「晶」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

(可以采用将在该环境下可得到的光用作照明光而无需提供光源单元 10的实施例。在这种情况下，可以根据需要设置照明光系统 )。 半透明反射镜 22、透镜 23、液晶可调滤光器 24和透镜 25构成通过引导由于照明光照射到物体 2上而反射的光而进行成像的成像光学系统。

（光源部10を設けずに環境にある光を照明光として利用する形態も可能である。この場合照射光学系は必要に応じて設ければよい。）ハーフミラー22，レンズ23，液晶チューナブルフィルタ24およびレンズ25は、照明光学系により導かれた照明光が測定対象物2へ照射されて生じた反射光を導いて結像する結像光学系を構成している。 - 中国語 特許翻訳例文集

为了提供与用户的交互，在本说明书中描述的主题的实施例可以被实现在计算机上，该计算机具有显示设备与键盘和指示设备，该显示设备例如是 CRT(阴极射线管 )或LCD(液晶显示器 )监控器，用于向用户显示信息，该键盘和指示设备例如是鼠标或跟踪球，通过其用户可以向计算机提供输入。

ユーザとの対話を提供するため、本明細書で説明された主題の実施形態は、ユーザに情報を表示するための例えばCRT(ブラウン管)またはLCD(液晶表示)モニタなどの表示デバイスと、ユーザがそれによってコンピュータに入力を提供できるキーボードおよび例えばマウスまたはトラックボールなどのポインティングデバイスとを有するコンピュータ上で実施することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在成像设备的后表面 10上，目标的图像和模式信息被显示，例如，设置有包括电子取景面板，例如，液晶显示装置 (LCD)，例如，用于显示物体的图像，也用于显示模式信息的显示单元 (下文中称为“LCD监视器”)11、变焦 [远摄 ]开关 SW4、变焦 [广角 ]开关SW5、向上开关 SW6、向右开关 SW7、菜单 /OK开关 SW8、向左开关 SW9、向下开关 SW10、显示开关 SW11、自拍 /删除开关 SW12、重放开关 SW13。

撮像装置の背面10には、被写体の画像を表示しまたモード情報などを表示する、例えば液晶表示素子（LCD）などの電子ビューパネルからなる表示部（以下「LCDモニタ」という）11、ズーム［テレ］スイッチSW4、ズーム［ワイド］スイッチSW5、上スイッチSW6、右スイッチSW7、メニュー／OKスイッチSW8、左スイッチSW9、下スイッチSW10、ディスプレイスイッチSW11、セルフ／削除スイッチSW12、再生スイッチSW13設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

经由通过水平扫描电路319的输出信号318控制的选择晶体管316，将这样读出并存储在 S/H(N)309中的各列的第 m行的 N信号针对每列、顺序地读出到水平输出线 320上。

このようにして読み出されS／H（N）309に記憶された各列のm行目のN信号は、水平走査回路319の出力信号318により制御される選択トランジスタ316を介して、水平出力線320に列ごとに順次読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

同样，经由通过水平扫描电路 319的输出信号 318控制的选择晶体管 317，将读出并存储在S/H(S)310中的各列的第 m行的 S信号针对每列、顺序地读出到水平输出线 321上。

全く同様にして、読み出されS／H（S）310に記憶された各列のm行目のS信号は、水平走査回路319の出力信号318により制御される選択トランジスタ317を介して、水平出力線321に列ごとに順次読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

由于可以以这种方式将栅极宽度 (沟道宽度 )W3和栅极长度 (沟道长度 )L3设置为大，因此与在感光像素 110中相比，可以更多地降低由第二遮光像素 920中的驱动晶体管Td1所生成的噪声。

このように、ゲート幅（チャネル幅）W3とゲート長（チャネル長）L3を大きくとることができるので、感光画素110に比べて、第2の遮光画素920の駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管没有具体说明 VOB钳位的噪声灵敏度和数字钳位的噪声灵敏度之间的比较，但可以根据使用方式来设置驱动晶体管 Td1的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L之间的一些差异。

また、VOBクランプとデジタルクランプについては、どちらがノイズに敏感かの比較は特にしないが、使い方に応じて、駆動トランジスタTd1のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lに差を設けてもかまわない。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管没有具体说明 VOB钳位的噪声灵敏度和数字钳位的噪声灵敏度之间的比较，但可以根据使用方式设置驱动晶体管 Td1的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L之间的一些差异。

