「衡撃トランジスタ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

画素ダミー選択トランジスタ118のゲートが垂直走査部120により供給される選択パルスDSELの供給ラインに接続されている。

像素哑选择晶体管118的栅极连接至将由垂直扫描部件120供给的选择脉冲DSEL的供给线。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ102は、垂直選択回路VSによって駆動される転送信号によって制御されうる。

可借助于由垂直选择电路 VS驱动的传输信号控制传输晶体管 102。 - 中国語 特許翻訳例文集

図11に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについての別の例を示す。

在图 11中，示出了被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电压的时序的另一个实例。 - 中国語 特許翻訳例文集

図12に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについてのさらに別の例を示す。

在图 12中，示出了将被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电极的时序的另一个实例。 - 中国語 特許翻訳例文集

読み出しトランジスタ21は、ゲート端子に接続される読み出し線READの電圧によりオン・オフ制御される。

读出晶体管 21通过与栅极端子连接的读出线 READ的电压来进行导通 /截止控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号電圧V1が“VTT”である場合、供給ノードN101の電圧（電圧緩和トランジスタ102のソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定される。

在信号电压 V1为“VTT”的情况下，供给节点 N101的电压 (电压缓和晶体管 102的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ202は、フローティング・ディフュージョン204と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 202缓冲浮动扩散部 204与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ302は、フローティング・ディフュージョン304と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 302缓冲浮动扩散部 304与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ102は、フローティング・ディフュージョン104と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 102缓冲浮动扩散部 104与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

フィールド1が、画像ストライプA、C、及びEで表示される左画像の半分であるレフト1、レフト3、レフト5をそれぞれ表示し、フィールド1はまた、画像ストライプB、D、及びFで表示される右画像の半分であるライト2、ライト4、ライト6をそれぞれ表示する。

半帧 1分别以图像条纹 A、C和 E显示左图像的半部左 1、左 3、左 5，并且半帧 1还分别以图像条纹 B、D和 F显示右图像的半部右 2、右 4、右 6。 - 中国語 特許翻訳例文集

フィールド2が、画像ストライプB、D、及びFで表示される左画像の残りの半分であるレフト2、レフト4、レフト6をそれぞれ表示し、フィールド2はまた、画像ストライプA、C、及びEで表示される右画像の半分であるライト1、ライト3、ライト5をそれぞれ表示する。

然后，半帧 2分别以图像条纹B、D和 F显示左图像剩余的半部左 2、左 4、左 6，并且半帧 2还分别以图像条纹 A、C和 E显示右图像剩余的半部右 1、右 3、右 5。 - 中国語 特許翻訳例文集

透過型液晶表示パネルは、薄膜トランジスター(Thin Film Transistor: 以下、“TFT”とする)基板とカラーフィルター基板を含む。

背光型液晶显示面板包括薄膜晶体管 (TFT)基板和滤色器基板。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号電圧VP1が“VTT−Vα”であり、信号電圧VN1が“VTT”である場合、供給ノードN201pの電圧（電圧緩和トランジスタ202pのソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定され、供給ノードN201nの電圧（電圧緩和トランジスタ202nのソース電圧）は、“VTT−Vα−Vth”に設定される。

在信号电压 VP1为“VTT-Vα”、信号电压 VN1为“VTT”的情况下，供给节点 N201p的电压 (电压缓和晶体管 202p的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”，供给节点 N201n的电压(电压缓和晶体管 202n的源极电压 )被设定为“VTT-Vα-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

垂直選択用トランジスタ40は、一例として、ドレインが増幅用トランジスタ42のソースに、ソースが画素線51にそれぞれ接続され、ゲート（特に垂直選択ゲートSELVという）が垂直選択線58に接続されている。

例如，垂直选择晶体管 40使其漏极连接到放大晶体管 42的源极，使其源极连接到像素线 51，且使其栅极 (具体地，称为垂直选择栅极 SELV)连接到垂直选择线 58。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、書込制御線WSLはLレベルであり、サンプリングトランジスタN1はオフ状態に制御されている。

此时，所述写控制线 WSL处于 L电平，且所述采样晶体管 N1被控制为处于关断状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後、読み出しトランジスタREADTrのゲートに読み出しパルス（READパルス）を与え、画素（PD）信号も同様にAD変換をする。

之后，向读取晶体管 READTr的栅极赋予读取脉冲 (READ脉冲 )，对于像素 (PD)信号也同样进行模数变换。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6においては、光電変換素子D1、FD容量C1、各トランジスタのゲート、ソース、ドレインおよび配線以外は省略している。

