「晶」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

在所述采样晶体管 N1被切换为导通状态之前，所述信号线 DTL的电位被切换为所述信号电位 Vsig(图 15A至 15C和图 16A至 16C)。

なお、サンプリングトランジスタN1がオン状態に切り替わる前には、信号線DTLの電位が信号電位Vsigに切り替わっている（図15（A）〜（C），図16（A）〜（C））。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构，其形成于半导体上。

例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

调齐传感器 39分别是具有夹着输送路 P而对置的发光部 (LED等 )和受光部 (光电晶体管等 )的光透射型的传感器，沿着主扫描方向排列配置。

整列センサー39は、それぞれ搬送路Pを挟んで対向する発光部（LED等）と受光部（フォトトランジスター等）とを備える光透過型のセンサーであり、主走査方向に並べて配設されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过如此构成，可以按照供给节点 N101的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制供给节点 N101的电压。

このように構成することにより、供給ノードN101の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように供給ノードN101の電圧を制限できる。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过如此构成，可以按照输入节点 N103的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制输入节点 N103的电压，因此能够可靠地防止接收器103的耐压破坏。

このように構成することにより、入力ノードN103の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように入力ノードN103の電圧を制限できるので、レシーバ103の耐圧破壊を確実に防止できる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，由于能够对应于信号电压 VP1、VN1的互补变动而使电压缓和晶体管 202p、202n的电导互补地变化，所以可减轻信号电压 VP1、VN1的变动速度的劣化。

また、信号電圧VP1，VN1の相補的な変動に応じて電圧緩和トランジスタ202p，202nのコンダクタンスを相補的に変化させることができるので、信号電圧VP1，VN1の変動速度の劣化を軽減できる。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过如此构成，可以按照供给节点 N201p、N201n的电压不超过辅助晶体管 205p、205n的栅极电压的方式来限制供给节点 N201p、N201n的电压。

このように構成することにより、供給ノードN201p，N201nの電圧が補助トランジスタ205p，205nのゲート電圧を超えないように供給ノードN201p，N201nの電圧を制限できる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在数据通信电路 31中，驱动器 201、电压缓和晶体管 202p、202n以及信号节点 NP1、NN1的连接关系与图 5所示的连接关系同样。

データ通信回路31において、ドライバ201，電圧緩和トランジスタ202p，202n，および信号ノードNP1，NN1の接続関係は、図5に示した接続関係と同様である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在一个实施例中，被输入到图 6B和图 6C的 PMOS晶体管 M2的信号“空闲”用于绕过斜坡产生器 610和 620。

一実施形態において、図6B及び図6CのPMOSトランジスタM2に入力される信号"アイドル"は、ランプ発生器610、620をバイパスするのに使用される。 - 中国語 特許翻訳例文集

虽然图 6B和图 6C的实施例被示出为基于 CMOS的设计，但是可以使用其他晶体管技术 (例如，ECL、BJT、BiCMOS等 )来实现相同的设计，而不改变本发明的本质。

図6B及び図6Cの実施形態では、CMOSをベースとした設計が示されたが、他のトランジスタ技術（例えば、ECL、BJT、BiCOMS等）を、本発明の本質を変更することなく同じ設計を実装するのに採用してもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

PD 1的阴极与电源电压 VDD连接，PD 1的阳极与复位 MOS晶体管 3的主电极中的一个和运算放大器 2的非反相输入端子连接。

PD1のカソードは電源電圧VDDに接続され、アノードはリセットMOSトランジスタ3の一方の主電極およびオペアンプ2の非反転入力端子に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分放大器电路 4的非反相输入端子与单位像素的输出端子连接，并且，差分放大器电路 4的输出端子与用作第一开关的 MOS晶体管 5的主电极中的一个连接。

差動増幅回路4の非反転入力端子は単位画素の出力端子と接続され、その出力端子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ5の一方の主電極に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分放大器电路 6的非反相输入端子与单位像素的输出端子连接。 差分放大器电路 6的输出端子经由用作第一开关的MOS晶体管 7与差分放大器电路 6的反相输入端子连接。

