「晶」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

输出单元 152包括诸如 LCD(液晶显示器 )或有机 EL显示器的显示装置以及输出声音的扬声器。

出力部152は例えばLCD（Liquid Crystal Display）、有機ELディスプレイ等の表示デバイスや、音声を出力するスピーカ等によって構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

将参考上面图 15A至 15E和图 16A至 16E说明所述驱动晶体管 N2的驱动时序和电位状态的变化。

なお、その駆動タイミングと駆動トランジスタN2の電位状態の変化は、前述した図15及び図16を参考に説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

此时，所述写控制线 WSL处于 L电平，且所述采样晶体管 N1被控制为处于关断状态。

このとき、書込制御線WSLはLレベルであり、サンプリングトランジスタN1はオフ状態に制御されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

当初始化时刻到来时，所述写控制线 WSL被控制为处于 H电平，且所述采样晶体管 N1被切换为导通状态。

初期化タイミングが到来すると、書込制御線WSLはHレベルに制御され、サンプリングトランジスタN1はオン状態に切り替わる。 - 中国語 特許翻訳例文集

与所述采样晶体管 N1的导通操作同步地将所述初始化电位 Vofs_H施加给信号线 DTL。

また、このサンプリングトランジスタN1のオン動作に同期して、信号線DTLには初期化電位Vofs_Hが印加される。 - 中国語 特許翻訳例文集

与所述栅极电位 Vg的电位变化所关联，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs也减小(图 15E，图 16E)。

また、このゲート電位Vgの電位変化に連動して、駆動トランジスタN2のソース電位Vsも押し下げられる（図15（E）、図16（E））。 - 中国語 特許翻訳例文集

在开始时刻，甚至当考虑变动时，所述驱动晶体管 N2的栅 /源极之间的电压 Vgs也比所述阈值电压 Vth更宽。

この開始時点において、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsは、バラツキを考慮しても閾値電圧Vthより広くなっている。 - 中国語 特許翻訳例文集

随着所述操作的开始，所述驱动晶体管 N2的栅极电位 Vg被增加到所述信号电位Vsig(图 15D，图 16D)。

この動作の開始に伴い、駆動トランジスタN2のゲート電位Vgは、信号電位Vsigに上昇する（図15（D）、図16（D））。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，栅 /源极之间的电压 Vgs随着所述驱动晶体管N2的迁移率μ的增加而减小。

結果的に、移動度μが大きい駆動トランジスタN2ほどゲート・ソース間電圧Vgsが小さくなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

专利文献 1中公开了一种由第一及第二 nMOS晶体管构成的开放 (open)漏极型输出电路。

特許文献1には、第1および第2のnMOSトランジスタから構成されたオープンドレイン型出力回路が開示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在信号电压 V1为“VTT”的情况下，供给节点 N101的电压 (电压缓和晶体管 102的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”。

信号電圧V1が“VTT”である場合、供給ノードN101の電圧（電圧緩和トランジスタ102のソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，图 3所示的数据通信电路 11可以还具备图 2所示的辅助晶体管 105。

なお、図3に示したデータ通信回路11は、図2に示した補助トランジスタ105をさらに備えていても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，图 3所示的数据通信电路 12可以还具备图 2所示的辅助晶体管 106。

なお、図3に示したデータ通信回路12は、図2に示した補助トランジスタ106をさらに備えていても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

该情况下，供给节点 N201p、N201n的电压(电压缓和晶体管 202p、202n的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”。

この場合、供給ノードN201p，N201nの電圧（電圧緩和トランジスタ202p，202nのソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，图 7所示的数据通信电路 21可以还具备图 6所示的辅助晶体管 205p、205n。

なお、図7に示したデータ通信回路21は、図6に示した補助トランジスタ205p，205nをさらに備えていても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

晶体管 203的所有传送门控制栅极在每一像素 210行内连接在一起。

トランジスタ203の全てのトランスファゲート制御ゲートは、画素203の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

