「极」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

同样在这种情况下，还可以通过以与针对第一阵列示例的方式相同的方式设置第一 HOB区域和第二 HOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止对噪声敏感的 HOB钳位的错误校正。

この時も、第1のHOB領域および第2のHOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第1の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感なHOBクランプの誤補正をさらに防止することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，还可以通过以与针对第一阵列示例的方式相同的方式设置第一 VOB区域和第二 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止对噪声敏感的垂直条纹噪声的错误校正。

また、第1のVOB領域および第2のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第1の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感な縦スジノイズの誤補正をさらに防止することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，可以通过以与针对第四阵列示例的方式相同的方式设置第四 VOB区域和第五 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止垂直条纹噪声的错误校正。

また、第4のVOB領域および第5のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第4の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感な縦スジノイズの誤補正をさらに防止することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在漏光修正用像素 24中，光接收区域 54的 n型半导体区域 34与溢出漏极区域 38连接，从在提供了 n型半导体区域 34与溢出漏极区域 38之间的常导通状态。

一方、漏れ込み光補正用画素24では、受光領域54のn型半導体領域34がオーバーフロードレイン領域38に接続されており、常にn型半導体領域34とオーバーフロードレイン領域38間が導通状態にある。 - 中国語 特許翻訳例文集

举例来说，第一发射器处的第一极性可指示第一发射器正供应电流，而第二发射器处的第二极性可指示第二发射器正汲取电流。

例えば、第1の送信機での第1の極性は、第1の送信機が電流を吐き出している（ソースしている）ことを示してもよいし、第2の送信機での第2の極性は、第2の送信機が電流を吸い込んでいる（シンクしている）ことを示してもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

在另一实施例中，所述多个预定状态还可包括一个或一个以上状态，其具有第四发射器处的第一极性或第二极性，或在所述第四发射器为不活动的情况下，或其任何组合。

別の実施形態において、複数の予め定義された状態は、第4の送信機で第1の極性または第2の極性をもつ、第4の送信機が非アクティブである、またはそれらの任意の組み合わせである、一またはそれ以上の状態を含んでもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

选择晶体管 41的漏极经由相应的节点 N41连接到相应的中间保持单元2(中间保持单元 2的节点 N32)，并且各自的源极耦接到放大电路 42的输入节点。

各選択トランジスタ41のドレイン電極は、対応するノードN41を介してそれぞれ別の中間保持手段2（中間保持手段2のノードN32）に接続されており、ソース電極はすべてショートされ増幅回路42の入力端に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在该第一垂直传送操作中，在栅极信号处于高电平的同时将来自像素 1的信号写入到中间保持单元 2的相应的中间保持电容器 31中，并且在栅极信号 下降时保持这些信号值 (P11)。

第1の垂直転送動作では、ゲート信号φCMのハイレベル期間に各画素1からの信号が、それぞれ接続されている中間保持手段2の中間保持容量31に書き込まれ、ゲート信号φCMの立下り時に信号値がホールドされる（P11）。 - 中国語 特許翻訳例文集

按相类似的方式，如图 7和图 9中所示，在进行极性反转时的写时刻，使用图 10中所示的查找表 LUT1执行过激励处理。 在不进行极性反转时的写时刻，使用图 11中所示的查找表 LUT2执行过激励处理。

同様に、図7および図9に示すように、極性反転が行われる書き込みの際には、図10のLUT1を使用してオーバードライブ処理を行い、極性反転が行われていない場合の書き込み時には図11のLUT2を使用してオーバードライブ処理を行う。 - 中国語 特許翻訳例文集

像素电极 9a与 TFT30的漏极电气连接，使开关元件即 TFT30在一定期间闭合其开关，从而将从数据线 6a供给的图像信号 S1、S2、...、Sn在规定的定时写入。

画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、・・・、Snが所定のタイミングで書き込まれる。 - 中国語 特許翻訳例文集

左眼快门STL和右眼快门 STR中的每个快门包括第一透明基板、在第一透明基板上形成的第一透明电极、第二透明基板、在第二透明基板上形成的第二透明电极、和夹在第一透明基板和第二透明基板之间的液晶层。

左目シャッターSTLと右目シャッターSTRそれぞれは、第1透明基板、第1透明基板上に形成された第1透明電極、第2透明基板、第2透明基板上に形成された第2透明電極、第1及び第2透明基板上に狭持された液晶層を含む。 - 中国語 特許翻訳例文集

