「衡撃トランジスタ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

第1の入力トランジスタ201のゲートに第1の共通出力線2からの信号が入力される。

信号从第一共用输出线2被输入到第一输入晶体管 201的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

結果的に、移動度μが大きい駆動トランジスタN2ほどゲート・ソース間電圧Vgsが小さくなる。

因此，栅 /源极之间的电压 Vgs随着所述驱动晶体管N2的迁移率μ的增加而减小。 - 中国語 特許翻訳例文集

この負荷電流15と増幅トランジスタAMPTrとでソースホロワ回路を構成し、画素信号を読み出す。

由该负荷电流 15和放大晶体管 Amp Tr.构成源极跟随电路，读取像素信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

画像形成装置10側では、トレイのリフトアップトラブルを検出すると、トラブル処理を開始し、CPU11が、インターフェイス12を介してトラブル発生信号を画像モニタリング装置20に対して送信し（図6AのステップS20）、ディスプレイコントローラ14が、CPU11の指示に基づいて、ディスプレイ15上に図7に示すようなトラブルメッセージ（トラブル画面60）を表示する（図6AのステップS21）。

在图像形成装置 10侧，当检测到托盘的抬升故障时，开始故障处理，CPU11经由接口 12将故障发生信号向图像监控装置 20发送 (图 6A的步骤 S20)，显示控制器 14基于CPU11的指示，在显示器 15上显示图 7所示那样的故障消息 (故障画面 60)(图 6A的步骤S21)。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合には、ストライプの第1シーケンス中のデータ要素番号Nが、ストライプの第2シーケンス中のデータ要素番号Nと同じ水平位置を持つように、シーケンスが水平方向に位置合わせされることができる。

在这种情况下，这些序列可以水平对准，使得第一条纹序列中的数据元素号 N与第二条纹序列中的数据元素号 N具有相同的水平位置。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、リモートクライアント103は、上述したトランスコードの変換体系（その中に含まれる各クリップの素性）を表すファミリーツリー（FT）等をモニタに表示する等して、ユーザに提示する。

即，远程客户端 103通过将表示上述的转码的转换体系 (包含在其中的各剪辑的来历 )的家谱树 (FT)等显示在监视器上等来向用户进行提示。 - 中国語 特許翻訳例文集

登録中にDevIDが保護されていないときの、レジストラ（S−CSCF）によるGRUU生成のためのステップを参照のこと。

参阅当 DevID在注册期间不受保护时由注册器 (S-CSCF)进行 GRUU创建的步骤。 - 中国語 特許翻訳例文集

よって、トランジスタ204の1／fノイズが熱ノイズよりも支配的な場合には、総ノイズを低減することが可能となる。

因此，如果晶体管 204的 1/f噪声与热噪声相比是占主导的，那么可以降低总噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

この状態から、ユーザがトランスコードの実行を指示すると、計画した通りにトランスコードが実行され、実際にクリップ482乃至クリップ487（のファイル）が生成される。

当从该状态用户指示执行转码时，按照计划来执行转码，实际上被生成剪辑 482至剪辑 487(的文件 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、基準信号読出し期間および画像信号読出し期間における負荷トランジスタ614からの負荷電流の大きさを一定に維持することができる。

这在参考信号和像素信号读出时段期间维持从负载晶体管 614提供的负载电流的幅度恒定。 - 中国語 特許翻訳例文集

送信アンプ15は、変調器14から無変調または変調された搬送波が送信信号として相補型の形態で入力されると、その送信信号は、トランジスタT1，T2により増幅されてアンテナ16に供給される。

在将未经调制的或调制过的载波作为互补类型的传输信号从调制器 14输入到传输放大器 15上时，用晶体管 T1和 T2放大此传输信号并提供给天线 16。 - 中国語 特許翻訳例文集

各基準電圧駆動回路19aは、同じ構成であって、3本の基準電圧線11aを、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3と呼ぶことにすると、基準電圧線Vref1とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ30，31と、基準電圧線Vref2とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ33，34と、基準電圧線Vref3とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ35，36とで構成されている。