晶体管 202缓冲浮动扩散部 204与输出列信号导线之间的电压。

トランジスタ202は、フローティング・ディフュージョン204と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。 - 中国語 特許翻訳例文集

晶体管 303的所有传送门控制栅极在每一像素 310行内连接在一起。

トランジスタ303の全てのトランスファゲート制御ゲートは、画素310の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

晶体管 302缓冲浮动扩散部 304与输出列信号导线之间的电压。

トランジスタ302は、フローティング・ディフュージョン304と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。 - 中国語 特許翻訳例文集

晶体管 103的所有传送门控制栅极在每一像素 110行内连接在一起。

全てのトランジスタ103のトランスファゲート制御ゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

晶体管 102缓冲浮动扩散部 104与输出列信号导线之间的电压。

トランジスタ102は、フローティング・ディフュージョン104と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 6B说明根据本发明的一个实施例的斜坡产生器 (图 2的 203、204、210和 211)的晶体管级实现 610。

図6Bは、本発明の一実施形態に係る、ランプ発生器（図2の203、204、210及び211）のトランジスタレベルでの実装例610を示したものである。 - 中国語 特許翻訳例文集

图6C说明根据本发明的另一个实施例的斜坡产生器(图2的203、204、210和211)的晶体管级实现 620。

図6Cは、本発明の一実施形態に係る、ランプ発生器（図2の203、204、210及び211）のトランジスタレベルでの実装例620を示したものである。 - 中国語 特許翻訳例文集

MOS晶体管 5的主电极中的另一个与共用输出线 8和差分放大器电路 4的反相输入端子连接。

MOSトランジスタ5の他方の主電極は、共通出力線8および差動増幅回路4の反転入力端子と接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在该状态下，由于 MOS晶体管 25处于 ON状态，因此，箝位电容器的端子中的另一个与电源电压 VGR连接。

このときMOSトランジスタ25が導通しているので、クランプ容量の他方の端子は電源電圧VGRに接続された状態となる。 - 中国語 特許翻訳例文集

这导致通过 MOS晶体管 7引起的电压降对于从输出端子 BOUT输出的信号的影响减小。

したがって、出力端子BOUTから出力される信号からは、MOSトランジスタ7で生じる電圧降下の影響が低減されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 t19到时段 t22期间，在将电压 Vtrg3供应到转移晶体管 22的控制电极的情况下，与上面相同的操作被重复执行。

期間t19から期間t22では、転送トランジスタ22の制御電極への供給電圧をVtrg3として同様の動作を繰り返して実行する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 11中，示出了被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电压的时序的另一个实例。

図11に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについての別の例を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 12中，示出了将被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电极的时序的另一个实例。

図12に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについてのさらに別の例を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

像素电路具有如下配置，其中，复位电压 Vrst被选择性地从垂直信号线 111供应，因此，复位晶体管 23被连接在 FD区 26(放大晶体管 24的栅电极 )和垂直信号线 111之间，并且复位电压 Vrst通过开关晶体管 27被选择性地供应到垂直信号线 111，所示开关晶体管 27通过开关脉冲 SW导通。

この画素回路では、リセット電圧Vrstを垂直信号線111から選択的に供給する構成となっているために、リセットトランジスタ23がFD部26（増幅トランジスタ24のゲート電極）と垂直信号線111との間に接続されるとともに、垂直信号線111にはスイッチパルスSWでオン状態となるスイッチトランジスタ27を介して選択的にリセット電圧Vrstが供給されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 t0，通过使得复位脉冲 RST为“H”电平并且使得复位晶体管 23处于导通状态，复位 FD区 26。

期間t0でリセットパルスRSTが“H”レベルになり、リセットトランジスタ23がオン状態になることによってFD部26をリセットする。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 T3的情形中，在时段 t1，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势，作为复位电平。

期間T3の場合は、期間t1でFD部26の電位をリセットレベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 T3的情形中，在时段 t3，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势作为信号电平。

期間T3の場合は、期間t3でFD部26の電位を信号レベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 S3的情形中，在时段 t1，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势，作为复位电平。