また、VOBクランプとデジタルクランプについては、どちらがノイズに敏感かの比較は特にしないが、使い方に応じて、駆動トランジスタTd1のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lに差を設けてもかまわない。 - 中国語 特許翻訳例文集

如考虑要符合与上述尺寸有关的要求，且从圆形的硅晶圆以最佳效率制作呈 1个集成化的固体摄像装置 1A、1B的话，则受光部 10A、10B的形状必须得往一方向成为较长的长方形。

上記のような寸法に関する要求を満たし、かつ、円形のシリコンウェハから最も効率よく1個の集積化された固体撮像装置1A，1Bを作製することを考えると、受光部10A、10Bの形状は一方向に長い長方形とならざるをえない。 - 中国語 特許翻訳例文集

如考虑要符合与上述尺寸有关的要求，且从圆形的硅晶圆以最佳效率制作呈 1个集成化的固体摄像装置 1A、1B的话，则受光部 10A、10B的形状必须得往一方向成为较长的长方形。

上記のような寸法に関する要求を満たし、かつ、円形のシリコンウェハから最も効率よく1個の集積化された固体撮像装置1A，1Bを作製することを考えると、受光部10A，10Bの形状は一方向に長い長方形とならざるをえない。 - 中国語 特許翻訳例文集

在合成来自相同像素列中的两个像素的信号并且读取合成信号的操作中，可通过同时接通传输晶体管 102-1到 102-4来从第一组像素行中的像素和第二组像素行中的像素同时读取信号。

同一画素列の2つの画素の信号を合成して読み出す動作においては、転送トランジスタ102−1〜104を同時にオン状態にすることによって、第1グループの画素行の画素と第2グループの画素行の画素から信号を同時に読み出すことができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

选择晶体管 41的漏极经由相应的节点 N41连接到相应的中间保持单元2(中间保持单元 2的节点 N32)，并且各自的源极耦接到放大电路 42的输入节点。

各選択トランジスタ41のドレイン電極は、対応するノードN41を介してそれぞれ別の中間保持手段2（中間保持手段2のノードN32）に接続されており、ソース電極はすべてショートされ増幅回路42の入力端に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

输入输出接口 510与输入部分 511(包括键盘、鼠标等 )、输出部分 512(包括由CRT(阴极射线管 )、LCD(液晶显示器 )等形成的显示器、扬声器等 )、存储部分 513(包括硬盘等 )和通信部分 514(包括调制解调器等 )连接。

入出力インタフェース510には、キーボード、マウスなどよりなる入力部511、CRT（Cathode Ray Tube）やLCD（Liquid Crystal Display）などよりなるディスプレイ、並びにスピーカなどよりなる出力部512、ハードディスクなどより構成される記憶部513、モデムなどより構成される通信部514が接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

14.如权利要求 10所述的成像设备，其中所述相机阵列包括使用晶片级光学 (WLO)技术制作的多个光学元件，每个光学元件将光线聚焦于所述第一成像器和所述第二成像器中的每一个成像器之上。

14. 前記カメラアレイは、ウェハレベルオプティクス（WLO）技術を用いて作製された複数の光学素子を備え、各光学素子は、前記第1の撮像装置および前記第2の撮像装置それぞれで集光する、請求項10に記載の撮像機器。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生电容器 629包括在第二负载晶体管 624的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和第二参考电流线 602之间形成的布线间电容器。

寄生容量629は、第2負荷トランジスタ624のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と第2基準電流線602との間に形成される配線間容量からなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

当输入信号为高逻辑电平时，第一 FET611将起作用并且将输出 605耦合到三个pMOSFET 617、619和621的公共节点613(并根据是否使用了额外的晶体管段而潜在地耦合到其他 nMOSFET)。

入力信号が高論理レベルの場合、第1のFET611はアクティブになり、出力605を3つのpMOSFET617、619、621（および追加トランジスタ部が使用されるかどうかに依存して可能性として他のnMOSFET）の共通ノード613に接続するだろう。 - 中国語 特許翻訳例文集

在变焦模块 205中使用固定焦距镜头 210的优点为可获得非常紧致且低成本的固定焦距镜头，对于通过晶片级制造而制作的镜头组合件来说尤其如此。

ズームモジュール205内で固定焦点距離レンズ210を使用する利点は、非常に小型でかつ低コストの固定焦点距離レンズが得られることであり、これは特に、ウェーハレベルの製造によって作られるレンズアセンブリに当てはまる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在晶片级制造中，将镜头元件一次多个地制作成阵列，将所述阵列接合在一起且接着对其进行切割以形成个别镜头组合件，如美国专利 6,235,141及 6,610,166中所描述。