各基准电压驱动电路 19a为相同构成，如果将 3条基准电压线 11a称作基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3，则包括串联连接于基准电压线 Vref1与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管30、31、串联连接于基准电压线 Vref2与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 33、34、串联连接于基准电压线 Vre3与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 35、36。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成している期間において、リセットトランジスタ22によりリセットされた後のFD25の電圧（リセット電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力し、さらに、読み出しトランジスタ21により、フォトダイオード20から信号電荷がFD25に読み出された後のFD25の電圧（リセット電圧＋変換信号電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力する。

放大晶体管 23在构成源极跟踪器电路的期间中，将被复位晶体管 22复位后的 FD25的电压 (复位电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL，另外，通过读出晶体管 21，在从光电二极管 20将信号电荷读出至 FD25之后的 FD25的电压 (复位电压 +变换信号电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動増幅回路6の非反転入力端子は単位画素の出力端子と接続され、その出力端子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ7を介して自身の反転入力端子に接続される。

差分放大器电路 6的非反相输入端子与单位像素的输出端子连接。 差分放大器电路 6的输出端子经由用作第一开关的MOS晶体管 7与差分放大器电路 6的反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

このような場合、上述したようにファミリーツリー（FT）の構成を複製して、複数のトランスコードの実行を定型処理として指示することができるようにすることにより、ユーザは、容易にトランスコードの作業を指示することができる。

在这样的情况下，如上所述，能够复制家谱树 (FT)的结构并指示多个转码的执行作为定型处理，由此用户能够容易地指示转码的操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】本発明のここに例示する実施形態により、図2Aに示すネットワークアクセスノード（eNB）に対して、ここに例示する方法の操作と、ここに例示するコンピュータプログラムインストラクションの実行の結果とを示す論理フロー図である。

图 6是根据本发明的示例性实施例对于图 2A中所示的网络接入节点 (eNB)说明示意性方法的操作以及示例性计算机程序指令的执行结果的逻辑流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図7】本発明のここに例示する実施形態により、図2A及び2Bに示すユーザ装置に対して、ここに例示する方法の操作と、ここに例示するコンピュータプログラムインストラクションの実行の結果とを示す論理フロー図である。

图 7是根据本发明的示例性实施例对于图 2A和图 2B中所示的用户设备说明示意性方法的操作以及示例性计算机程序指令的执行结果的逻辑流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図8】本発明のここに例示する実施形態により、ネットワークアクセスノード（eNB）に対して、ここに例示する別の方法の操作と、ここに例示するコンピュータプログラムインストラクションの実行の結果とを示す論理フロー図である。

图 8是根据本发明的示例性实施例对于网络接入节点 (eNB)说明另一示意性方法的操作以及示例性计算机程序指令的执行结果的逻辑流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集

画像モニタリング装置20のディスプレイ28上にトラブルメッセージ（操作パネルアイコン50付きのトラブル画面70）を表示した状態で、トラブル画面70上に表示された操作パネルアイコン50を使用したリモート操作により、トラブルシミュレーションが実行されると、画像形成装置10のディスプレイ15において、トラブルメッセージの表示を継続する一方、画像モニタリング装置20のディスプレイ28に、画像形成装置10のトラブルに関するシミュレーション情報（操作パネルアイコン50付きのシミュレーション情報画面80）を表示する。

在图像监控装置 20的显示器 28上显示了故障消息 (带有操作面板图标 50的故障画面 70)的状态下，当通过使用了在故障画面 70上显示的操作面板图标 50的遥控操作，执行故障模拟时，在图像形成装置 10的显示器 15中，继续故障消息的显示，另一方面，在图像监控装置 20的显示器 28中，显示与图像形成装置10的故障相关的模拟信息 (带有操作面板图标 50的模拟信息画面 80)。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、信号電圧VP1，VN1の相補的な変動に応じて電圧緩和トランジスタ202p，202nのコンダクタンスを相補的に変化させることができるので、信号電圧VP1，VN1の変動速度の劣化を軽減できる。

