「极」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

在这种情况下，可以通过对第一 HOB区域和第二 HOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置，从而满足第二 HOB区域中的 W＞第一 HOB区域中的 W＞有效像素区域中的 W1、并且第二 HOB区域中的 L＞第一 HOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第二 HOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

この時は、第1のHOB領域および第2のHOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第2のHOB領域のW＞第1のHOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第2のHOB領域のL＞第1のHOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第2のHOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，可以通过对第一 VOB区域和第二 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置，从而满足第一 VOB区域中的 W＞第二 VOB区域中的W＞有效像素区域中的 W1、并且第一 VOB区域中的 L＞第二 VOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第一 VOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

また、第1のVOB領域および第2のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第1のVOB領域のW＞第2のVOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第1のVOB領域のL＞第2のVOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第1のVOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，可以通过对第四 VOB区域和第五 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置、从而满足第五 VOB区域中的 W＞第四 VOB区域中的 W＞有效像素区域中的 W1并且第五 VOB区域中的L＞第四 VOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第五 VOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

また、第4のVOB領域および第5のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第5のVOB領域のW＞第4のVOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第5のVOB領域のL＞第4のVOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第5のVOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

PPS方式的固体摄像装置具备 PPS型的像素部呈 2维排列为M行 N列的受光部，在各像素部中，将对应于光入射而在光电二极管所产生的电荷在积分电路中储存于电容器，并输出对应于该储存电荷量的电压值，所述 PPS型的像素部系包含产生对应于入射光强度的量的电荷的光电二极管。

PPS方式の固体撮像装置は、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードを含むPPS型の画素部がM行N列に2次元配列された受光部を備え、各画素部において光入射に応じてフォトダイオードで発生した電荷を積分回路において容量素子に蓄積し、その蓄積電荷量に応じた電圧値を出力するものである。 - 中国語 特許翻訳例文集

由于导通电阻 Ro可以被表达为 Ro＜＜ 2πfoLa，当第一 PIN二极管 28a被接通时，第一开关电路 22a在中心频率 fo附近可以由图 4A所示的等效电路表示； 并且当第一 PIN二极管 28a被关断时，在中心频率 fo附近可以由图 4B所示的等效电路表示。

ここで、オン抵抗Roは、一般に1オーム程度あるいはそれ以下であり、Ro＜＜2πfoLaとできるため、第1PINダイオード28aのオン時における中心周波数fo付近の等価回路は図4Aのように表すことができ、第1PINダイオード28aのオフ時における中心周波数fo付近の等価回路は図4Bのように表すことができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b时，第一天线开关 10A由图 6所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14。

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28bがオフになると、図6に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1时，关断第一 PIN二极管28a，并且当正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2时，接通第二 PIN二极管 28b，第一天线开关 10A由图 7所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14。

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28aがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28bがオンになると、図7に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外在这种情况下，调节第一并联谐振电路 26a的第一电感器 30a和第三并联谐振电路 26c的第三电感器 30c的常数的每个以使在第一 PIN二极管 28a被关断时第一并联谐振电路 26a的谐振频率和在第三 PIN二极管 28c被关断时第三并联谐振电路 26c的谐振频率与第三天线开关 10C的中心频率均衡。

この場合も、第1並列共振回路26aの第1インダクタ30a及び第3並列共振回路26cの第3インダクタ30cの各定数を調整して、第1PINダイオード28aのオフ時の第1並列共振回路26aの共振周波数と、第3PINダイオード28cのオフ時の第3並列共振回路26cの共振周波数と、第3アンテナスイッチ10Cの中心周波数とが同じになるようにしている。 - 中国語 特許翻訳例文集

类似地，调节第二并联谐振电路 26b的第二电感器 30b和第四并联谐振电路 26d的第四电感器 30d的常数的每个以使在第二 PIN二极管 28b被关断时第一并联谐振电路26a的谐振频率和在第四 PIN二极管 28d被关断时第四并联谐振电路 26d的谐振频率与第三天线开关 10C的中心频率均衡。

同様に、第2並列共振回路26bの第2インダクタ30b及び第4並列共振回路26dの第4インダクタ30dの各定数を調整して、第2PINダイオード28bのオフ時の第1並列共振回路26aの共振周波数と、第4PINダイオード28dのオフ時の第4並列共振回路26dの共振周波数と、第3アンテナスイッチ10Cの中心周波数とが同じになるようにしている。 - 中国語 特許翻訳例文集

