「衡撃トランジスタ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

図3において、垂直走査回路300は画素配列から特定の読み出し行を選択し、リセットトランジスタ（以下リセットTrと呼ぶ）301a〜301cはフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をリセットする。

参考图 3，垂直扫描电路300从像素矩阵中选择特定的读出行，并且复位晶体管(下文中称为复位Tr)301a至 301c使累积在光电二极管 (下文中称为 PD)303a至 303c上的光信号电荷复位。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、ジャムトラブル発生時に表示するシミュレーション情報は、用紙の搬送経路に配されたセンサのオンオフ状態を示すものであってもよい。

例如，在卡纸故障发生时显示的模拟信息，也可以是表示在纸张的搬送路径配置的传感器的接通断开状态的信息。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、図1の水平制御線L3、L4のアドレス線がロウレベルの時、アドレストランジスタ3、3´がオフ状態となりソースフォロワ動作しないため、信号は出力されない。

并且，在图 1的水平控制线 L3、L4的地址线是低电平 (low level)时，地址晶体管 3、3′成为截止 (OFF)状态，源极跟随器不动作，所以不输出信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、リモートクライアント103が、以上のようなFT用GUI画像430を表示することにより、ユーザは、例えば、トランスコードに関してあるクリップと関連する所望のクリップを容易に検索し、選択することができる。

即，通过远程客户端 103显示如上所示的用于 FT的 GUI图像 430，用户能够容易地检索并选择例如与涉及转码的剪辑有关的希望的剪辑。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、時刻t19において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S1が排出される。

具体地，在时间t19，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145被复位，并从浮置扩散区 145中释放信号电荷 S1。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、時刻t22において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S2が排出される。

具体地，在时间t22，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145复位，且从浮置扩散区 145释放信号电荷 S2。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、満員のバス又は地下鉄内では、アタッカはリーダとして作用する侵入装置160，170に応答するトランスポンダを所持する誰かを容易に見つけ出すことができる。

例如，在满乘的公车或地铁中，入侵者可以轻易地发现拥有应答器的一些人，所述应答器会如读取器140一样响应于入侵设备 160、170。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図5】本発明の第2の実施の形態における負荷トランジスタゲート線612に対するカップリングの影響の一例を示す概念図である。

图 5是图示根据本发明的第二实施例的负载晶体管栅极线上的耦合影响的示例的概念性图； - 中国語 特許翻訳例文集

図5は、本発明の第2の実施の形態における負荷トランジスタゲート線612に対するカップリングの影響の一例を示す概念図である。

图 5是图示根据本发明的第二实施例的负载晶体管栅极线 612上的耦合影响的示例的概念性图。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、増幅トランジスタ23は、ソース端子がフローティング状態の垂直信号線VSLに接続されているだけであるので、ソースフォロワ回路の動作を行わない。

即，放大晶体管 23仅源极端子与浮动状态的垂直信号线 VSL连接，不进行源极跟踪器电路的动作。 - 中国語 特許翻訳例文集

各制御信号駆動回路20は、同じ構成であって、制御信号線21とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ40，41で構成されている。

各控制信号驱动电路 20为相同构成，包括串联连接于控制信号线 21与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 40、41。 - 中国語 特許翻訳例文集

読み出し動作は、まず、単位画素3のリセットトランジスタRSTTrのゲートにリセットパルス（RST）を与え、リセット信号を垂直信号線VSLに出力する。

在读取动作中，首先对单位像素 3的复位晶体管 RSTTr的栅极赋予复位脉冲(RST)，向垂直信号线 L输出复位信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準信号読出し期間終了後、時刻t3では、電荷転送線331を介して、行走査回路300から転送トランジスタ412に転送パルス330が供給される。

在接在参考信号读出时段的结束之后的时刻 t3，经由电荷传输线 331将传输脉冲330从行扫描电路 300提供到传输晶体管 412。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から電荷が排出される。

具体地，将复位脉冲 RST施加至复位晶体管 146的栅电极，使浮置扩散区145复位，电荷从浮置扩散区 145释放。 - 中国語 特許翻訳例文集

続いて、後者の手法、即ち選択トランジスタ25をオフするときにゲートに負電圧を与える具体的な実施例について以下に説明する。

接着，下面将详细描述后一种方法即当选择晶体管 25被关断时将负电压施加到栅极的实施例。 - 中国語 特許翻訳例文集

この動作で注目すべきなのは、最大値検出期間204では、最大値検出用NMOSトランジスタ116を流れるソース電流によって出力線141が充電される点である。

注意，在该操作中，在最大值检测周期 204期间，输出线 141通过流过最大值检测 NMOS晶体管 116的拉电流 (source current)被充电。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、最小値検出期間205では、最小値検出用PMOSトランジスタ119を流れるシンク電流によって出力線141が放電されることである。