参考图 6，没有示出除了光电转换元件 D1、FD电容器 C1、各个晶体管的栅极、源极和漏极、以及内部连线以外的组件。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間t19から期間t22では、転送トランジスタ22の制御電極への供給電圧をVtrg3として同様の動作を繰り返して実行する。

在时段 t19到时段 t22期间，在将电压 Vtrg3供应到转移晶体管 22的控制电极的情况下，与上面相同的操作被重复执行。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅用トランジスタ42は、ゲートがフローティングディフュージョン38に接続され、ドレインが電源Vddに、ソースは垂直選択用トランジスタ40を介して画素線51に接続され、さらに垂直信号線19に接続されるようになっている。

放大晶体管 42使其栅极连接到浮动扩散 38，使其漏极连接到电源 Vdd，且使其源极经由垂直选择晶体管 40连接到像素线 51，并进一步连接到垂直信号线 19。 - 中国語 特許翻訳例文集

逆相内部ノード／Dは、「差動増幅回路の一方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ54を介してデータ線に接続され、正相内部ノードDは、「差動増幅回路の他方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ55を介して基準電圧線Vrefに接続されている。

反相内部节点 /D作为“差动放大电路的一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 54与数据线连接，正相内部节点 D作为“差动放大电路的另一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 55与基准电压线 Vref连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施例では、画素20内の選択トランジスタ25をオフときに、そのゲート電圧を当該選択トランジスタ25が形成されているウェルの電圧よりもオフ側、本例では負電圧に設定することを特徴としている。

第一实施例的特征在于，当像素 20的选择晶体管 25被关断时，其栅极电压被设为一电压也就是负电压，该电压距关断侧比距其中形成了选择晶体管 25的阱的电压更近。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、垂直信号線Vsig1aに用いられている配線H1は、ビアB1を介してアンプトランジスタ4のソース側の拡散層DF1に接続され、垂直信号線Vsig1bに用いられている配線H1は、ビアB1を介してアンプトランジスタ4´のソース側の拡散層DF1に接続されている。

并且，用于垂直信号线 Vsig1a的配线 H1经由通孔 B1连接在放大晶体管 4的源极侧的扩散层 DF1上，用于垂直信号线 Vsig1b的配线 H1经由通孔 B1连接在放大晶体管 4′的源极侧的扩散层 DF1上。 - 中国語 特許翻訳例文集

このトラブル画面70には、図8に示すような画像形成装置10側のトラブル画面60と同じトラブルメッセージ（即ち、トラブル画面60の画像61）と、画像形成装置10の操作部17に対応する操作パネルアイコン50とが表示される。

在该故障画面 70中，显示图 8所示那样的与图像形成装置 10侧的故障画面 60相同的故障消息 (即，故障画面 60的图像 61)、和与图像形成装置 10的操作部 17对应的操作面板图标 50。 - 中国語 特許翻訳例文集

このトラブル画面70には、図8に示すような画像形成装置10側のトラブル画面60と同じトラブルメッセージ（即ち、トラブル画面60の画像61）と、画像形成装置10の操作部17に対応する操作パネルアイコン50とが表示される。

在该故障画面 70中，显示与图 8所示那样的图像形成装置 10侧的故障画面 60相同的故障消息 (即，故障画面 60的图像 61)、和与图像形成装置 10的操作部 17对应的操作面板图标 50。 - 中国語 特許翻訳例文集

この開始時点において、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsは、バラツキを考慮しても閾値電圧Vthより広くなっている。

在开始时刻，甚至当考虑变动时，所述驱动晶体管 N2的栅 /源极之间的电压 Vgs也比所述阈值电压 Vth更宽。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、供給ノードN201p，N201nの電圧（電圧緩和トランジスタ202p，202nのソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定される。

该情况下，供给节点 N201p、N201n的电压(电压缓和晶体管 202p、202n的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間T3の場合は、期間t3でFD部26の電位を信号レベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 T3的情形中，在时段 t3，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势作为信号电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間S3の場合は、期間t3でFD部26の電位を信号レベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 S3的情形中，在时段 t3，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势作为信号电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

FD22から出力される電圧信号は増幅トランジスタTr3により増幅され、列信号線VSLに出力される。

从浮置扩散 22输出的电压信号通过放大晶体管 TR3放大，并输出到列信号线 VSL。 - 中国語 特許翻訳例文集

この状態の画素（1，1）においては、リセットトランジスタT1がオフの状態なので、続けて、画素信号読みを行う。

在该状态下，由于在像素 (1，1)处复位晶体管 T1保持断开，因此像素信号读取操作继续。 - 中国語 特許翻訳例文集

さて、この移動度補正動作の完了後も電源制御トランジスタN3のオン状態が継続すると、駆動トランジスタN2のソース電位Vsが有機EL素子OLEDの閾値電圧Vth(oled)を越えるまで上昇し、有機EL素子OLEDの点灯が開始される。