第七天线开关 10G具有连接在传输端子 16和天线连接端子 14之间的第一λ/4信号传输线 18a和第三λ/4信号传输线 18c、与第一λ/4信号传输线 18a并联连接的第一 PIN二极管 28a的第一开关电路 22a、以及与第三λ/4信号传输线 18c并联连接的第三PIN二极管 28c的第三开关电路 22c。

すなわち、送信端子16とアンテナ接続端子14間に接続された第1λ／4信号伝送路18a及び第3λ／4信号伝送路18cと、第1λ／4信号伝送路18aに対して並列に接続された第1PINダイオード28aによる第1スイッチ回路22aと、第3λ／4信号伝送路18cに対して並列に接続された第3PINダイオード28cによる第3スイッチ回路22cとを有する。 - 中国語 特許翻訳例文集

类似地，第七天线开关 10G具有连接在接收端子 20和天线连接端子 14之间的第二λ/4信号传输线 18b和第四λ/4信号传输线 18d、与第二λ/4信号传输线 18b并联连接的第二 PIN二极管 28b的第二开关电路 22b、以及与第四λ/4信号传输线 18d并联连接的第四 PIN二极管 28d的第四开关电路 22d。

同様に、受信端子20とアンテナ接続端子14間に接続された第2λ／4信号伝送路18b及び第4λ／4信号伝送路18dと、第2λ／4信号伝送路18bに対して並列に接続された第2PINダイオード28bによる第2スイッチ回路22bと、第4λ／4信号伝送路18dに対して並列に接続された第4PINダイオード28dによる第4スイッチ回路22dとを有する。 - 中国語 特許翻訳例文集

电压调整部 207对应于多个信号线对中的任意一个，将与该对应的信号线对分别连接的信号节点 NP1、NN1的电压 (信号电压 VP1、VN1)的中间电压作为控制电压 VM，向电压缓和晶体管 202p、202p、…的栅极及电压缓和晶体管 202n、202n、…的栅极供给。

電圧調整部207は、複数の信号線対のうちいずれか1つに対応し、その対応する信号線対にそれぞれ接続される信号ノードNP1，NN1の電圧（信号電圧VP1，VN1）の中間電圧を制御電圧VMとして電圧緩和トランジスタ203p，203p，…のゲートおよび電圧緩和トランジスタ203n，203n，…のゲートに供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在 CMOS图像传感器 10(其中，包括图 1所示的像素电路配置的单元像素 20以矩阵形式排列 )中，一般如图 4A所示，在时段“t1”通过使得转移脉冲 TRG和复位脉冲 RST都为“H”电平，复位光电二极管 21和 FD区 26，在时段“t2”所接收的光被光电转换为存储在光电二极管 21中的电子。

図1に示す画素回路構成の単位画素20が行列状に配置されてなるCMOSイメージセンサ10では、一般的に、図4（A）に示すように、期間t1で転送パルスTRGおよびリセットパルスRSTが共に“H”レベルになることによってフォトダイオード21およびFD部26をリセットし、期間t2で受光した光を電子に光電変換し、フォトダイオード21に蓄積する。 - 中国語 特許翻訳例文集

与此相反，在本发明中，基站 10首先执行在天线 11-1和 11-2中的天线元件的接收信号的天线合并，使得天线 11-1和 11-2中的天线元件的接收信号的合并极性垂直于在与期望信号相同的方向上的干扰信号的极性。

これに対して、本発明においては、基地局10は、まず、アンテナ11−1，11−2において各アンテナ素子の受信信号の合成偏波が、希望信号と同一方向に存在する干渉信号の偏波と直交するように、アンテナ11−1，11−2における各アンテナ素子の受信信号を合成するアンテナ合成を行う。 - 中国語 特許翻訳例文集

然而，在这种情况下，担心接收的质量下降。 因此，基站 10执行天线合并，使得在天线 11-1和 11-2中的天线元件的接收信号的合并极性垂直于在与期望信号相同的方向上的干扰信号的极性，并使得从加法器 103-1和 103-2输出的信号的 SINR(输出信号对干扰加噪声功率之比 )最大化。

