「晶」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

使用者通过对液晶显示部 11上显示的各设定项目的设定画面 S进行输入，对设定项目内的设定值进行设定。

使用者は、液晶表示部11に表示される各設定項目の設定画面Sへの入力により、設定項目内の設定値を設定する。 - 中国語 特許翻訳例文集

当作为工作流程被预先登录的设定项目中的、最后的设定项目的设定画面 S上按压下一步键 K1时，液晶显示部 11显示图 8所示的设定一览 D1。

そして、ワークフローとして予め登録された設定項目のうち、最後の設定項目の設定画面Sで次キーK1が押下されると、液晶表示部11は、設定一覧D1を表示する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在显示设定画面 S3中，当从省电模式回归时，液晶显示部 11上设置用于确定是否在调出工作流程的状态下回归的复选框 CB。

表示設定画面S3では、省電力モードからの復帰時、液晶表示部11にワークフローを呼び出した状態で復帰するか否かを定めるためのチェックボックスCBが設けられる。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，当存储多个工作流程时，液晶显示部 11中设置用于确定显示哪个工作流程来从省电模式回归的下拉菜单 PM。

又、ワークフローが複数記憶される場合、液晶表示部11にどのワークフローを表示して省電力モードから復帰するかを定めるためのプルダウンメニューPMが設けられる。 - 中国語 特許翻訳例文集

使用者通过操作下拉菜单 PM，能够确定在从省电模式回归时使液晶显示部 11显示的工作流程。

使用者は、プルダウンメニューPMを操作することで、省電力モードからの復帰時、液晶表示部11に表示させるワークフローを定めることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

该用户登录变更画面 D4例如在系统键 17被按下后，通过重复按压显示在液晶显示部 11上的键，仅有数码复合机 100的管理员等拥有权限的人能够打开。

このユーザ登録変更画面D4は、例えば、システムキー17の押下後、液晶表示部11に表示されるキーの押下の繰り返しにより、複合機100の管理者等、権限を有する者だけが開くことができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在上述实施方式中，说明了当从省电模式向通常模式回归时，预先在液晶显示部 11上确定是否以调出工作流程的状态进行回归的例 (图 9参照 )。

上述の実施形態では、省電力モードから通常モードに復帰する際、液晶表示部11にワークフローを呼び出した状態で復帰するか否かを予め定めておく例を説明した（図7参照）。 - 中国語 特許翻訳例文集

显示单元 34例如包括液晶显示器，并且在控制单元 35的控制下显示与从数字信号处理单元 33提供的图像数据对应的输入图像。

表示部34は、例えば液晶ディスプレイなどからなり、制御部35の制御に従ってデジタル信号処理部33から供給された画像データに対応する入力画像を表示する。 - 中国語 特許翻訳例文集

近年来，许多照相机在其背面安装以 TFT液晶显示器为代表的信息显示单元，以显示照相机的状态。

近年、カメラの背面に、TFT液晶に代表されるような情報表示装置を搭載し、カメラの状態を表示させるカメラが多数発売されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在照相机 11的背面上，设置有 TFT液晶显示单元 (以下仅简称为TFT)12，其中该TFT12是显示所拍摄的图像以及照相机11的设置和操作状态等的信息显示单元。

カメラ11の背面には、撮影画像やカメラ11の設定・動作状態などを表示する情報表示装置としてのTFT液晶表示装置（単に、TFTという）12が設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

每个像素的电子累积时间是上述复位操作和读取操作之间的时间段，准确地说是在转移晶体管 2被复位随后截止之后、直到转移晶体管 2在读取中截止为止的时段 T1。

各画素の電子蓄積時間は、上記リセット動作と読み出し動作との間の期間であり、正確には転送トランジスタ2がリセット後オフしてから、読み出しでオフするまでの期間T1である。 - 中国語 特許翻訳例文集