当电力供应控制晶体管 N3的导通状态在完成所述迁移率校正操作之后继续时，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs被增加到超过所述有机 EL器件 OLED的阈值电压Vth(oled)，并开始所述有机 EL器件 OLED的点亮。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図4】本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を拡大して示す図である。

图 4放大地描述了根据实施例的具有 4个晶体管的 CMOS图像传感器中的像素的例子； - 中国語 特許翻訳例文集

図4は、本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を拡大して示す図である。

图 4放大地描述了根据实施例的具有 4个晶体管的 CMOS图像传感器中的像素的例子。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ104は、垂直選択回路VSによって駆動されるリセット信号によって制御されうる。

可借助于由垂直选择电路 VS驱动的复位信号控制复位晶体管 104。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、転送トランジスタ102−1、102−3がオフ状態にされて、不図示の回路により光信号が読み出される。

在传输晶体管 102-1和 102-3被关断时，光信号被电路 (未示出 )读取。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図5】本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を示す図である。

图 5是示出按照第一实施例的 CMOS图像传感器的像素的例子的图，该像素由四个晶体管形成； - 中国語 特許翻訳例文集

図5は、本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を示す図である。

图 5是示出按照本实施例的 CMOS图像传感器的像素的例子的图，该像素由四个晶体管形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOSトランジスタNT311のゲートがキャパシタC311の第1電極に接続され、その接続点によりノードND313が形成されている。

NMOS晶体管NT311的栅极连接至电容器C311的第一电极，避过且连接点构成节点ND313。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOSトランジスタNT312のゲートがキャパシタC312の第1電極に接続され、その接続点によりノードND314が形成されている。

NMOS晶体管 NT312的栅极连接至电容器 C312的第一电极，并且连接点构成节点ND314。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間t0でリセットパルスRSTが“H”レベルになり、リセットトランジスタ23がオン状態になることによってFD部26をリセットする。

在时段 t0，通过使得复位脉冲 RST为“H”电平并且使得复位晶体管 23处于导通状态，复位 FD区 26。 - 中国語 特許翻訳例文集

この動作例4も、3トランジスタ構成の画素回路の単位画素を持つCMOSイメージセンサの場合の動作例である。

操作实例 4也是在 CMOS图像传感器具有包括三个晶体管的像素电路的像素的情况下的实例。 - 中国語 特許翻訳例文集

container＿IDレジスタは、ブランチ装置、複合シンク装置及び複数のトランスポートを有する如何なる装置でも対応されてよい。

分支设备、复合宿设备以及具有多传输的任何设备上都可支持 container_ID寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集

container＿IDレジスタは、ブランチ装置、複合シンク装置及び複数のトランスポートを有する如何なる装置でも対応されてよい。

可在分支设备、复合宿设备和具有多传输的任何设备上支持 container_ID寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集

より効率的なロジスティックス管理を行なうため、多くのトラックターミナルが空港の隣に建てられている。

为了实行更有效率的物流管理， 很多货车中转站依机场而建。 - 中国語会話例文集

この動作の開始に伴い、駆動トランジスタN2のゲート電位Vgは、信号電位Vsigに上昇する（図15（D）、図16（D））。

随着所述操作的开始，所述驱动晶体管 N2的栅极电位 Vg被增加到所述信号电位Vsig(图 15D，图 16D)。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間T3の場合は、期間t1でFD部26の電位をリセットレベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 T3的情形中，在时段 t1，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势，作为复位电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間S3の場合は、期間t1でFD部26の電位をリセットレベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 S3的情形中，在时段 t1，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势，作为复位电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランザクションからのサイクル数を使って、LFSRが所望のレジスタ状態に戻される（ブロック222）。

使用来自交易的循环数目以使 LFSR回到所要的寄存器状态 (块 222)。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明のこの態様は、UEまたはMSCサーバがDevIDを保護するときに採用されるのと同じ技法を使用するが、レジストラ（S−CSCF）により実施される。

本发明的此方面使用在 UE或 MSC服务器保护 DevID时采用的，但由注册器 (S-CSCF)执行的相同技术。 - 中国語 特許翻訳例文集

キューイング機能76（又は個別のキューイング機能76A、76B、76C）は、トラフィックが適切なリンクに配置されることを可能にするため、転送機能からのトラフィックを保持する。

排队功能 76（或单独排队功能 76A、76B、76C）保持来自转送功能的业务以使得业务能够被置于适当的链路上。 - 中国語 特許翻訳例文集