ただし、この場合、受信品質の劣化が懸念されるため、基地局10は、アンテナ11−1，11−2における各アンテナ素子の受信信号の合成偏波が、希望信号と同一方向に存在する干渉信号の偏波と直交し、かつ、加算器103−1，103−2から出力される信号のSINR（Signal to Interference and Noise power Ratio：信号対干渉および雑音比）が最大となるように、アンテナ合成を行う。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图所示，在时刻 t2时，在入射了极强光时 (b)，像素复位信号下降，但是在该复位信号的下降非常大的情况下，在通常时 (a)和入射了极强光时 (b)，自动调零 (复位 )信号电平大幅变化，其结果有可能导致比较器的基准电位不同。

図示するように、時刻t2の際に、非常に強力な過大光が入射した場合（b）には、画素リセット信号が下降してしまうが、そのリセット信号の下降が非常に大きい場合、通常時（a）と非常に強力な過大光が入射した時（b）とでオートゼロ（リセット）信号レベルが大幅に異なってしまい、その結果、コンパレータの基準電位が異なってしまう事が懸念される。 - 中国語 特許翻訳例文集

显示单元 416可以是显示文字、数字、图形符号或者图像的阴极射线管 (CRT)或者平板屏幕的形式。

ディスプレイ装置416は、テキスト、数字、グラフィック・シンボルまたは画像を表示する陰極線管（CRT）またはフラットパネル・スクリーンの形であってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，考虑使用并联连接了 2个相位调制器的双电极 MZ调制器 (DDMZM：Dual Drive MZM)来实现多值调制 (例如，参照非专利文献 2、非专利文献 3)。

そこで、位相変調器を2個並列に接続した2電極MZ変調器（DDMZM：Dual Drive MZM）を用いて多値変調を実現することが考えられている（例えば、非特許文献2、非特許文献3参照）。 - 中国語 特許翻訳例文集

双电极 MZ调制器由于是作为推挽 (push-pull)型光调制器而广泛应用于通常的光发送接收器的光部件，所以可以降低成本。

2電極MZ変調器は、プッシュプル型光変調器として、通常の光送受信器に広く適用されている光部品なので、コストの低減を図ることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

对于使用了双电极 MZ调制器的 QPSK，此前，证实了采用图 5(a)所示的信号点配置的方式 (3值驱动 )(例如，参照非专利文献 3)。

2電極MZ変調器を用いたQPSKについては、これまでに、図5（a）に示した信号点配置をとる方式（3値駆動）が実証されている（例えば、非特許文献3参照）。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5(a)示出通过 2倍过采样 (over sampling)对双电极 MZ调制器进行了驱动的情况下的光电场的复数平面上的迁移的轨迹，图中的黑圈对应于 QPSK的信号点。

図5（a）は、2倍オーバサンプリングで2電極MZ変調器を駆動した場合の光電界の複素平面上の遷移の軌跡を示しており、図中の黒丸がQPSKの信号点に対応する。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，为了利用作为双电极 MZ调制器的特征的低插入损失，与 3值驱动相比，利用4值的电信号的调制器的驱动更有利。

なお、2電極MZ変調器の特徴である低挿入損失を生かすためには、3値駆動よりも、4値の電気信号による変調器の駆動の方が有利である。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过进行 4值驱动，与 3值驱动的情况相比，双电极MZ调制器中的损失得到约 3dB的改善 (例如，参照非专利文献 2)。

4値駆動を行うことにより、3値駆動の場合と比較して、2電極MZ変調器での損失が約3dB改善する（例えば、非特許文献2参照）。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5(a)、(b)是针对使用双电极 MZ调制器来执行 QPSK的情况下的信号点配置，示出 3值驱动以及 4值驱动的说明图。

【図5】（a）、（b）は、2電極MZ変調器を用いてQPSKを実行する場合の信号点配置を、3値駆動および4値駆動について示す説明図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

此时，D/A转换器 11a、11b被设定成得到上述 4组的电压，所以作为从双电极 MZ调制器 14输出的调制光信号可得到光多值信号。

このとき、D／Aコンバータ11a、11bが、上述した4組の電圧が得られるように設定されているので、2電極MZ変調器14から出力される変調光信号として、光多値信号を得ることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

光抽头耦合器 15对从双电极 MZ调制器 14输出的光多值信号的一部分进行分支，将所分支出的光多值信号输出到光输出功率监视器 16。

光タップカプラ15は、2電極MZ変調器14から出力される光多値信号の一部を分岐し、分岐した光多値信号を光出力パワーモニタ16に出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 2是示出在使用双电极 MZ调制器 14来执行了 4值驱动的 QPSK的情况下，DC偏置偏离最佳值时产生的信号点的变化的说明图。