差動増幅回路6の非反転入力端子は単位画素の出力端子と接続され、その出力端子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ7を介して自身の反転入力端子に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，在最小值检测单元 BTM的输出端子 BOUT处获得来自所有电路块之中具有输入到 MOS晶体管 66的控制电极的最小信号的电路块的输出。

これにより、最大値検出部BTMの出力端子BOUTからは、MOSトランジスタ66の制御電極に入力される信号が最小となる回路ブロックの出力が得られる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在源极 9和漏极 13这两者与半导体有源层 8之间形成例如掺有杂质的非晶硅等的掺有杂质的半导体层 (附图中未示出 )。

このソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層（不図示）が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在源极 9以及漏极13这两者和各半导体有源层 8之间形成例如掺有杂质的非晶硅等的掺有杂质的半导体层(附图中未示出 )。

このソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層（不図示）が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

时序发生器 (TG)15生成时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3(参考图 2)，用于确定供应电压控制电路 13向转移晶体管 22的栅电极供应控制电压的定时。

タイミング発生回路（TG）15は、供給電圧制御回路13が転送トランジスタ22のゲート電極に制御電圧を供給する際のタイミングを決めるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3（図2参照）を発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集

接着，在时段“t13”，电压 Vtrg1被供应到转移晶体管 22的控制电极，并且根据光电二极管 21中的存储电子的量 (其由入射光强度决定 )，电子被部分地转移到 FD区 26。

次に、期間t13で転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrg1を供給し、入射光強度によって決まるフォトダイオード21の蓄積電子の量に応じて部分的にFD部26へ転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 t4，通过使得复位脉冲 RST为“H”电平并且使得复位晶体管 23处于导通状态 (充当电子快门 )，复位 FD区 26。

期間t4でリセットパルスRSTが“H”レベルになり、リセットトランジスタ23がオン状態になることによってFD部26をリセットし、電子シャッタの動作をする。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 20E是时段 T3、T4中时段 t3的电势图，这时转移晶体管 22在完全转移读出信号之后处于关断状态。

図20（e）は、期間T3，T4における期間t3、即ち信号を読み出すべく完全転送後に転送トランジスタ22をオフ状態にしたときのポテンシャル図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

模块 32包括一行边缘发射光电元件 70，诸如激光二极管，它们形成在衬底 72诸如硅晶片上。

照明モジュール32はレーザダイオードのような1行の端部放出型光電子要素70を有し、それはシリコンウェハのような基板72上に形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

MOS晶体管 221和恒流源 225包含于源跟随器电路中，并且，源跟随器电路的输出端子与反馈开关 227的另一端子连接。

MOSトランジスタ221は定電流源225とともにソースフォロワ回路を構成し、その出力はフィードバックスイッチ227の他方の端子と接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 (8)中，首先，信号 上升到高电平，并且，包含 MOS晶体管 221和恒流源 225的源跟随器的输出与共用输出线 102连接。

期間（8）においては、まず、信号φFBがハイレベルになり、MOSトランジスタ221と定電流源225とで構成されるソースフォロワの出力を共通出力線に接続する。 - 中国語 特許翻訳例文集

22： 内部测光传感器；

10…DSC、11…撮像レンズ、12…撮像素子、13…モニター用LCD、14…EVF、14a…液晶パネル、14b…バックライト、15…筺体、16…覗き窓、17…制御部、17a…CPU、17b…ROM、17c…RAM、18…撮像素子ドライバー、19…外部測光センサー、20…A／D変換部、21…照明部、21a…LED、22…内部測光センサー、23…A／D変換部、24…近接センサー - 中国語 特許翻訳例文集

术语接收器指的是光电二极管、PIN二极管、光电晶体管或用于接收 IR或可见光信号并将它们转换为电信号的其他光电检测器。

受信機という用語は、IRまたは可視光信号を受信し、それを電気信号に変換するフォトダイオード、Pinダイオード、フォトトランジスタ、または他の光検出器を意味する。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 2示出了除了 IR RX和 LPF 32、光电晶体管 12、IR TX 33和 IR发射器或 LED 13之外具有与 SPDT调光器 6MIR中采用的等同或类似的电路和装置的 SPDT调光器电路 6M-2。