ウェーハレベルの製造では、レンズ要素はアレイ内で一度に多数作られ、米国特許第6，235，141号および第6，610，166号に記載のように、これらはともに接合されており、次いでダイスカットされて、個別のレンズアセンブリを形成する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在信号电荷被读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中之后，如果水平控制线 L3、L4的复位线成为高电平，则复位晶体管 2、2′导通，将读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中的信号电荷排出。

フローティングディフージョンFD1、FD1´に信号電荷が読み出された後、水平制御線L3、L4のリセット線がハイレベルになると、リセットトランジスタ2、2´がオンし、フローティングディフージョンFD1、FD1´に読み出された信号電荷が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，通过将用于垂直信号线Vsig1a、Vsig1b的配线H1分别连接在放大晶体管4、4′的源极侧的扩散层 DF1上，能够使浮动扩散部 FD1、FD1′与垂直信号线 Vsig1b、Vsig1a之间的距离分别变大。

また、垂直信号線Vsig1a、Vsig1bに用いられている配線H1をアンプトランジスタ4、4´のソース側の拡散層DF1にそれぞれ接続することにより、フローティングディフージョンFD1、FD1´と垂直信号線Vsig1b、Vsig1aとの間の距離をそれぞれ大きくすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 7的配置中，这是通过将电容器 220作为稳压器 348的分路元件来达成的，其中稳压器 248与 OP amp 254和分路晶体管252一起调节与环路 22耦合的端子上的压降。

図7の機器構成においては、このことは、コンデンサ220を、ループ22に接続する端子をはさむ電圧降下を調整する調整器248のための分路素子として、オペアンプ254及び分路トランジスタ252と併せて配置することによって達成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

也就是说，当在步骤 S34确定，当从 FD 53的重置起在短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平不改变时，处理跳过步骤 S35，并且进行到步骤 S36。

すなわち、ステップS34において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが変化していないと判定された場合、処理はステップS35をスキップし、ステップS36に進む。 - 中国語 特許翻訳例文集

也就是说，当在步骤 S34(图 7的时序图中的时间 T7)确定，当从 FD 53的重置起的短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平急剧下降时，处理进行到步骤S35。

すなわち、ステップS34（図7のタイムチャートの時刻T7）において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが急激に変化したと判定された場合、処理はステップS35に進む。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，在信号电压 VP1从“VTT”降低为“VTT-Vα”、信号电压 VN1从“VTT-Vα”上升为“VTT”的情况下，由于伴随着信号电压 VN1的上升，电压缓和晶体管 202p的电导增加，所以可以加快信号电压 VP1的降低速度。

例えば、信号電圧VP1が“VTT”から“VTT−Vα”に低下し、信号電圧VN1が“VTT−Vα”から“VTT”に上昇する場合、信号電圧VN1の上昇に伴って電圧緩和トランジスタ202pのコンダクタンスが増加するので、信号電圧VP1の低下速度を速めることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在这个实施例中，与图 6B的实施例相比较，当使能 reset_b信号时，即当斜坡正被中止或放电时，PMOS晶体管 M6的增加将悬空节点 fnode下拉到接地。

図6Bの実施形態と比較して、この実施形態では、PMOSトランジスタM6が加えられており、これにより、reset＿b信号がイネーブル状態になる、すなわちランプが中断する又は開放されると、浮いているノードfnodeがグランドレベルに引き下げられる。 - 中国語 特許翻訳例文集

这导致由 MOS晶体管 5或 7引起的电压降对于从输出端子 POUT或BOUT输出的信号的影响减小。

このため、共通出力線8または9の電位は差動増幅回路4または6の仮想接地により差動増幅回路の非反転入力端子と等しくなり、出力端子POUTまたはBOUTから出力される信号からは、MOSトランジスタ5または7で生じる電圧降下の影響が低減される。 - 中国語 特許翻訳例文集

电路块 134具有通过 NOR电路 135的操作而独立于其它电路块 131、132和 133操作的电路配置，以便供应低于地电压的电压 (例如 -0.1V)，作为用于关断转移晶体管 22的电压。