期間S3の場合は、期間t1でFD部26の電位をリセットレベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 S3的情形中，在时段 t3，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势作为信号电平。

期間S3の場合は、期間t3でFD部26の電位を信号レベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

操作实例 4也是在 CMOS图像传感器具有包括三个晶体管的像素电路的像素的情况下的实例。

この動作例4も、3トランジスタ構成の画素回路の単位画素を持つCMOSイメージセンサの場合の動作例である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在此状态中，通过向转移晶体管 22的控制电极施加中间电压 Vfg1，电荷 Qi1的一部分被转移到 FD区 26。

この状態において、転送トランジスタ22の制御電極に中間電圧Vfg1を印加することで、電荷Qi1の一部がFD部26へ転送される。 - 中国語 特許翻訳例文集

传送的信号电荷在浮置扩散 22处被转换为电压信号，并输出到放大晶体管 Tr3的栅极。

FD22は転送された信号電荷を電圧信号に変換して増幅トランジスタTr3のゲートに出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

从浮置扩散 22输出的电压信号通过放大晶体管 TR3放大，并输出到列信号线 VSL。

FD22から出力される電圧信号は増幅トランジスタTr3により増幅され、列信号線VSLに出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，如果晶体管 204的 1/f噪声与热噪声相比是占主导的，那么可以降低总噪声。

よって、トランジスタ204の1／fノイズが熱ノイズよりも支配的な場合には、総ノイズを低減することが可能となる。 - 中国語 特許翻訳例文集

将辉度分布稳定的白色光分离成红色、绿色、蓝色的光成分并提供给各色光用的液晶光阀的分离光学系统； 和通过液晶光阀将对各色光根据图像信号调制后的各色光再度合成的各色光的合成光学系 (都未图示 )。

光学部111は、ランプ110が放射する白色光を輝度分布の安定した略平行光に変換するインテグレーター光学系と、輝度分布の安定した白色光を赤色、緑色、青色の光成分に分離して各色光用の液晶ライトバルブに供給する分離光学系と、液晶ライトバルブにて各色光毎に画像信号に応じて変調された各色光を、再度合成する合成光学系（いずれも図示せず）とを含む。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一，当被连接到一垂直信号线 122的所有像素 20的选择晶体管 25被关断时，恒流源 30也被关断；

・1本の垂直信号線122に接続された画素20の全選択トランジスタ25をオフするときに定電流源30もオフする。 - 中国語 特許翻訳例文集

然后，选择脉冲 SEL被禁止 (inactivate)(例如，-1V的负电压 )，以关断选择晶体管 25。

しかる後、選択パルスSELを非アクティブ（負電圧、例えば−1V）にし、選択トランジスタ25をオフさせる。 - 中国語 特許翻訳例文集

M个开关晶体管 14的各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电流控制线 16上。

M個のスイッチトランジスタ14の各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電流制御線16に並列に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

读出晶体管 21通过与栅极端子连接的读出线 READ的电压来进行导通 /截止控制。

読み出しトランジスタ21は、ゲート端子に接続される読み出し線READの電圧によりオン・オフ制御される。 - 中国語 特許翻訳例文集

放大晶体管 23的源极端子与垂直信号线 VSL连接，栅极端子与 FD25连接。

増幅トランジスタ23は、ソース端子が垂直信号線VSLに接続され、ゲート端子がFD25に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在数据线 10侧的 2个 NMOS晶体管 25、27的各栅极端子公共被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。

データ線10側の2つのNMOSトランジスタ25，27の各ゲート端子には列選択回路5aからの列選択信号が共通に入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

控制信号线 21侧的 NMOS晶体管 40的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。

制御信号線21側のNMOSトランジスタ40のゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在列选择信号被输出而处于高电平的期间内，控制信号驱动电路 20中，NMOS晶体管 40导通。

列選択信号が出力されて高レベルである期間では、制御信号駆動回路20では、NMOSトランジスタ40がオンする。 - 中国語 特許翻訳例文集

数据线 10侧的 NMOS晶体管25的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。

データ線10側のNMOSトランジスタ25のゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集