另外，由于能够对应于信号电压 VP1、VN1的互补变动而使电压缓和晶体管 202p、202n的电导互补地变化，所以可减轻信号电压 VP1、VN1的变动速度的劣化。 - 中国語 特許翻訳例文集

これは、トラフィックが各中間ノードにより処理される必要を排除することによって、他のホップ毎のリンクをからトラフィックを維持する。

这通过消除对由每个中间节点来处理业务的需要来保持业务远离其它逐跳链路。 - 中国語 特許翻訳例文集

次の1水平走査期間では、再び、変換領域103−1、103−2の電圧がリセットされた後、今度は、転送トランジスタ102−2、102−4がオン状態にされて、偶数行の光信号が読み出される。

在下一个水平扫描时间周期中，转换区域 103-1和 103-2的电压被再次复位，在接下来传输晶体管 102-2和 102-4接通时，偶数行内的光信号然后被读取。 - 中国語 特許翻訳例文集

受信機という用語は、IRまたは可視光信号を受信し、それを電気信号に変換するフォトダイオード、Pinダイオード、フォトトランジスタ、または他の光検出器を意味する。

术语接收器指的是光电二极管、PIN二极管、光电晶体管或用于接收 IR或可见光信号并将它们转换为电信号的其他光电检测器。 - 中国語 特許翻訳例文集

電圧調整部207は、複数の信号線対のうちいずれか1つに対応し、その対応する信号線対にそれぞれ接続される信号ノードNP1，NN1の電圧（信号電圧VP1，VN1）の中間電圧を制御電圧VMとして電圧緩和トランジスタ203p，203p，…のゲートおよび電圧緩和トランジスタ203n，203n，…のゲートに供給する。

电压调整部 207对应于多个信号线对中的任意一个，将与该对应的信号线对分别连接的信号节点 NP1、NN1的电压 (信号电压 VP1、VN1)的中间电压作为控制电压 VM，向电压缓和晶体管 202p、202p、…的栅极及电压缓和晶体管 202n、202n、…的栅极供给。 - 中国語 特許翻訳例文集

最大値検出用NMOSトランジスタ116のドレイン端子は電源VDDに接続され、ソース端子は差動アンプ115の反転入力端子および最大値検出用スイッチ117と接続される。

最大值检测NMOS晶体管 116的漏极端子与电源 VDD连接。 最大值检测 NMOS晶体管 116的源极端子与差分放大器 115的反相输入端子连接并且与最大值检测开关 117连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

最小値検出用PMOSトランジスタ119のドレイン端子は電源VDDと接続され、ソース端子は差動アンプ118の反転入力端子および最小値検出用スイッチ120と接続される。

最小值检测PMOS晶体管 119的漏极端子与电源 VDD连接。 最小值检测 PMOS晶体管 119的源极端子与差分放大器 118的反相输入端子连接，并且还与最小值检测开关 120连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動アンプ115の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最大値検出用NMOSトランジスタ116のゲート端子と接続されている。

差分放大器 115被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 115的非反相输入端子。 差分放大器 115的输出端子与最大值检测 NMOS晶体管 116的栅极端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動アンプ118の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最小値検出用PMOSトランジスタ119のゲート端子と接続されている。

差分放大器 118被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 118的非反相输入端子。 差分放大器 118的输出端子与最小值检测 PMOS晶体管 119的栅极端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、増幅トランジスタ414は、そのドレイン端子が電源電位線415に接続され、そのソース端子が垂直信号線（VSL1および2）501および502に接続される。

此外，放大晶体管 414使其漏极端子连接到电源电势线 415，并且使其源极端子连接到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生容量619は、負荷トランジスタ614のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と基準電流線601との間に形成される配線間容量からなる。

寄生电容器 619包括在负载晶体管 614的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和参考电流线 601之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後、第1実施の形態で説明したと同様に、1画素行毎に読み出しトランジスタTr12がオン状態となり、通常画素22の合算信号電荷（eS1＋eM1＋eM2）がフローティングディフージョン部（FD）37へ読み出される。