図2は、2電極MZ変調器14を用いて4値駆動のQPSKを実行した場合において、DCバイアスが最適値からずれた際に生じる信号点の変化を示す説明図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，在上述实施方式 1中，说明了光抽头耦合器 15以及光输出功率监视器 16设置在双电极 MZ调制器 14的外部。

また、上記実施の形態1では、光タップカプラ15および光出力パワーモニタ16が2電極MZ変調器14の外部に設けられていると説明した。 - 中国語 特許翻訳例文集

但是，不限于此，也可以将光抽头耦合器 15以及光输出功率监视器 16的功能内置于双电极 MZ调制器 14中，并使用所内置的这些功能。

しかしながら、これに限定されず、光タップカプラ15および光出力パワーモニタ16の機能を2電極MZ変調器14に内蔵し、内蔵されたこれらの機能を用いてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

参考图 3，垂直扫描电路300从像素矩阵中选择特定的读出行，并且复位晶体管(下文中称为复位Tr)301a至 301c使累积在光电二极管 (下文中称为 PD)303a至 303c上的光信号电荷复位。

図3において、垂直走査回路300は画素配列から特定の読み出し行を選択し、リセットトランジスタ（以下リセットTrと呼ぶ）301a〜301cはフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をリセットする。 - 中国語 特許翻訳例文集

选择晶体管 (下文中称为选择 Tr)305a至 305c选择特定行以使得像素源极跟随器 (称为像素 SF)306a至 306c能够将 FD电位读出到垂直输出线 204a至 204c上。

選択トランジスタ（以下選択Trと呼ぶ）305a〜305cは、特定行を選択して画素ソースフォロアを作動させてFD電位を垂直出力線に読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

相比而言，如果使用镜头调焦驱动位置精度良好的镜头进行摄像，则所拍摄图像的失焦量极有可能为小。

一方、レンズのフォーカス駆動の位置精度が良いレンズで撮影を行った場合には、撮影された画像の焦点ずれ量は、小さい可能性が高い。 - 中国語 特許翻訳例文集

假定在本实施例中，除驱动晶体管 Td1和负荷晶体管 Ts1以外的晶体管作为随着连接至栅极的控制线接通和断开而接通和断开的开关作用。

本実施形態において、駆動トランジスタTd1および負荷トランジスタTs1以外のトランジスタは、スイッチとして働き、ゲートに接続されている制御線のオンで導通し、オフで遮断することとする。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 2A和 2B解释了在光量正常时和光极强而导致黑化现象时针对将被读取的像素行的操作和 AD转换；

【図2】通常光量時および黒化現象が発生する非常に強い光量時の読み出し選択行の動作およびAD変換方法を説明する図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

11.根据权利要求 1至 10之一所述的通信系统 (1)，其特征在于，仅仅把比可预先给定的极限值长的这样的数据帧 (10)用于校准不精确的时钟发生器 (7)。

11. 予め設定可能な制限値よりも長いデータフレーム（10）が、前記不正確なクロックジェネレータ（7）の前記較正に援用されることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか1項に記載の通信システム（1）。 - 中国語 特許翻訳例文集

即，源极跟随器电路作为增益几乎为 1的放大电路而工作，并且调制垂直信号线11的电位 Vsl以跟随作为输入节点的 FD节点 7的电位 Vf的变化。

すなわち、ソースファロアー回路はゲインが略1のアンプ回路として動作し、入力ノードであるFDノード7の電位Vfの変化に追随するように、垂直信号線11の電位Vslは変調される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在常规的方法中，由于其由对象的距离而定，所以水平视差有时过大，并且因此，图像被看作在其中左右图像间的合并极限被超过的重叠视图 (参见图 9A)。

従来では、水平視差が被写体の距離に依存して大きくなりすぎ、左右像の融合限界を超えて多重に見えてしまうことがあった（図9参照）。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一装置 210的第一输入 211耦合到第一切换元件的控制端子，例如 p沟道场效晶体管 (p沟道 FET)214的栅极。

第1のデバイス210の第1の入力211は、pチャネル電界トランジスタ（pチャネルFET）214のゲートのような第1のスイッチング要素の制御端子に連結される。 - 中国語 特許翻訳例文集