この回路ブロック134では、転送トランジスタ22をオフするための電圧として、接地電圧よりも低い電圧、例えば−1．0Vを供給するために、NOR回路135の作用により他の回路ブロック131，132，133とは排他的に動作する回路構成となっている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在将被供应到转移晶体管 22的栅电极的电压为 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和 Vtrg4的情形中，当通过地址信号 ADR选定行时，根据时序信号 PTRG1、PTRG2和 PTRG3，对应于各个时序信号的电压Vtrg1、Vtrg2和 Vtrg3被供应，而电压 Vtrg4被供应到其它行。

転送トランジスタ22のゲート電極に供給する電圧をVtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4とした場合において、アドレス信号ADRによって行が選択された際に、タイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3によって、それぞれに対応する電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3を供給し、それ以外は電圧Vtrg4を供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在上面的实施例中，解释了其中本发明应用于 CMOS图像传感器 (其中，包括选择晶体管 25的单元像素 20(参考图 1)以矩阵形式布置 )的情形，但是本发明不限于该应用。

なお、上記実施形態では、選択トランジスタ25を含む単位画素20（図1参照）が行列状に配置されてなるCMOSイメージセンサに適用した場合について説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではない。 - 中国語 特許翻訳例文集

在中间转移之前，在时段 T2，中间电压 (对应于图 4B中的电压 Vtrg1)被施加到转移晶体管 22的控制电极，并且在具有大量入射光的像素中产生的信号电子被部分地转移到 FD区 26。

中間読み出しの前に、期間T2で中間電圧（図4の電圧Vtrg1に相当）を転送トランジスタ22の制御電極に印加し、入射光量の大きい画素で発生した信号電荷を部分的にFD部26へ転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 T3，与时段 T2的相同或者不同的中间电压被施加到转移晶体管 22的控制电极，并且在具有大量入射光的像素中产生的信号电荷再次被部分转移到 FD区 26。

期間T3で転送トランジスタ22の制御電極に期間T2と同じ、あるいは異なる中間電圧を印加することにより、再び入射光量の大きい画素で発生した信号電荷を部分的にFD部26へ転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集

操作实例 4是其中顺序地多次执行通过中间转移完成的信号读出的实例，并且通过从低级开始施加多个电压到转移晶体管 22的控制电极，可以获得对应于各个电压的补偿量的补充信号。

動作例4は、中間転送による信号の読み出しを続けて複数回実行する動作例となっており、複数の電圧を低い電圧から順に転送トランジスタ22の制御電極に印加することにより、それぞれの電圧に対応した補正量の補正信号を得ることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

被执行以在时段 (10)期间向低灵敏度模式转换的操作的特征在于，在时段 (14)中从缓冲放大器 202输出的信号 -S3包含由于 MOS晶体管 115在累积操作期间进入导通状态而出现的噪声。

期間（10）から低感度モードに移行する動作で特徴的なのは、期間（14）にバッファアンプ202から出力される信号−S3には、蓄積動作中にMOSトランジスタ115を導通させたことによるノイズが含まれる。 - 中国語 特許翻訳例文集

IR接收器 32、光电晶体管或光电二极管 12、IR驱动器 33和 IR发射器或 LED 13是众所周知的电路和装置，其通常在不同 IC或分立封装中可获得、与 IR通滤波器和 /或低通滤波器包封在一起。

IR受信機32、フォトトランジスタまたはフォトダイオード12、IRドライバ33およびIR送信機またはLED13は、よく知られている回路およびデバイスであり、IR通過フィルタおよび／または低域通過フィルタと共にカプセル化された様々なICまたは個別パッケージで一般に入手することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

命令转换器 259P的组合双向 TX-RX驱动器 /接收器 33A和 32A（也称为收发器）经由与调光器电路 6M-2的 LED 13A和光电二极管 12A互易的 LED 13A和光电晶体管或二极管 12A来馈送和接收协议。

命令変換器259Pのトランシーバとも呼ばれる組合せ両方向TX−RXドライバ／受信機33Aおよび32Aは、調光器回路6M−2のLED13Aおよびフォトダイオード12Aに相当するLED13Aおよびフォトトランジスタまたはダイオード12Aを介してプロトコルを送り、また受信する。 - 中国語 特許翻訳例文集

M个开关晶体管 12的各漏极端子并联地连接在偏压生成电路 5的输出端子上，各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电压控制线 13上。

M個のスイッチトランジスタ12の各ドレイン端子はバイアス電圧生成回路5の出力端子に並列に接続され、各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電圧制御線13に並列に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