另一方面，在最小值检测周期 205期间，输出线 141通过流过最小值检测 PMOS晶体管119的灌电流 (sink current)被放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ36は、ソースがフローティングディフュージョン38に、ドレインがリセット電源Vrd（通常はアナログ用の電源Vdd＝AVDD）と共通にする）にそれぞれ接続される。

复位晶体管 36使其源极连接到浮动扩散 38，且使其漏极连接到复位电源 Vrd(通常也用作模拟电源 Vdd＝ AVDD)。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、期間t13で転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrg1を供給し、入射光強度によって決まるフォトダイオード21の蓄積電子の量に応じて部分的にFD部26へ転送する。

接着，在时段“t13”，电压 Vtrg1被供应到转移晶体管 22的控制电极，并且根据光电二极管 21中的存储电子的量 (其由入射光强度决定 )，电子被部分地转移到 FD区 26。 - 中国語 特許翻訳例文集

以上より、第1から第6の実施形態において、本発明の実施形態の遮光画素が、感光画素と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、明らかである。

如上所述，在第一至第六实施例中，与各感光像素相比较，本发明的各实施例中的各遮光像素具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第2リセットトランジスタTr16は、そのリセットゲートをオーバーフローゲートとし、そのドレインをオーバーフロードレインとした、いわゆるオーバーフロードレイン機構として構成される。

第二复位晶体管Tr16被配置为所谓的溢出沟道机构(overflow drain mechanism)，其具有用作溢出栅极的复位栅极以及用作溢出漏极的漏极。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間t4でリセットパルスRSTが“H”レベルになり、リセットトランジスタ23がオン状態になることによってFD部26をリセットし、電子シャッタの動作をする。

在时段 t4，通过使得复位脉冲 RST为“H”电平并且使得复位晶体管 23处于导通状态 (充当电子快门 )，复位 FD区 26。 - 中国語 特許翻訳例文集

MOSトランジスタ221は定電流源225とともにソースフォロワ回路を構成し、その出力はフィードバックスイッチ227の他方の端子と接続される。

MOS晶体管 221和恒流源 225包含于源跟随器电路中，并且，源跟随器电路的输出端子与反馈开关 227的另一端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、取引コンポーネント1615は、2地点間（PTP）短距離動作モードの中でシグナリングおよびトラフィックを伝達するために、電磁（EM）スペクトルの赤外（IR）部分内で1つまたは複数の無線信号を送るように通信プラットフォーム1604を設定することができる。

例如，事务组件 1615可以设置通信平台 1604，使其在电磁 (EM)频谱的红外 (IR)部分中传递无线信号，以在点对点 (PTP)短距离操作模式内传送信令和业务量。 - 中国語 特許翻訳例文集

したがって、CPUは、ゼロ交差のタイミング、接続されたトラベラ1または2、およびIRフォトトランジスタまたはフォトダイオード12を介しIR遠隔制御受信機32を通してCPU30に供給される受信命令オンまたはオフおよび所定の調光器レベルに基づいて、トリガパルスT1またはT2を生成することができる。

因此 CPU可以基于过零定时、所连接的移动器 1或 2、和经由 IR光电晶体管或光电二极管12通过 IR远程控制接收器 32馈送到 CPU 30的所接收到的命令开启或关断或者给定调光器电平来生成触发脉冲 T1或 T2。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1のデバイス210の第1の入力211は、pチャネル電界トランジスタ（pチャネルFET）214のゲートのような第1のスイッチング要素の制御端子に連結される。

第一装置 210的第一输入 211耦合到第一切换元件的控制端子，例如 p沟道场效晶体管 (p沟道 FET)214的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6において、61は、各保持手段5からそれぞれの共通出力線8に接続する切替トランジスタであり、ノードN61を介して入力される信号を共通出力線8に対して出力する。

图6示出了切换晶体管61，其用于将每一保持单元5连接到公共输出线8，以便将经由节点N61输入的信号输出到公共输出线8中。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように構成することにより、入力ノードN103の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように入力ノードN103の電圧を制限できるので、レシーバ103の耐圧破壊を確実に防止できる。

通过如此构成，可以按照输入节点 N103的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制输入节点 N103的电压，因此能够可靠地防止接收器103的耐压破坏。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、最大値検出部BTMの出力端子BOUTからは、MOSトランジスタ66の制御電極に入力される信号が最小となる回路ブロックの出力が得られる。

因此，在最小值检测单元 BTM的输出端子 BOUT处获得来自所有电路块之中具有输入到 MOS晶体管 66的控制电极的最小信号的电路块的输出。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】図6は、無線ベアラ（RB）レベル、論理チャネル、トランスポートチャネル、および物理チャネルを有する通信デバイスのための通信チャネルを例示する。