但是，例如，如果串行传输速率为低的时间段长，则不能获得必要的数据传输速率，并且液晶单元 104的显示变得模糊。

しかしながら、シリアル伝送速度を低速にしている期間が長いと、必要とされるデータの伝送速度が得られなくなり、液晶部104の表示に乱れが生じたりしてしまう。 - 中国語 特許翻訳例文集

在配置于电源侧的 PMOS晶体管 60、61和 PMOS晶体管 66、67中，在源极端子连接到电源 64的 PMOS晶体管 60、66中 PMOS晶体管 60的栅极端子被直接输入第 n+1列的寄存器数据 Dn+1，PMOS晶体管 66的栅极端子经由 NAND电路 70被输入对第 n+1列寄存器数据Dn+1进行逻辑反转后的数据 (/Dn+1)和对第 n列寄存器数据 Dn进行逻辑反转后的数据 (/Dn)。

電源側に直列配置されるPMOSトランジスタ60，61およびPMOSトランジスタ66，67において、電源64にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ60，66のうち、PMOSトランジスタ60のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1が直接入力され、PMOSトランジスタ66のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1を論理反転したデータ（／Dn＋1）とn列目のレジスタデータDnを論理反転したデータ（／Dn）とがNAND回路70を介して入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在摄像装置 10上搭载有可动式液晶监视器 101和电子取景器 102，可动式液晶监视器 101使得即使在摄影者的脸从摄像装置 10离开的状态下，摄影者也能够视觉认识被拍摄体，电子取景器 102使得摄影者在脸接近摄像装置 10进行观察时能够视觉认识被拍摄体。

撮像装置10には、撮像装置10から顔が離れた状態でも撮影者が被写体を視認することを可能とする可動式液晶モニター101と、撮影者が撮像装置10に顔を接近させて覗き込むことで被写体を視認することを可能とする電子式ビューファインダー102とが搭載されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，用于垂直信号线 Vsig11a的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14的源极侧的扩散层 DF2上，用于垂直信号线 Vsig11b的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14′的源极侧的扩散层 DF2上，用于垂直信号线 Vsig11c的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14″的源极侧的扩散层 DF2上。

そして、垂直信号線Vsig11aに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14のソース側の拡散層DF2に接続され、垂直信号線Vsig11bに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14´のソース側の拡散層DF2に接続され、垂直信号線Vsig11cに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14´´のソース側の拡散層DF2に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 t4，通过使得复位脉冲 RST为“H”电平并且使得复位晶体管 23处于导通状态，仅仅复位 FD区 26，并且在时段 t5，通过使得选择电源电势 SELVDD为“L”电平并且使得FD区 26的电势低于放大晶体管 24的阈值，放大晶体管 24被关断，以使得像素处于未选定状态。

期間t4でリセットパルスRSTが“H”レベルとなり、リセットトランジスタ23がオン状態になることによってFD部26のみをリセットし、期間t5で選択電源電位SELVDDが“L”レベルになり、FD部26の電位を増幅トランジスタ24の閾値よりも低い電位とすることで、当該増幅トランジスタ24がオフして画素を非選択状態とする。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 1和图 3所示，操作面板 1设置在复合机 100的正面上方，具有液晶显示部11(相当于显示部 )，所述液晶显示部 11显示各种图像和画面，诸如用于给出复合机 100或后处理装置 2的设定或动作指示的菜单及按键 (参考图 5等 )，以及复合机 100等的状态信息 M等。

操作パネル1は、図1及び図3に示すように、複合機100の正面上方に設けられ、複合機100や後処理装置2の設定や動作指示を与えるためのメニューやキー（図5等参照）や複合機100等の状態メッセージM等の各種画像、画面を表示する液晶表示部11（表示部に相当）を有する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在该状态下，由于在像素 (1，1)处复位晶体管 T1保持断开，因此像素信号读取操作继续。

この状態の画素（1，1）においては、リセットトランジスタT1がオフの状態なので、続けて、画素信号読みを行う。 - 中国語 特許翻訳例文集

参考图 6，没有示出除了光电转换元件 D1、FD电容器 C1、各个晶体管的栅极、源极和漏极、以及内部连线以外的组件。

図6においては、光電変換素子D1、FD容量C1、各トランジスタのゲート、ソース、ドレインおよび配線以外は省略している。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 4放大地描述了根据实施例的具有 4个晶体管的 CMOS图像传感器中的像素的例子；