当第一逻辑值的液晶快门控制信号 CST输入到液晶快门控制信号接收单元 17时，开电压被提供到左眼快门 STL的第二透明电极，而关电压被提供到右眼快门 STR的第二透明电极。

液晶シャッター制御信号CSTが第1論理値で液晶シャッター制御信号受信部17に入力される時、左目シャッターSTLの第2透明電極にON電圧が供給される反面、右目シャッターSTRの第2透明電極にOFF電圧が供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集

当第二逻辑值的液晶快门控制信号 CST输入到液晶快门控制信号接收单元 17时，关电压被提供到左眼快门 STL的第二透明电极，而开电压被提供到右眼快门 STR的第二透明电极。

液晶シャッター制御信号CSTが第2論理値で液晶シャッター制御信号受信部17に入力される時、左目シャッターSTLの第2透明電極にOFF電圧が供給される反面、右目シャッターSTRの第2透明電極にON電圧が供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 3A是示出在第一 PIN二极管被接通时第一天线开关的第一开关电路的等效电路的图示，而图 3B是示出在第一 PIN二极管被关断时第一开关电路的等效电路的图示；

【図3】図3Aは第1アンテナスイッチにおいて、第1PINダイオードをオンにしたときの第1スイッチ回路の等価回路を示す図であり、図3Bは第1PINダイオードをオフにしたときの第1スイッチ回路の等価回路を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 4A是示出在第一 PIN二极管被接通时第一开关电路在中心频率附近的等效电路的图示，而图 4B是示出在第一 PIN二极管被关断时第一开关电路在中心频率附近的等效电路的图示；

【図4】図4Aは第1PINダイオードのオン時における中心周波数付近の第1スイッチ回路の等価回路を示す図であり、図4Bは第1PINダイオードのオフ時における中心周波数付近の第1スイッチ回路の等価回路を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 11A是示出在第四 PIN二极管被接通时第四天线开关的第四开关电路的等效电路的图示，而图 11B是示出在第四 PIN二极管被关断时第四开关电路的等效电路的图示；

【図11】図11Aは第4アンテナスイッチにおいて、第4PINダイオードをオンにしたときの第4スイッチ回路の等価回路を示す図であり、図11Bは第4PINダイオードをオフにしたときの第4スイッチ回路の等価回路を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

用作列电路的负载电路 150包括与像素列相关联的负载 MOS晶体管 151-1至151-n，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n在其漏极分别连接至垂直信号线 116-1至 116-n，并且在其源极连接至基准电势 VSS。

列回路としての負荷回路150は、画素の列配列に対応して各垂直信号線116−1〜116−nにドレインが接続され、ソースが基準電位VSSに接続された機能部としての負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nを有する。 - 中国語 特許翻訳例文集

举例来说，存储在存储器 192中且由微处理器 191处理的软件可分析接收到的通信信号的特性，例如低 Ec/I0、极低的无线电信号强度指示或达到其最大极限的发射功率。

たとえば、メモリ192に記憶され、マイクロプロセッサ191によって処理されるソフトウェアは、低いEc／Io、極めて低い無線信号強度指示、またはその最大限界に到達している送信電力など、受信した通信信号の特性を分析する。 - 中国語 特許翻訳例文集

设置晶体管 611是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到负载晶体管 614的栅极端子的负载晶体管栅极线 612和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。

設定トランジスタ611は、タイミング制御回路200から供給される維持制御信号に基づいて、負荷トランジスタ614のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線612と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二设置晶体管 621是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到第二负载晶体管 624的栅极端子的第二负载晶体管栅极线 622和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。

第2設定トランジスタ621は、タイミング制御回路200から供給された維持制御信号に基づいて、第2負荷トランジスタ624のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線622と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生电容器 629包括在第二负载晶体管 624的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和第二参考电流线 602之间形成的布线间电容器。

寄生容量629は、第2負荷トランジスタ624のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と第2基準電流線602との間に形成される配線間容量からなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

由于电容串扰在邻近线路上耦合正极性信号，电容耦合电路将会在邻近线路上耦合互补信号 (即，反极性 )，以补偿这种形式的串扰。

容量性クロストークは近傍線上に正極性信号を結合するので、容量結合回路はこの形式のクロストークを補償するために近傍線上に補完信号（すなわち逆極性信号）を結合するであろう。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，用于垂直信号线 Vsig1a的配线 H1经由通孔 B1连接在放大晶体管 4的源极侧的扩散层 DF1上，用于垂直信号线 Vsig1b的配线 H1经由通孔 B1连接在放大晶体管 4′的源极侧的扩散层 DF1上。

