「极」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

中国語辞書 - Weblio日中中日辞典 中国語例文
約36万の例文を収録
 
  手書き文字入力


Weblio 辞書 > Weblio 日中中日辞典 > 极の意味・解説 > 极に関連した中国語例文


「极」を含む例文一覧

該当件数 : 1413



<前へ 1 2 .... 14 15 16 17 18 19 20 21 22 .... 28 29 次へ>

像素哑选择晶体管118的栅连接至将由垂直扫描部件120供给的选择脉冲DSEL的供给线。

画素ダミー選択トランジスタ118のゲートが垂直走査部120により供給される選択パルスDSELの供給ラインに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

已发现得到的 RZ-DPSK格式在长距离传输应用中是令人满意的。

結果として生じるRZ−DPSKフォーマットは、長距離伝達アプリケーションにおいて、非常に有利であることがわかった。 - 中国語 特許翻訳例文集

光接收区域 54的 n型半导体区域 34与溢出沟道机构 40的溢出漏区域 38连接。

そして、受光領域54のn型半導体領域34とオーバーフロードレイン領域40のオーバーフロードレイン領域38とが接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二装置 220的第一输入 221耦合到第一切换元件的控制端子,例如 p沟道 FET 224的栅

第2のデバイス220の第1の入力221は、pチャネルFET224のゲートのような第1のスイッチング要素の制御端子に連結される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二装置 220的第二输入 222耦合到第二切换元件的控制端子,例如 n沟道FET225的栅

第2のデバイス220の第2の入力222は、nチャネルFET225のゲートのような第2のスイッチング要素の制御端子に連結される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第三装置 230的第一输入 231耦合到第一切换元件的控制端子,例如 p沟道 FET 234的栅

第3のデバイス230の第1の入力231は、pチャネルFET234のゲートのような第1のスイッチング要素の制御端子に連結される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第三装置 230的第二输入 232耦合到第二切换元件的控制端子,例如 n沟道FET235的栅

第3のデバイスの第2の入力は、nチャネルFET235のゲートのような第2のスイッチング要素の制御端子に連結される。 - 中国語 特許翻訳例文集

但是,对于较高的 M值,B帧位置的值可以被混合因子的选择显著影响。

しかしながら、高M値の場合、端に位置するBフレームは、混合因子の選択により著しく影響を受ける。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 13是示出对应于使用内部放大二管的第二实施例的像素块的配置示例的图;

【図13】内部増幅型ダイオードを用いて第2の実施形態に対応した画素ブロックの構成例を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 13是示出对应于使用内部放大二管的第二实施例的像素块的配置示例的图。

図13は、内部増幅型ダイオードを用いて第2の実施形態に対応した画素ブロックの構成例を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集


当粘附不同芯片时,经由电焊盘的高精度直接连接遇到类似困难。

異なるチップを貼り合わせる場合も、電極パッドを介した高精度の直接接続には同様の困難が発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在半导体基底 SUB2E上形成感测电路 121E,并且感测电路 121E在输入电部分122接收来自像素 DPXE的输出信号。

一方、センス回路121Eは半導体基板SUB2E上に形成されており、画素DPXからの出力信号を入力電極部122で受ける。 - 中国語 特許翻訳例文集

如上面结合图 11和图 12所述,数字像素 DPXE首先输出复位电平到输出电部分119。

デジタル画素DPXEは、図11および図12に関連付けて説明したのと同様に、まず出力電極部119にリセットレベルを出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

SC-FDMA可用于 (例如 )上行链路通信中,其中较低 PAPR在发射功率效率方面大地有益于接入终端。

SC−FDMAは、例えば、より低いPAPRが送信電力効率の観点からアクセス端末に非常に役立つアップリンク通信で使用されうる。 - 中国語 特許翻訳例文集

先前称为 NAVSTAR的 GPS并入有在其精确的轨道中绕地球运转的多个卫星。

以前はNAVSTARとして周知であったが、GPSは極めて正確な軌道で地球を周回する複数の衛星を使用する。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过凸缘 91被第一装饰盖 81的阻挡面 92阻挡,来限制的支承柱 70的下降限。