此后，如第一实施例的前述说明中所述的那样逐个像素行地接通读晶体管 Tr12，使普通像素 22的合并信号电荷 eS1+eM1+eM2被读出到浮动扩散部 (FD)37。 - 中国語 特許翻訳例文集

ロック指示は、このトラフィックを予期する1つまたは複数のクライアント層MEPへのデータトラフィック転送の間接的な中断をもたらすことができるサーバ層MEPの管理的ロックを指示するために使用される機能である。

锁定指示是这样一种功能，该功能用于指示出可导致向期待数据业务的一个或多个客户端层 MEP转发的数据业务发生相应中断的服务器层 MEP管理锁定。 - 中国語 特許翻訳例文集

この画素回路では、リセット電圧Vrstを垂直信号線111から選択的に供給する構成となっているために、リセットトランジスタ23がFD部26（増幅トランジスタ24のゲート電極）と垂直信号線111との間に接続されるとともに、垂直信号線111にはスイッチパルスSWでオン状態となるスイッチトランジスタ27を介して選択的にリセット電圧Vrstが供給されることになる。

像素电路具有如下配置，其中，复位电压 Vrst被选择性地从垂直信号线 111供应，因此，复位晶体管 23被连接在 FD区 26(放大晶体管 24的栅电极 )和垂直信号线 111之间，并且复位电压 Vrst通过开关晶体管 27被选择性地供应到垂直信号线 111，所示开关晶体管 27通过开关脉冲 SW导通。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。

例如，术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构，其形成于半导体上。 - 中国語 特許翻訳例文集

画像形成装置10側では、用紙トレイのリフトアップトラブルを検出すると、トラブル処理を開始し、CPU11が、用紙トレイのリフトアップトラブルコード「F3−12」及びトラブルメッセージの画像データを含むトラブル発生信号を画像モニタリング装置20に対して送信し（図14AのステップS40）、ディスプレイコントローラ25が、CPU11の指示に基づいて、ディスプレイ15上に、図7に示すようなトラブルメッセージ（トラブル画面60）を表示する。

在图像形成装置 10侧，当检测到托盘的抬升故障时，开始故障处理，CPU11将包含纸张托盘的抬升故障码“F3-12”以及故障消息的图像数据的故障发生信号向图像监控装置20发送 (图 14A的步骤 S40)，显示控制器 25基于 CPU11的指示，在显示器 15上显示图 7所示那样的故障消息 (故障画面 60)。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、垂直信号線（VSL1）501における信号レベルの変動によるカップリングの影響は、その垂直信号線（VSL1）501に対応する負荷トランジスタゲート線612に対して充分に抑制できないことがある。

例如，可以不能充分地抑制从垂直信号线 (VSL1)501的信号电平的改变导致的、对与该垂直信号线 (VSL1)501相关联的负载晶体管栅极线 612的耦合影响。 - 中国語 特許翻訳例文集

タイミング発生回路（TG）15は、供給電圧制御回路13が転送トランジスタ22のゲート電極に制御電圧を供給する際のタイミングを決めるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3（図2参照）を発生する。

时序发生器 (TG)15生成时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3(参考图 2)，用于确定供应电压控制电路 13向转移晶体管 22的栅电极供应控制电压的定时。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS62まで継続される。

另外，此时，选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147的栅电极的状态持续到步骤 S62。 - 中国語 特許翻訳例文集

命令変換器259Pのトランシーバとも呼ばれる組合せ両方向TX−RXドライバ／受信機33Aおよび32Aは、調光器回路6M−2のLED13Aおよびフォトダイオード12Aに相当するLED13Aおよびフォトトランジスタまたはダイオード12Aを介してプロトコルを送り、また受信する。

命令转换器 259P的组合双向 TX-RX驱动器 /接收器 33A和 32A（也称为收发器）经由与调光器电路 6M-2的 LED 13A和光电二极管 12A互易的 LED 13A和光电晶体管或二极管 12A来馈送和接收协议。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、本発明の第1の実施の形態では、この第2カップリング変動量（ΔV2）により、画素信号読出し期間において、垂直信号線（VSL1）510に接続された増幅トランジスタ414における増幅利得が上昇してしまう。