そして、垂直信号線Vsig1aに用いられている配線H1は、ビアB1を介してアンプトランジスタ4のソース側の拡散層DF1に接続され、垂直信号線Vsig1bに用いられている配線H1は、ビアB1を介してアンプトランジスタ4´のソース側の拡散層DF1に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

天线 105可包括一个或多个定向或全向天线，包括例如偶极天线、单极天线、接线天线、环状天线、微带天线或者适合于传输 RF信号的其它类型的天线。

アンテナ105は、例えばダイポールアンテナ、モノポールアンテナ、パッチアンテナ、ループアンテナ、マイクロストリップアンテナ、又はRF信号の伝送に適した他のタイプのアンテナを含む1又はそれ以上の指向性又は無指向性アンテナを有してよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

在液晶快门中，例如，TN模式液晶或 STN(超扭曲向列 )模式液晶被夹置在一对电极 (未示出 )之间。 通过经由这对电极将电压施加到液晶来控制对于入射光的透射率。

液晶シャッターは、図示しない一対の電極間に、例えばTNモードやSTN（Super Twisted Nematic）モードの液晶を挟み込んだものであり、それらの一対の電極を通じて液晶に電圧を印加することにより入射光の透過率を制御するものである。 - 中国語 特許翻訳例文集

在信号电压 VP1为“VTT-Vα”、信号电压 VN1为“VTT”的情况下，供给节点 N201p的电压 (电压缓和晶体管 202p的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”，供给节点 N201n的电压(电压缓和晶体管 202n的源极电压 )被设定为“VTT-Vα-Vth”。

信号電圧VP1が“VTT−Vα”であり、信号電圧VN1が“VTT”である場合、供給ノードN201pの電圧（電圧緩和トランジスタ202pのソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定され、供給ノードN201nの電圧（電圧緩和トランジスタ202nのソース電圧）は、“VTT−Vα−Vth”に設定される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在像素组 12a和 12a′中，像素 12a的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PTX(m)连接。 像素 12a′的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PTX(m+2)连接。

画素セット12a、12a’のうち、画素12aの転送スイッチ2のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX（m）に接続され、画素12a’の転送スイッチのゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX（m＋2）に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在该弹性导电性辊 34上，施加与感光体鼓 21表面的色粉像的电荷相反极性的电场，由于该相反极性的电场，感光体鼓 21表面的色粉像被转印到转印带 31上的记录用纸上。

この弾性導電性ローラ34には、感光体ドラム21表面のトナー像の電荷とは逆極性の電界が印加されており、この逆極性の電界により感光体ドラム21表面のトナー像が転写ベルト31上の記録用紙に転写される。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 3中所示，由无碱玻璃等构成的绝缘基板 1形成放射线图像成像装置 10的像素 20A，在该绝缘基板 1上形成有扫描线 101和栅极 2，其中扫描线 101连接到栅极 2(参见图 2)。

図3に示すように、放射線検出素子10の画素20Aは、無アルカリガラス等からなる絶縁性の基板1上に、走査配線101（図2参照。）、ゲート電極2が形成されており、走査配線101とゲート電極2は接続されている（図2参照。）。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，在不将存储于 CCD存储器 30的图像信号用垂直 CCD50读出的情况下，如果在进行 CCD存储器 30的传输动作时将漏极门 40接通，则可将存储了的图像信号 (信号 电荷 )从漏极 41排出。

また、CCDメモリ30内に記録された画像信号を垂直CCD50で読み出さない場合には、CCDメモリ30において転送動作を行なう際にドレインゲート40をオンすれば、記録された画像信号（信号電荷）は、ドレイン41から排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地，如图 4B所示，在时段“t10”通过使得转移脉冲 TRG和复位脉冲 RST都为“H”电平，复位光电二极管 21和 FD区 26，在时段“t11”所接收的光被光电转换为存储在光电二极管 21中的电子。

具体的には、図4（B）に示すように、期間t10で転送パルスTRGおよびリセットパルスRSTが共に“H”レベルになることによってフォトダイオード21およびFD部26をリセットし、期間t11で受光した光を電子に光電変換し、フォトダイオード21に蓄積する。 - 中国語 特許翻訳例文集

