复位脉冲时，像素部 3中的全部像素 22(22R、22G和 22B)进行通过完全排出电荷而实现的全局复位操作。

画素部3内の全ての通常画素22［22R，22G，22B］は、第2リセットトランジスタTr16のゲート電極（OFG）43にリセットパルスを印加することで、完全電荷排出によるグローバルリセット動作が行われる。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 7B所示，在漏光修正用像素 24中，传输晶体管 Tr11被保持为常闭，因而不进行传输操作。

一方、漏れ込み光補正用画素24では、図7Bに示すように、転送トランジスタTr11が常にオフ状態に維持されているので、転送の動作は行われない。 - 中国語 特許翻訳例文集

此后，如第一实施例的前述说明中所述的那样逐个像素行地接通读晶体管 Tr12，使普通像素 22的合并信号电荷 eS1+eM1+eM2被读出到浮动扩散部 (FD)37。

その後、第1実施の形態で説明したと同様に、1画素行毎に読み出しトランジスタTr12がオン状態となり、通常画素22の合算信号電荷（eS1＋eM1＋eM2）がフローティングディフージョン部（FD）37へ読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

每一个像素的电子累积时间是复位操作与读出操作之间的时段，并且正好是从复位之后传输晶体管 2的截止到用于读出的截止的时段 T1。

各画素の電子蓄積時間は、上記リセット動作と読み出し動作との間の期間であり、正確には転送トランジスタ2がリセット後オフしてから、読み出しでオフするまでの期間T1である。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一装置 210的第一输入 211耦合到第一切换元件的控制端子，例如 p沟道场效晶体管 (p沟道 FET)214的栅极。

第1のデバイス210の第1の入力211は、pチャネル電界トランジスタ（pチャネルFET）214のゲートのような第1のスイッチング要素の制御端子に連結される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 14示出了依照本发明实施例配置的光子晶体波导、谐振腔以及光电子器件的一部分的顶视图。

【図14】本発明の実施形態にしたがって構成されたフォトニック結晶導波路、共振空胴、及び、光電子デバイス（装置）の一部の平面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

波导 211-216可以是光纤、脊形波导或者光子晶体波导，其在下面参照图 11-15更详细地加以描述。

導波路211−216は、光ファイバまたはリッジ導波路またはフォトニック結晶導波路とすることができるが、これらについては、図11−図15を参照してより詳細に後述する。 - 中国語 特許翻訳例文集

波导 711-715可以是光纤、脊形波导或者光子晶体波导，其在下面参照图 11-15更详细地加以描述。

導波路711−715を、図11−図15を参照してより詳細に後述する光ファイバ、リッジ導波路、または、フォトニック結晶導波路とすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在其他系统实施例中，图 2中所示的波导 211-216以及图 7中所示的波导711-715可以是光子晶体波导，并且诸如谐振器 221之类的谐振器可以是谐振腔。

他のシステムの実施形態では、図2に示す導波路211−216、及び図7に示す導波路711−715をフォトニック結晶導波路とすることができ、共振器221などの共振器を共振空胴とすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

二维光子晶体可以由在电介质或半导体板中制成的规则圆柱孔晶格组成。

2次元フォトニック結晶を、誘電性スラブまたは半導体スラブに作製された円筒孔の規則的格子（または正則格子）から構成することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

通常，圆柱孔的尺寸和相对间距控制 EMR的哪些波长被禁止在二维光子晶体中传播。

一般的に、円筒孔のサイズ及び相対的な間隔によって、EMRのどの波長が2次元フォトニック結晶中を伝搬するのを阻止されるかが制御される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图14示出了依照本发明实施例的在板1408中形成的光子晶体波导1402、谐振腔1404以及光电子器件 1406的一部分的顶视图。

図14は、本発明の実施形態にしたがってスラブ1408に形成されたフォトニック結晶導波路1402、共振空胴1404、及び、光電子デバイス1406の一部の平面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

包围谐振腔 1404的孔以及波导 1402形成二维布拉格光栅，其临时地在波导 1402和谐振腔 1404中捕获光子晶体带隙的频率范围内的 EMR。

共振空胴140を囲んでいる孔と導波路1402は、導波路1402内のフォトニック結晶バンドギャップの周波数範囲内のEMRを一時的に閉じこめる2次元ブラッグ格子と共振空胴1404を形成する。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分放大器 115被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 115的非反相输入端子。 差分放大器 115的输出端子与最大值检测 NMOS晶体管 116的栅极端子连接。

差動アンプ115の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最大値検出用NMOSトランジスタ116のゲート端子と接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分放大器 118被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 118的非反相输入端子。 差分放大器 118的输出端子与最小值检测 PMOS晶体管 119的栅极端子连接。

差動アンプ118の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最小値検出用PMOSトランジスタ119のゲート端子と接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

注意，在该操作中，在最大值检测周期 204期间，输出线 141通过流过最大值检测 NMOS晶体管 116的拉电流 (source current)被充电。

この動作で注目すべきなのは、最大値検出期間204では、最大値検出用NMOSトランジスタ116を流れるソース電流によって出力線141が充電される点である。 - 中国語 特許翻訳例文集

另一方面，在最小值检测周期 205期间，输出线 141通过流过最小值检测 PMOS晶体管119的灌电流 (sink current)被放电。

同様に、最小値検出期間205では、最小値検出用PMOSトランジスタ119を流れるシンク電流によって出力線141が放電されることである。 - 中国語 特許翻訳例文集