应注意，在第一实施例中，在像素信号读出时段期间，由于第二耦合改变 (ΔV2)，连接到垂直信号线 (VSL1)501的放大晶体管 414的放大增益升高。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動増幅回路4の非反転入力端子は単位画素の出力端子と接続され、その出力端子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ5の一方の主電極に接続される。

差分放大器电路 4的非反相输入端子与单位像素的输出端子连接，并且，差分放大器电路 4的输出端子与用作第一开关的 MOS晶体管 5的主电极中的一个连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、画像モニタリング装置20側では、インターフェイス23を介して画像形成装置10からのトラブル発生信号を受信すると、トラブル処理を開始し、ディスプレイコントローラ25が、CPU22の指示に基づいて、ディスプレイ28上に図8に示すようなトラブルメッセージ（トラブル画面70）を表示する（図6BのステップP20）。

另一方面，在图像监控装置 20侧，当经由接口 23接收到来自图像形成装置 10的故障发生信号时，开始故障处理，显示控制器 25基于 CPU22的指示，在显示器 28上显示图8所示那样的故障消息 (故障画面 70)(图 6B的步骤 P20)。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ（以下転送Trと呼ぶ）302a〜302c はフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をフローティングディフフュージョンに転送し、フォトダオード（以下、PD）303a〜303cは光電変換素子である。

传送晶体管 (下文中简称为传送 Tr)302a至 302c将累积在 PD303a至 PD 303c上的光信号电荷传送到浮动扩散 (下文中简称为 FD)304a至 304c，并且 PD 303a至 PD 303c是光电转换元件。 - 中国語 特許翻訳例文集

蓄積時間中は、光電変換素子21で電気信号に変換された信号が、ソースフォロワ回路の入力トランジスタ23のソース電極より増幅されて出力されている。

在积累期间中，在源极跟随器电路中的输入晶体管 23的源极处将光电转换元件 21中转换的电信号放大，并从那里输出。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素100は、光を電気（信号電荷）に変換するフォトダイオード（PD）106と、電気信号を増幅するFDアンプ107と、行選択スイッチを構成する行選択トランジスタ（Tr）108を備える。

光电二极管 (PD)106，其将光转换为电力 (信号电荷 )； FD放大器 107，其放大电信号； - 中国語 特許翻訳例文集

図14において、各基準電圧駆動回路19bは、同じ構成であって、1本の基準電圧線11bである基準電圧線Vrefとグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ30，31で構成されている。

图 14中，各基准电压驱动电路 19b的构成相同，包括串联连接于作为 1条基准电压线 11b的基准电压线 Vref与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 30、31。 - 中国語 特許翻訳例文集

各選択トランジスタ41のゲートには、それぞれ別の制御信号φSW1、φSW2、φSW3が供給され、この制御信号に従って任意の中間保持手段2の信号が選択されて増幅回路42を介し出力される。

不同的控制信号和 被施加到相应的选择晶体管 41的栅极，并且根据控制信号，从相应的中间保持单元 2选择信号并经由放大电路 42将该信号输出。 - 中国語 特許翻訳例文集

図7は、2つのトランジスタ段「A」と「B」だけが描写されるという点で図6と異なるが、第3の段または追加の段（例えば段「C」）を追加してもよく、この拡張可能性は2つの一連の連続点717により表される。

仅描绘了两个晶体管级“A”和“B”，但是可以添加第三或额外的级 (例如，“C”级 )； 这种扩展的可能性由两串延续点 717表示。 - 中国語 特許翻訳例文集

図20（e）は、期間T3，T4における期間t3、即ち信号を読み出すべく完全転送後に転送トランジスタ22をオフ状態にしたときのポテンシャル図である。

图 20E是时段 T3、T4中时段 t3的电势图，这时转移晶体管 22在完全转移读出信号之后处于关断状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ22は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子がFD25に接続され、ゲート端子がリセット線RESETに接続されている。

复位晶体管 22的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与 FD25连接，栅极端子与复位线 RESET连接。 - 中国語 特許翻訳例文集