参照图 3和图 4，在输入图像数据以使液晶分子呈卧式的方法中，将栅极导通电压Von施加到显示面板 100的多条栅极线，并且向多条数据线施加公共电压 Vcom。

図3及び図4を参照すると、液晶分子を殆ど横たわる状態にするイメージデータを入力する方法としては、表示パネル100の複数のゲート線にゲートオン電圧Vonを印加し、複数のデータ線に共通電圧Vcomを印加する方法がある。 - 中国語 特許翻訳例文集

当在一帧完成之后下一帧开始时，控制施加到数据驱动器 400的反相信号 RVS的状态，以使施加到每个像素 PX的数据信号的极性相对于前一帧的极性被反相 (“帧反相”)。

1フレームが終わると次フレームが始まり、各画素に印加されるデータ信号の極性が前フレームの極性と反対となるようにデータ駆動部400に印加される反転信号の状態が制御される（「フレーム反転」）。 - 中国語 特許翻訳例文集

此时，根据反相信号 RVS的特性，在一帧中，流过数据线的数据信号的极性可被反相，施加到一行像素的数据信号的极性可相同 (“行反相”)。

このとき、1フレーム内でも、反転信号の特性により、1データ線上を流通するデータ信号の極性が変わったり（行反転、点反転）、1画素行に印加されるデータ信号の極性が異なったりする（列反転、点反転）。 - 中国語 特許翻訳例文集

天线 103和 105可各自包括一个或多个定向或全向天线，包括例如偶极天线、单极天线、贴片天线、环形天线、微带天线或适合于传送 RF信号的其它类型的天线。

アンテナ103及び105のそれぞれは、例えば、ダイポールアンテナ、モノポールアンテナ、パッチアンテナ、ループアンテナ、マイクロストリップアンテナ、又はRF信号を送信するのに適した他の種類のアンテナを含み、1つ以上の指向性又は無指向性アンテナを有してもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

D1和 D2是用于在 AC电流的负周期期间驱动电流的反转极性二极管，而 C1和 C2是被诸如 UL（美国）或 VDE（德国）的相应授权主体认可的连接到带电 AC电力电路的低阻抗电容器。

D1およびD2は、AC電流の負のサイクル中に電流を駆動する逆極性のダイオードであり、一方で、C1およびC2は、UL（米国）またはVDE（ドイツ）のようなそれぞれの許可機関によって認可された低インピーダンスコンデンサであり、活AC電力回路中へ接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

命令转换器 259P的组合双向 TX-RX驱动器 /接收器 33A和 32A（也称为收发器）经由与调光器电路 6M-2的 LED 13A和光电二极管 12A互易的 LED 13A和光电晶体管或二极管 12A来馈送和接收协议。

命令変換器259Pのトランシーバとも呼ばれる組合せ両方向TX−RXドライバ／受信機33Aおよび32Aは、調光器回路6M−2のLED13Aおよびフォトダイオード12Aに相当するLED13Aおよびフォトトランジスタまたはダイオード12Aを介してプロトコルを送り、また受信する。 - 中国語 特許翻訳例文集

显示装置 30向用户显示经解码视频数据，且可包含各种显示装置中的任一者，例如，阴极射线管、液晶显示器 (LCD)、等离子显示器、有机发光二极管(OLED)显示器或另一类型的显示装置。

表示デバイス30は、復号ビデオデータをユーザに対して表示するものであり、陰極線管、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイ、有機発光ダイオード（OLED）ディスプレイ、または別のタイプの表示デバイスなど、様々な表示デバイスのいずれかを備えることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

多遍通常用在传统数字照相机中，以确保压缩码大小不超出设定极限，该设定极限被计算以便允许所保证的最小数目图像存储在为该目的提供的非易失性存储器中。

多重パスは、保存の目的で提供された不揮発性記憶域内に保存される写真の最小保証枚数を考慮するように計算される設定限界を圧縮コードサイズが越えないことを保証するために、従来のデジタルカメラにおいて一般的に用いられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

显示装置 28向用户显示经解码的视频数据，且可包含多种显示装置中的任一者，例如阴极射线管 (CRT)、液晶显示器 (LCD)、等离子体显示器、有机发光二极管 (OLED)显示器或另一类型的显示装置。