然而，在大多数 FDD系统中，AT连续地在 RL和 FL上发射信号，导致极小或没有保护区间。

しかしながら、たいていのFDDシステムでは、ATはRLおよびFL上で連続的に信号を送信しており、結果として、ガードインターバルは、ほとんどない、またはまったくない。 - 中国語 特許翻訳例文集

输出装置 814例如包括： 显示装置，如 CRT(阴极射线管 )显示装置、液晶显示(LCD)装置、OLED(有机发光显示)装置和灯；

出力装置814は、例えば、CRT（Cathode Ray Tube）ディスプレイ装置、液晶ディスプレイ（LCD）装置、OLED（Organic Light Emitting Display）装置およびランプなどの表示装置と、スピーカおよびヘッドホンなどの音声出力装置で構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，输出设备 814包括诸如 CRT(阴极射线管 )显示设备、液晶显示 (LCD)设备、OLED(有机发光显示 )设备和灯的显示设备、以及诸如扬声器和耳机的音频输出设备。

出力装置814は、例えば、CRT（Cathode Ray Tube）ディスプレイ装置、液晶ディスプレイ（LCD）装置、OLED（Organic Light Emitting Display）装置およびランプなどの表示装置と、スピーカおよびヘッドホンなどの音声出力装置で構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

写入处理单元 22基于解压后的图像数据 D1而驱动打印机单元 24的激光二极管 41，以便在图 1的感光鼓 26上形成静电潜像。

書込み処理部22は、図1の感光体ドラム26に静電潜像を形成するために、伸長後の画像データD1に基づいてプリンター部24のレーザーダイオード41を駆動する。 - 中国語 特許翻訳例文集

激光二极管 41连接到写入处理单元 22，基于图像数据D1，CN 10201422374 AA 说 明 书 8/17页将规定的强度的激光射向感光鼓 26。

レーザーダイオード41は、書込み処理部22に接続され、画像データD1に基づいて所定の強度のレーザー光を感光体ドラム26に向けて出射する。 - 中国語 特許翻訳例文集

打印机控制单元 43连接到图像控制 CPU5，通过串行通信线路输入从图像控制CPU5传送来的打印控制信号 S43，从而控制激光二极管 41及打印机单元 24。

プリンター制御部43は、画像制御CPU5に接続され、シリアル通信線を介して画像制御CPU5から転送されてくるプリント制御信号S43を入力してレーザーダイオード41及びプリンター部24を制御する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在打印机单元 24，从激光二极管 41射出的激光照射到感光鼓 26而形成静电潜像。

プリンター部24では、レーザーダイオード41から出射されたレーザー光が感光体ドラム26に照射されて静電潜像を形成するようになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

作为另一实例，大多数 RDS数据包不含有将与应用程序相关的信息，且因此可以极少的处理来丢弃。

別の例として、大部分のRDSデータパケットは、アプリケーションに関連性があるであろう情報を含んでいないので、非常に少ない処理で廃棄できる。 - 中国語 特許翻訳例文集

控制部40A在第 1摄像模式时，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在受光部 10A中的M×N个像素部 P1，1～ PM，N的各个的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。

制御部40Aは、第1撮像モードのときに、受光部10AにおけるM×N個の画素部P1,1〜PM,NそれぞれのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させる。 - 中国語 特許翻訳例文集

被输出至此电压输出用配线 Lout的电压值 Vout，表示第 1行的 N个像素部P1，1～ P1，N的各个的光电二极管 PD中的受光强度。

この電圧出力用配線Loutへ出力される電圧値Voutは、第1行のN個の画素部P1,1〜P1,NそれぞれのフォトダイオードPDにおける受光強度を表すものである。 - 中国語 特許翻訳例文集

采取以上方式，而将电压值 Vout输出至电压输出用配线 Lout，所述电压值 Vout表示第 2行的 N个像素CN 10201760291 AA 说 明 书 9/16页部 P2，1～ P2，N的各个的光电二极管 PD中的受光强度。

以上のようにして、第2行のN個の画素部P2,1〜P2,NそれぞれのフォトダイオードPDにおける受光強度を表す電圧値Voutが電圧出力用配線Loutへ出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

控制部 40B在第 1摄像模式时，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在受光部 10B中的M×N个像素部 P1，1～ PM，N的各个的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。

制御部40Bは、第1撮像モードのときに、受光部10BにおけるM×N個の画素部P1,1〜PM,NそれぞれのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させる。 - 中国語 特許翻訳例文集