支持柱70の下降限界は、フランジ91が第1化粧カバー81の受面92に受け止められることで規制される。 - 中国語 特許翻訳例文集

此处,将代表性地说明从包括光电二管 101-1的像素向第一列读出线 c1输出信号的操作。

ここで、代表的に、フォトダイオード101−1を含む画素から信号を第1列読出線c1に出力する動作を説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

2.如权利要求 1所述的固态成像设备,其中所述像素包括源跟随器电路。

2. 前記画素は、ソースフォロワ回路を含むことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 3示出了中间保持电容器 31以及用于根据栅信号 进行写入的第一写入开关 32。 中间保持单元 2具有:

図3において、31は中間保持容量、32はゲート信号φCMに応じて書き込みを行う第1の書き込みスイッチである。 - 中国語 特許翻訳例文集

液晶显示面板 134包括液晶层、经过该液晶层的相对透明电以及滤色器。

液晶表示パネル134は、液晶層、液晶層を挟んで対向する透明電極、カラーフィルタ等から構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

液晶显示面板 134包括液晶层、彼此面对并且夹着液晶层的透明电、滤色器等。

液晶表示パネル134は、液晶層、液晶層を挟んで対向する透明電極、カラーフィルタ等から構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

当驱动一个正常液晶显示器时,如图 4中所示,对每一帧反转性,以驱动液晶显示面板。

通常の液晶表示パネルの駆動においては、図4のように1フレーム毎に極性を反転させて駆動を行う。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外,在图 4中,各下箭头↓分别表示反转性的时刻 (这些下箭头↓表示也适应于图 5~图 9)

また、図4において、下向きの矢印↓は、極性を反転するタイミングを示している(以下の図5〜図9においても同様である)。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 6为一个特征图,描述了按与图 4相类似的方式,在“写一次”操作的情况下,对每一帧反转驱动电压的性的一个实例。

図6は、1度書きの場合において、図4と同様に1フレーム毎に駆動電圧の極性を反転させた例を示す特性図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

照相机 210从后向前地 (在对象空间中 )曝光列 208的组中的光电二管列以捕捉视场 226。

カメラ210は、視野226をキャプチャーするように、(対象空間において)後ろから前へ、縦列208群におけるフォトダイオード縦列を露光する。 - 中国語 特許翻訳例文集

相反,当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1以关断第一 PIN二管 28a和第三 PIN二管 28c,并且正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2以接通第二 PIN二管 28b和第四 PIN二管 28d时,第五天线开关 10E由图 14所示的等效电路表示,其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14,并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到传输端子 16。

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28a及び第3PINダイオード28cがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオンになると、図14に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、送信端子16には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

本文中描述一种可使用振幅调制器执行正交调制的双调制器。

複数の振幅変調器を使用して直交変調を行うことができるバイポーラの変調器がここに記述される。 - 中国語 特許翻訳例文集

此示意图为单位单元 204,其具有由同一控制导线 TG2控制的两个传送栅 208及210。

この概略図は、同一の制御線TG2によって制御されている2つの転送ゲート208及び210を有する単位セル204である。 - 中国語 特許翻訳例文集

四个传送栅 207到 210对称地布置在浮动扩散部 203周围。

4つの転送ゲート207乃至210は、フローティング・ディフュージョン203に関して対称的に配置されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

此示意图为单位单元 304,其具有由同一控制导线 TG3控制的两个传送栅 309及 310。

この概略図は、同一の制御線TG3により制御される2つの転送ゲート309及び310を有する単位セル304である。 - 中国語 特許翻訳例文集

四个传送栅 307到 310对称地布置在浮动扩散部 303周围。

4つの転送ゲート307乃至310は、フローティング・ディフュージョン303に関して対称的に配置されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在另一端,当比特数为 7时,可以发信号表示相对于 QP_PRED在 27= 128步骤的范围内的差异。

それとは正反対にビット数が7であるとき、QP_PREDに対し、27=128の刻み幅の範囲内の差分が信号で送られ得る。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外,通过使用在 DSP之间的非常高的带宽链路,大地避免了带宽瓶颈。

更に、DSP間に非常に高帯域のリンクを使用することにより、帯域による隘路が大きく回避される。 - 中国語 特許翻訳例文集

通知装置 136可为扬声器、显示器、发光二管、振动器或任何类似类型的装置。

通知デバイス136は、スピーカ、ディスプレイ、発光ダイオード、バイブレータ、または、いずれかの類似のタイプのデバイスである場合がある。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 2B所示的结构中,例如当照相机 100移动时,电 1063与此时的加速度对应地发生弯曲。