ディスプレイデバイス28は復号されたビデオデータをユーザへ表示し、陰極線管(CRT)、液晶ディスプレイ(LCD)、プラズマディスプレイ、有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイ、または他のタイプのディスプレイデバイスのような様々なディスプレイデバイスのうちの任意のものを備え得る。 - 中国語 特許翻訳例文集

M个开关晶体管 12的各漏极端子并联地连接在偏压生成电路 5的输出端子上，各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电压控制线 13上。

M個のスイッチトランジスタ12の各ドレイン端子はバイアス電圧生成回路5の出力端子に並列に接続され、各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電圧制御線13に並列に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在电路接地端侧的 2个 NMOS晶体管 26、28处，NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn，另外，NMOS晶体管 28的栅极端子被输入第 n+1列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn+1。

グランド側の2つのNMOSトランジスタ26，28ではNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力され、また、NMOSトランジスタ28のゲート端子にn＋1列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dn＋1が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在单位像素 100中，光电二极管 101通常是通过在形成在半导体基板 111上的 P型阱层 112的表面上形成 P型层 113并在 P型层 113下面嵌入 N型嵌入层 114而形成的嵌入光电二极管。

単位画素100において、フォトダイオード101は、例えば半導体基板111上に形成されたP型ウェル層112に対して、P型層113を表面に形成してN型埋め込み層114を埋め込むことによって形成される、埋め込み型フォトダイオードである。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，如果变量 CNT_H在阈值 THyhigh以上且变量 CNT_L在阈值 THylow以上，由于具有极端大的亮度的区域的比例及具有极端小的亮度的区域的比例大，所以视作拍摄视场与风景不同。

また、変数CNT＿Hが閾値THyhigh以上でかつ変数CNT＿Lが閾値THylow以上であれば、極端に大きい輝度を有するエリアの割合および極端に小さい輝度を有するエリアの割合が大きいため、被写界は風景と異なるとみなされる。 - 中国語 特許翻訳例文集

光电二极管 141例如为嵌入式光电二极管，它是通过在基板表面一侧上形成 P型层 183，并相对于形成在 N型基板 181上的 P型阱层 182嵌入 N型嵌入层 184而形成的。

フォトダイオード141は、例えば、N型基板181上に形成されたP型ウェル層182に対して、P型層183を基板表面側に形成してN型埋め込み層184を埋め込むことによって形成される埋め込み型フォトダイオードである。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第四天线开关 10D由图 12所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14，并且 50欧姆的端接电阻器 Re例如连接到接收端子 20。

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第六天线开关 10F由图 12所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14，并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到接收端子 20。

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在配置于电源侧的 PMOS晶体管 60、61和 PMOS晶体管 66、67中，在源极端子连接到电源 64的 PMOS晶体管 60、66中 PMOS晶体管 60的栅极端子被直接输入第 n+1列的寄存器数据 Dn+1，PMOS晶体管 66的栅极端子经由 NAND电路 70被输入对第 n+1列寄存器数据Dn+1进行逻辑反转后的数据 (/Dn+1)和对第 n列寄存器数据 Dn进行逻辑反转后的数据 (/Dn)。

電源側に直列配置されるPMOSトランジスタ60，61およびPMOSトランジスタ66，67において、電源64にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ60，66のうち、PMOSトランジスタ60のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1が直接入力され、PMOSトランジスタ66のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1を論理反転したデータ（／Dn＋1）とn列目のレジスタデータDnを論理反転したデータ（／Dn）とがNAND回路70を介して入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

此处，在将双电极 MZ调制器用作光调制器的情况下，与执行通常的 OOK(On-Off Keying，开关键控 )传送时同样地，即使在执行多值调制时，为了使光传送信号质量稳定化，决定双电极MZ调制器的工作点的DC(Direct Current，直流)偏置的稳定化变得不可欠缺。

ここで、2電極MZ変調器を光変調器として用いる場合、通常のOOK（On−Off Keying）伝送を実行するときと同様に、多値変調を実行するときにおいても、光伝送信号品質を安定化させるためには、2電極MZ変調器の動作点を決定するDC（Direct Current）バイアスの安定化が不可欠となる。 - 中国語 特許翻訳例文集

如上所述，在第三遮光像素 930和第四遮光像素 940中，由于可以将栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L设置为大，因此与在感光像素 110中相比，在第三遮光像素 930和第四遮光像素 940中，可以更多地降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

このように、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940においては、ゲート幅（チャネル幅）Wとゲート長（チャネル長）Lを大きくとることができるので、感光画素110に比べて、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940の駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集