【図4】本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を拡大して示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 4放大地描述了根据实施例的具有 4个晶体管的 CMOS图像传感器中的像素的例子。

図4は、本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を拡大して示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

像素哑选择晶体管118的栅极连接至将由垂直扫描部件120供给的选择脉冲DSEL的供给线。

画素ダミー選択トランジスタ118のゲートが垂直走査部120により供給される選択パルスDSELの供給ラインに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

优选地仅将具有石英振荡器 5的用户 3的数据帧 10用作校准消息。

好適に、データフレーム10は、水晶振動子5を有する加入者3によって、較正メッセージとして援用される。 - 中国語 特許翻訳例文集

其中，作为场景模式的下位模式，设定了人物摄影模式、风景摄影模式、液晶摄影模式等。

このうち、シーンモードの下位モードとして、人物撮影モード、風景撮影モード、夜景撮影モード等が設定されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

用户通过操作滑动开关或旋转式开关，选择性地切换根据有无上述的接眼而自动地切换基于电子取景器的显示和基于液晶监视器的显示的显示模式、基于电子取景器的显示模式、基于液晶监视器的显示模式。

また、他の撮像装置として、ユーザがスライドスイッチや回転式スイッチを操作することにより、前述のような接眼の有無によって電子式ビューファインダーによる表示と液晶モニターによる表示とを自動的に切り替える表示モードと、電子式ビューファインダーによる表示モードと、液晶モニターによる表示モードとを、選択的に切り替えることができる撮像装置が知られている。 - 中国語 特許翻訳例文集

每个像素块 160C的多个像素的传送晶体管的源极或漏极连接到公共输出信号线 131。

そして、各画素ブロック160Cの複数の画素の転送トランジスタのソースまたはドレインが共通の出力信号線131に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

该图示出了在控制块与被示出为在存储器子系统中的自主存储器装置 102的晶片 (die)之间的无线连接。

制御ブロックと、メモリサブシステムの自律的メモリ装置102として示されたダイとの間のワイヤレス接続が図示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

然而，可以将缺陷引入圆柱孔晶格中以产生特定局部化的部件。

しかしながら、欠陥を円筒孔の格子に導入して、特定の局在化したコンポーネントを生成することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

可借助于由垂直选择电路 VS驱动的复位信号控制复位晶体管 104。

リセットトランジスタ104は、垂直選択回路VSによって駆動されるリセット信号によって制御されうる。 - 中国語 特許翻訳例文集

可借助于由垂直选择电路 VS驱动的行选择信号控制选择晶体管 106。

選択トランジスタ106が、垂直選択回路VSによって駆動される選択信号によって制御されうる。 - 中国語 特許翻訳例文集

可借助于由垂直选择电路 VS驱动的传输信号控制传输晶体管 102。

転送トランジスタ102は、垂直選択回路VSによって駆動される転送信号によって制御されうる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在传输晶体管 102-1和 102-3被关断时，光信号被电路 (未示出 )读取。

次に、転送トランジスタ102−1、102−3がオフ状態にされて、不図示の回路により光信号が読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

每个成像器可与使用晶片级光学(WLO)技术制作的光学元件关联。

各撮像装置は、ウェハレベルオプティクス（WLO）技術を用いて作製された光学素子と関連付けられてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

3a...扫描线，6a...数据线，9a...像素电极，10...TFT阵列基板，10a...图像显示区域，20...对向基板，30...TFT，50...液晶层，100...液晶装置，101...数据线驱动电路，102...外部电路连接端子，104...扫描线驱动电路，210...图像信号分析电路，211...图像信号分析部，212...光源辉度控制信号生成部，213...图像校正信号生成部，220...灯驱动电路，221...光源辉度控制部，230...视频处理电路，231...图像信号校正部，500...超高压水银灯。