図2(b)に示すような構成において、例えばカメラ100が移動する等すると、その際の加速度に応じて電極1063が撓む。 - 中国語 特許翻訳例文集

保持电容器 613维持负载晶体管 614的栅电压恒定,以便维持负载电流恒定。

保持容量613は、負荷電流を一定に維持するために、負荷トランジスタ614のゲート電圧を一定に保持するためのキャパシタである。 - 中国語 特許翻訳例文集

在波长跟踪器中,通常使用光电二管将光 WDM信号转换成电信号。

波長トラッカ中で、光WDM信号は通常、フォトダイオードを使用して電気信号に変換される。 - 中国語 特許翻訳例文集

光抽头的信号由光检测器102(诸如,光电二管、PIN检测器等 )转换成电信号。

タップされた光信号は、フォトダイオードやPIN検出器などの光検出器102によって電気信号に変換される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在示例性实施方式中,可以针对这一目的使用相对低速 (~ 1MHz)的光电二管。

例示的な一実施形態では、比較的低速の(1MHzまでの)フォトダイオードをこの目的に使用することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外,两个天线板可使用具有不同天线性的天线元件。

さらに、2つのアンテナ・パネルは、異なるアンテナ偏波を有するアンテナ素子を使用することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

向 MZI臂 130a的电 132施加控制信号 106,在该 MZI臂的材料中产生电场。

制御信号106はMZIアーム130aの電極132に印加され、それによってそのMZIアームの材料に電界が発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 2为表示第 1实施方式的传感器的低灵敏度光电二管的色别特性的一个例子的图;

【図2】第1の実施形態のセンサの低感度のフォトダイオードの色別の特性の一例を示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 4为表示第 2实施方式的传感器的低灵敏度光电二管的色别特性的一个例子的图;

【図4】第2の実施形態のセンサの低感度のフォトダイオードの色別の特性の一例を示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集

电压 VM比向栅供给以关断 PMOS晶体管的电压的绝对值小。

ここで、VMはPMOSトランジスタのオフのためにゲートに供給される電圧の絶対値よりも小さい電圧である。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号从第一共用输出线2被输入到第一输入晶体管 201的栅

第1の入力トランジスタ201のゲートに第1の共通出力線2からの信号が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如,临近距离处的最佳焦点位置优选设定在无穷远处的解析度不端低下的范围内。

例えば、近接距離におけるベストフォーカス位置は、無限遠での解像度が極端に低下しない範囲で設定されることが望ましい。 - 中国語 特許翻訳例文集

在开始时刻,甚至当考虑变动时,所述驱动晶体管 N2的栅 /源之间的电压 Vgs也比所述阈值电压 Vth更宽。

この開始時点において、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsは、バラツキを考慮しても閾値電圧Vthより広くなっている。 - 中国語 特許翻訳例文集

随着所述操作的开始,所述驱动晶体管 N2的栅电位 Vg被增加到所述信号电位Vsig(图 15D,图 16D)。

この動作の開始に伴い、駆動トランジスタN2のゲート電位Vgは、信号電位Vsigに上昇する(図15(D)、図16(D))。 - 中国語 特許翻訳例文集

所述有机 EL器件 OLED的熄灭状态被维持直到所述源电位 Vs超过所述有机 EL器件 OLED的阈值电压 Vth(oled)。

なお、ソース電位Vsが、有機EL素子OLEDの閾値電圧Vth(oled)を越えるまでは、有機EL素子OLEDの消灯状態が維持される。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此,栅 /源之间的电压 Vgs随着所述驱动晶体管N2的迁移率μ的增加而减小。

結果的に、移動度μが大きい駆動トランジスタN2ほどゲート・ソース間電圧Vgsが小さくなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

<前へ 1 2 .... 14 15 16 17 18 19 20 21 22 .... 28 29 次へ>




   

中国語⇒日本語
日本語⇒中国語
   

   

中国語⇒日本語
日本語⇒中国語
   


  
中国語 特許翻訳例文集
北京语智云帆科技有限公司版权所有 © 2011-2024

©2024 GRAS Group, Inc.RSS