図2は、IRRXおよびLPF32、フォトトランジスタ12、IRTX33およびIR送信機またはLED13を除いて、SPDT調光器6MIRで使用された同一または同様な回路およびデバイスを有するSPDT調光器回路6M−2を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

接着，下面将详细描述后一种方法即当选择晶体管 25被关断时将负电压施加到栅极的实施例。

続いて、後者の手法、即ち選択トランジスタ25をオフするときにゲートに負電圧を与える具体的な実施例について以下に説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

接着，将参照图 7所示的时序图来描述当应用根据第二实施例的方法时像素 20和负载晶体管 31的操作。

次に、第2実施例に係る手法を適用した場合の画素20および負荷トランジスタ31の動作について、図5のタイミングチャートを用いて説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

复位晶体管 22的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与 FD25连接，栅极端子与复位线 RESET连接。

リセットトランジスタ22は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子がFD25に接続され、ゲート端子がリセット線RESETに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

复位晶体管 22通过复位线 RESET的电压进行导通 /截止控制，该导通期间中将 FD25的电压设定为电源 26的电压 VDD。

リセットトランジスタ22は、リセット線RESETの電圧によりオン・オフ制御され、そのオン期間においてFD25の電圧を電源26の電圧VDDに設定する。 - 中国語 特許翻訳例文集

即，放大晶体管 23仅源极端子与浮动状态的垂直信号线 VSL连接，不进行源极跟踪器电路的动作。

つまり、増幅トランジスタ23は、ソース端子がフローティング状態の垂直信号線VSLに接続されているだけであるので、ソースフォロワ回路の動作を行わない。 - 中国語 特許翻訳例文集

基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3侧的 3个 NMOS晶体管 30、33、35的各栅极端子被公共输入来自列选择电路 5a的列选择信号。

基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3側の3つのNMOSトランジスタ30，33，35の各ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が共通に入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

各控制信号驱动电路 20为相同构成，包括串联连接于控制信号线 21与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 40、41。

各制御信号駆動回路20は、同じ構成であって、制御信号線21とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ40，41で構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

此时，由于 PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中所对应的基准电压线。

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 13中，各数据传输电路 18b构成都相同，包括串联连接于数据线 10与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 25、26。

図13において、各データ転送回路18bは、同じ構成であって、データ線10とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ25，26で構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 14中，各基准电压驱动电路 19b的构成相同，包括串联连接于作为 1条基准电压线 11b的基准电压线 Vref与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 30、31。

図14において、各基準電圧駆動回路19bは、同じ構成であって、1本の基準電圧線11bである基準電圧線Vrefとグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ30，31で構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

另一方面，在基准电压驱动电路 19b中，在列选择信号被输出且处于高电平的期间内，驱动基准电压线 Vref的 NMOS晶体管 30导通。

一方、基準電圧駆動回路19bでは、列選択信号が出力されて高レベルである期間では、基準電圧線Vrefを駆動するNMOSトランジスタ30がオンする。 - 中国語 特許翻訳例文集

此时，由于PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中对应的基准电压线。

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，复位晶体管 146的栅电极施加有复位脉冲 RST，浮置扩散区 145被复位，从而从浮置扩散区 145中释放多余电荷N0。

また、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から不要電荷N0が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地，将复位脉冲 RST施加至复位晶体管 146的栅电极，使浮置扩散区145复位，电荷从浮置扩散区 145释放。

具体的には、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から電荷が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地，在时间t19，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145被复位，并从浮置扩散区 145中释放信号电荷 S1。

具体的には、時刻t19において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S1が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地，在时间t22，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145复位，且从浮置扩散区 145释放信号电荷 S2。

具体的には、時刻t22において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S2が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

这里，此时，选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147栅电极的状态持续到步骤 S55。

なお、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS55まで継続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，此时，选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147的栅电极的状态持续到步骤 S62。

また、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS62まで継続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

光电二极管 PD进行将光信号变换为电信号的光电变换，其正极连接在接地电压GND上，负极连接在读取晶体管 READTr的电流路径的一端。

フォトダイオードPDは光信号を電気信号に変換する光電変換を行い、そのアノードは接地電源GNDに接続され、カソードは読み出しトランジスタREADTrの電流経路の一端に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在读取动作中，首先对单位像素 3的复位晶体管 RSTTr的栅极赋予复位脉冲(RST)，向垂直信号线 L输出复位信号。