3a…走査線、6a…データ線、9a…画素電極、10…TFTアレイ基板、10a…画像表示領域、20…対向基板、30…TFT、50…液晶層、100…液晶装置、101…データ線駆動回路、102…外部回路接続端子、104…走査線駆動回路、210…映像信号解析回路、211…映像信号解析部、212…光源輝度制御信号生成部、213…映像補正信号生成部、220…ランプ駆動回路、221…光源輝度制御部、230…ビデオ処理回路、231…映像信号補正部、500…超高圧水銀ランプ - 中国語 特許翻訳例文集

尤其是，当帧频等于或大于 200Hz时，帧周期的持续时间缩短。

特に、フレーム周波数が200Hz以上の時、フレーム期間が短くなるから、液晶セルにローガンマ特性に変調されたデータの充電時間が不足する。 - 中国語 特許翻訳例文集

过驱动补偿方法根据数据的变化或无变化，增加上述公式 1中的 的值。

過駆動補償方法はデータの変化の可否に基づいて式（1）で｜V2a−V2F｜を大きくして液晶の応答時間を早くする。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过粘合剂附接至显示面板 300的透镜单元 400形成在显示面板 300上。

液晶表示パネル300の上には接着剤などで接着したレンチキュラーユニット400が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

首先，将参照图 2描述柱状透镜 410和显示面板 300的像素之间的布置。

まず、図2を参照してレンチキュラーレンズ410と液晶表示パネル300の画素との間の配置関係について説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，通过第 3晶体管 25、设置于共同信号线 27商的未图示的负荷电流源构成源跟随器电路。

なお、第3のトランジスタ25と、共通信号線27に設けられた図示しない負荷電流源とでソースフォロア回路が構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5是示出按照第一实施例的 CMOS图像传感器的像素的例子的图，该像素由四个晶体管形成；

【図5】本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5是示出按照本实施例的 CMOS图像传感器的像素的例子的图，该像素由四个晶体管形成。

図5は、本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOS晶体管NT311的栅极连接至电容器C311的第一电极，避过且连接点构成节点ND313。

NMOSトランジスタNT311のゲートがキャパシタC311の第1電極に接続され、その接続点によりノードND313が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOS晶体管 NT312的栅极连接至电容器 C312的第一电极，并且连接点构成节点ND314。

NMOSトランジスタNT312のゲートがキャパシタC312の第1電極に接続され、その接続点によりノードND314が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，负载晶体管 614使其漏极端子连接到垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502，并且使其源极端子接地。

また、負荷トランジスタ614は、そのドレイン端子が垂直信号線（VSL1または2）501または502に接続され、そのソース端子が接地される。 - 中国語 特許翻訳例文集

保持电容器 613维持负载晶体管 614的栅极电压恒定，以便维持负载电流恒定。

保持容量613は、負荷電流を一定に維持するために、負荷トランジスタ614のゲート電圧を一定に保持するためのキャパシタである。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，参考晶体管 690使其源极端子接地，并且使其栅极端子和漏极端子连接到参考电流线 610。

また、基準トランジスタ690は、そのソース端子が接地され、かつ、そのゲート端子およびドレイン端子が基準電流線601に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

这允许信号读出电路 710读出以恒定的放大增益从放大晶体管 414输出的参考信号。

このため、信号読出し回路710により、増幅トランジスタ414から一定の増幅利得により出力された基準信号が読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

电压 VM比向栅极供给以关断 PMOS晶体管的电压的绝对值小。

ここで、VMはPMOSトランジスタのオフのためにゲートに供給される電圧の絶対値よりも小さい電圧である。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号从第一共用输出线2被输入到第一输入晶体管 201的栅极。

第1の入力トランジスタ201のゲートに第1の共通出力線2からの信号が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

负载晶体管 503供给用于使得运算放大器 4操作的电流 (即，偏压电流 )。

負荷トランジスタ503は演算増幅器を動作させるための電流（バイアス電流）を供給するためのものである。 - 中国語 特許翻訳例文集