在下一个水平扫描时间周期中，转换区域 103-1和 103-2的电压被再次复位，在接下来传输晶体管 102-2和 102-4接通时，偶数行内的光信号然后被读取。

次の1水平走査期間では、再び、変換領域103−1、103−2の電圧がリセットされた後、今度は、転送トランジスタ102−2、102−4がオン状態にされて、偶数行の光信号が読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

不同的控制信号和 被施加到相应的选择晶体管 41的栅极，并且根据控制信号，从相应的中间保持单元 2选择信号并经由放大电路 42将该信号输出。

各選択トランジスタ41のゲートには、それぞれ別の制御信号φSW1、φSW2、φSW3が供給され、この制御信号に従って任意の中間保持手段2の信号が選択されて増幅回路42を介し出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图6示出了切换晶体管61，其用于将每一保持单元5连接到公共输出线8，以便将经由节点N61输入的信号输出到公共输出线8中。

図6において、61は、各保持手段5からそれぞれの共通出力線8に接続する切替トランジスタであり、ノードN61を介して入力される信号を共通出力線8に対して出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在积累期间中，在源极跟随器电路中的输入晶体管 23的源极处将光电转换元件 21中转换的电信号放大，并从那里输出。

蓄積時間中は、光電変換素子21で電気信号に変換された信号が、ソースフォロワ回路の入力トランジスタ23のソース電極より増幅されて出力されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

Wi-Fi网络典型地使用一个或多个晶体振荡器基准时钟，该时钟可例如时钟控制在 ISP的 WAN与无线地连接至接入点的 WLAN设备之间交换的数据。

Wi-Fiネットワークは、典型的に、例えば、ISPのWANと、アクセスポイントに無線で接続されるWLANデバイスとの間で交換されるデータをクロックする1つ以上の水晶発振器基準クロックを使用する。 - 中国語 特許翻訳例文集

复位晶体管 36使其源极连接到浮动扩散 38，且使其漏极连接到复位电源 Vrd(通常也用作模拟电源 Vdd＝ AVDD)。

リセットトランジスタ36は、ソースがフローティングディフュージョン38に、ドレインがリセット電源Vrd（通常はアナログ用の電源Vdd＝AVDD）と共通にする）にそれぞれ接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，以下的实施例中，作为本发明的显示装置的一例，说明了驱动电路内置型的 TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管 )激活矩阵驱动方式的液晶面板构成的液晶装置。

尚、以下の実施形態では、本発明の表示装置の一例として駆動回路内蔵型のTFT（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス駆動方式の液晶パネルで構成される液晶装置を挙げて説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

PMOS晶体管PT313和PT314的栅极共同连接至用于在低电平有效的第一控制脉冲信号 CPL的输入端子 TCPL。

そして、PMOSトランジスタPT313およびPT314のゲートがローレベルでアクティブの第1の制御パルス信号CPLの入力端子TCPLに共通に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5是图示根据本发明的第二实施例的负载晶体管栅极线上的耦合影响的示例的概念性图；

【図5】本発明の第2の実施の形態における負荷トランジスタゲート線612に対するカップリングの影響の一例を示す概念図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在像素电路 410中，光电转换元件 411使其阳极端子接地，并且使其阴极端子连接到传输晶体管 412的源极端子。

この画素回路410において、光電変換素子411は、そのアノード端子が接地され、カソード端子が転送トランジスタ412のソース端子に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，复位晶体管 413使其栅极端子连接到像素复位线 321和 322，并且使其漏极端子连接到复位电势线 311和 312。

また、リセットトランジスタ413は、そのゲート端子が画素リセット線321および322に接続され、そのドレイン端子がリセット電位線311および312に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，放大晶体管 414使其漏极端子连接到电源电势线 415，并且使其源极端子连接到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。

また、増幅トランジスタ414は、そのドレイン端子が電源電位線415に接続され、そのソース端子が垂直信号線（VSL1および2）501および502に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在负载电流提供电路 610中，设置晶体管 611使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到参考电流线 601。

この負荷電流供給回路610において、設定トランジスタ611は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が基準電流線601に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

这允许将参考信号和像素信号的电平从像素电路 410的放大晶体管 414输出到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。

これにより、画素回路410における増幅トランジスタ414から基準信号および画素信号の信号レベルが、垂直信号線（VSL1および2）501および502に出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生电容器 619包括在负载晶体管 614的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和参考电流线 601之间形成的布线间电容器。

寄生容量619は、負荷トランジスタ614のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と基準電流線601との間に形成される配線間容量からなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在接在参考信号读出时段的结束之后的时刻 t3，经由电荷传输线 331将传输脉冲330从行扫描电路 300提供到传输晶体管 412。

基準信号読出し期間終了後、時刻t3では、電荷転送線331を介して、行走査回路300から転送トランジスタ412に転送パルス330が供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，在保持时段中，由信号读出电路 710读出以恒定的放大增益从放大晶体管 414输出的参考信号和像素信号。

このため、保持期間において、増幅トランジスタ414における増幅利得が一定に維持された基準信号および画素信号の2つの信号が、信号読出し回路710によって読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

相反，固态成像设备 100基于从维持控制信号线 203提供的维持控制信号，在一行读出时段的保持时段期间使设置晶体管 611截止。

これに対し、この固体撮像装置100では、1行読出し期間における保持期間において、維持制御信号線203からの維持制御信号に基づいて設定トランジスタ611をオフ状態にする。 - 中国語 特許翻訳例文集