読み出し動作は、まず、単位画素3のリセットトランジスタRSTTrのゲートにリセットパルス（RST）を与え、リセット信号を垂直信号線VSLに出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在将未经调制的或调制过的载波作为互补类型的传输信号从调制器 14输入到传输放大器 15上时，用晶体管 T1和 T2放大此传输信号并提供给天线 16。

送信アンプ15は、変調器14から無変調または変調された搬送波が送信信号として相補型の形態で入力されると、その送信信号は、トランジスタT1，T2により増幅されてアンテナ16に供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集

参照图 1，摄像机 10包括： 控制摄像机 10整体的中央运算装置 (CPU)11、存储由 CPU11执行的程序等的 ROM(Read Only Memory)13、定时生成部 (TG)15、透镜 16、图像传感器 17、麦克风 21、模拟 /数字变换部 (A/D)19、23、存储器控制部 25、SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)27、LCD驱动器 29、液晶显示装置 (LCD)31、JPEG(Joint PhotographicExperts Group)-CODEC33、MPEG(Moving Picture Experts Group)-CODEC35、作为大容量存储装置的硬盘驱动器 (HDD)37、操作部 41。

図1を参照して、ビデオカメラ10は、ビデオカメラ10の全体を制御する中央演算装置（CPU）11と、CPU11が実行するためのプログラム等を記憶するROM（Read Only Memory）13と、タイミング生成部（TG）15と、レンズ16と、イメージセンサ17と、マイクロホン21と、アナログ／デジタル変換部（A／D）19，23と、メモリ制御部25と、SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）27と、LCDドライバ29と、液晶表示装置（LCD）31と、JPEG（Joint Photographic Experts Group）−CODEC33と、MPEG（Moving Picture Experts Group）−CODEC35と、大容量記憶装置としてのハードディスクドライブ（HDD）37と、操作部41と、を含む。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，在图 1及图 2所示的 TFT阵列基板 10上，添加上述数据线驱动电路 101，扫描线驱动电路 104等的驱动电路，也形成对图像信号线上的图像信号进行采样并供给数据线的采样电路，对多个数据线先于图像信号分别供给规定电压电平的预充电信号的预充电电路，用于检查制造途中、负载时的该液晶装置 100的品质，缺陷等的检查电路等。

尚、図1及び図2に示したTFTアレイ基板10上には、上述したデータ線駆動回路101、走査線駆動回路104等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置100の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

1 投影机，3A、3B 通信电缆，4 遥控器，7A、7B 传输线路，9 输入部，11～ 14 输入端子，21 DVI接收机，22 HDMI接收机，23 A/D转换器，24 Video解码器，30 输入选择部，31～ 34 输入部，35 切换输入部，36、37 输出端子，40 存储器，42、44 尺度转换 (scaling)部，46 影像信号处理部，48 OSD存储器，50 液晶显示驱动部，52 光学系统，60 控制部，62 保存部，64 操作接受部，100 主窗口，102、104、106 子窗口，201～ 206 窗口，400 常规影像显示用存储器区域，401～ 40n 历史影像用存储器区域，SC 屏幕

1 プロジェクタ、3A，3B 通信ケーブル、4 リモコン、7A，7B 伝送路、9 入力部、11〜14 入力端子、21 DVIレシーバ、22 HDMIレシーバ、23 A／Dコンバータ、24 Videoデコーダ、30 入力選択部、31〜34 入力部、35 切替入力部、36，37 出力端子、40 メモリ、42，44 スケーリング部、46 映像信号処理部、48 OSDメモリ、50 液晶表示駆動部、52 光学系、60 制御部、62 保存部、64 操作受付部、100 メインウィンドウ、102，104，106 サブウィンドウ、201〜206 ウィンドウ、400 通常映像表示用メモリ領域、401〜40n 履歴映像用メモリ領域、SC スクリーン。 - 中国語 特許翻訳例文集