由于 NMOS晶体管 41始终是导通的，因此进行控制信号线 21的放电，在控制信号线 21的电位下降且通过了逻辑匹配电路 48的阈值的定时，如图 7(3)所示，控制端 47显现出控制信号。

NMOSトランジスタ41は常時オンしているので、制御信号線21の放電が行われ、制御信号線21の電位が低下し論理整合回路48の閾値を過ぎるタイミングで、図7（3）に示すように、制御端47に制御信号が現れる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 S62中，采用类似于步骤 S55的处理，单元像素 131的目标行使浮置扩散区145复位，释放当前帧的信号电荷 S1，并停止选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。

ステップS62において、注目行の単位画素131は、ステップS55と同様の処理により、浮遊拡散領域145をリセットし、現在のフレームの信号電荷S1を排出し、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加を停止する。 - 中国語 特許翻訳例文集

以平板显示器的形式 (诸如，彩色显示管 (CDT)、彩色显像管 (CPT)、多媒体显示管(MDT)、LCD、PDP、OLED或 LED)来准备显示单元 130，并且显示单元 130显示广播信号的手册文件或图像信号。

ディスプレイ部130は、カラー表示管（CDT）、カラー受像管（CPT）、マルチメディア表示管（MDT）、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイ（PDP）、有機発光ダイオード（OLED）又は発光ダイオード（LED）などの平板ディスプレイであって、使用説明書ファイル又は放送信号の画像信号を表示する。 - 中国語 特許翻訳例文集

输入和输出接口 610连接到由键盘、鼠标等构成的输入单元 611、由显示器 (由CRT(阴极射线管 )、LCD(液晶显示 )等构成 )、扬声器等构成的输出单元 612、由硬盘等构成的存储单元 613以及由调制解调器等构成的通信单元 614。

入出力インタフェース610には、キーボード、マウスなどよりなる入力部611、CRT（Cathode Ray Tube）やLCD（Liquid Crystal Display）などよりなるディスプレイ、並びにスピーカなどよりなる出力部612、ハードディスクなどより構成される記憶部613、モデムなどより構成される通信部614が接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

如上所述，在第三遮光像素 930和第四遮光像素 940中，由于可以将栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L设置为大，因此与在感光像素 110中相比，在第三遮光像素 930和第四遮光像素 940中，可以更多地降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

このように、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940においては、ゲート幅（チャネル幅）Wとゲート長（チャネル長）Lを大きくとることができるので、感光画素110に比べて、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940の駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，只要可以增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，就可以根据驱动晶体管 Td1的布局，颠倒栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L增大的方向 (水平方向和垂直方向 )的组合。

さらに、本実施形態においては、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくするためであれば、駆動トランジスタTd1のレイアウトによっては、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方向（水平方向あるいは垂直方向）の組み合わせが逆になってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该操作具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第三 OB区域 63、第四 OB区域 64、第五 OB区域 65和第六 OB区域 66中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。

ここで、第3のOB領域63、第4のOB領域64、第5のOB領域65および第6のOB領域66に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第三 OB区域 63、第四 OB区域 64和第七OB区域 67中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。

ここで、第3のOB領域63、第4のOB領域64および第7のOB領域67に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第五 OB区域 65、第六 OB区域 66和第八 OB区域 68中排列第一遮光像素910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。

ここで、第5のOB領域65、第6のOB領域66および第8のOB領域68に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在 OB区域 610、620和 621中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。

ここで、OB領域610、620および621に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在 OB区域630、640、650、651、652、660、661和662中排列第一遮光像素910、第二遮光像素920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。

ここで、OB領域630、640、650、651、652、660、661、および662に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第三 OB区域 63、第四 OB区域 64、第九 OB区域 69和第十 OB区域 70中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。

ここで、第3のOB領域63、第4のOB領域64、第9のOB領域69および第10のOB領域70に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第八 OB区域 68、第九 OB区域 69和第十OB区域 70中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。

ここで、第8のOB領域68、第9のOB領域69および第10のOB領域70に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

可以通过使第八 OB区域 68以与第一实施例中的 HOB区域相同的方式工作、并且在第九 OB区域 69和第十 OB区域 70中排列遮光像素从而满足本实施例中针对 VOB区域的条件 (3)和 (4)，来更多地降低由第十 OB区域 70中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

第8のOB領域68は、第1の実施形態のHOB領域と同じように動作させ、第9のOB領域69および第10のOB領域70は、本実施形態のVOB領域の条件（3）および（4）となるように遮光画素を配列させることで、第10のOB領域70の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集