图 6示出了针对通信设备的通信信道，其具有无线承载 (RB)级、逻辑信道、传输信道和物理信道。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、画素回路410における増幅トランジスタ414から基準信号および画素信号の信号レベルが、垂直信号線（VSL1および2）501および502に出力される。

这允许将参考信号和像素信号的电平从像素电路 410的放大晶体管 414输出到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、画素回路410における増幅トランジスタ414から基準信号および画素信号の信号レベルが垂直信号線（VSL1および2）501および502に出力される。

这允许将参考信号和像素信号的电平从像素电路 410的放大晶体管 414输出到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ22のゲート電極に供給する電圧をVtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4とした場合において、アドレス信号ADRによって行が選択された際に、タイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3によって、それぞれに対応する電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3を供給し、それ以外は電圧Vtrg4を供給する。

在将被供应到转移晶体管 22的栅电极的电压为 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和 Vtrg4的情形中，当通过地址信号 ADR选定行时，根据时序信号 PTRG1、PTRG2和 PTRG3，对应于各个时序信号的电压Vtrg1、Vtrg2和 Vtrg3被供应，而电压 Vtrg4被供应到其它行。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、第2実施例に係る手法を適用した場合の画素20および負荷トランジスタ31の動作について、図5のタイミングチャートを用いて説明する。

接着，将参照图 7所示的时序图来描述当应用根据第二实施例的方法时像素 20和负载晶体管 31的操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランシーバ10は、レジスタから送信される制御信号を使用して補正回路、補正シフタ、および補正乗算器を制御することとして記述される。

收发器 10被描述为使用从寄存器发送的控制信号来控制校正电路、校正移位器及校正乘法器。 - 中国語 特許翻訳例文集

バイアス制御回路4は、垂直信号線VSL−1〜VSL−Mのそれぞれにソース端子が接続されるM個のスイッチトランジスタ12で構成されている。

偏置控制电路 4由 M个开关晶体管 12构成，各开关晶体管 12的源极端子与垂直信号线 VSL-1～ VSL-M的每一个连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2に戻って、垂直信号線101〜103に接続されている負荷トランジスタTs1は、ドレインがそれぞれ垂直信号線101〜103に接続され、ゲートおよびソースが接地されている。

返回参考图 2，负荷晶体管 Ts1分别连接至垂直信号线 101、垂直信号线 102和垂直信号线 103，以使得漏极连接至垂直信号线 101～ 103，并且栅极和源极接地。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素部3内の全ての通常画素22［22R，22G，22B］は、第2リセットトランジスタTr16のゲート電極（OFG）43にリセットパルスを印加することで、完全電荷排出によるグローバルリセット動作が行われる。

当向第二复位晶体管 Tr16的溢出栅极电极 (OFG)43施加复位脉冲时，像素部 3中的全部像素 22(22R、22G和 22B)进行通过完全排出电荷而实现的全局复位操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

各画素の電子蓄積時間は、上記リセット動作と読み出し動作との間の期間であり、正確には転送トランジスタ2がリセット後オフしてから、読み出しでオフするまでの期間T1である。

每一个像素的电子累积时间是复位操作与读出操作之间的时段，并且正好是从复位之后传输晶体管 2的截止到用于读出的截止的时段 T1。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間（8）においては、まず、信号φFBがハイレベルになり、MOSトランジスタ221と定電流源225とで構成されるソースフォロワの出力を共通出力線に接続する。

在时段 (8)中，首先，信号 上升到高电平，并且，包含 MOS晶体管 221和恒流源 225的源跟随器的输出与共用输出线 102连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、現在のIMS仕様では、レジストラがインスタンスIDからGRUUをどのようにして生成しなければならないかに関するどんな手引きも提供されない。

另外，当前 IMS规范未提供有关注册器将如何从实例 ID生成 GRUU的任何指导。 - 中国語 特許翻訳例文集

各画素の電子蓄積時間は、上記リセット動作と読み出し動作との間の期間であり、正確には転送トランジスタ2がリセット後オフしてから、読み出しでオフするまでの期間T1である。

每个像素的电子累积时间是上述复位操作和读取操作之间的时间段，准确地说是在转移晶体管 2被复位随后截止之后、直到转移晶体管 2在读取中截止为止的时段 T1。 - 中国語 特許翻訳例文集

IR受信機32、フォトトランジスタまたはフォトダイオード12、IRドライバ33およびIR送信機またはLED13は、よく知られている回路およびデバイスであり、IR通過フィルタおよび／または低域通過フィルタと共にカプセル化された様々なICまたは個別パッケージで一般に入手することができる。

IR接收器 32、光电晶体管或光电二极管 12、IR驱动器 33和 IR发射器或 LED 13是众所周知的电路和装置，其通常在不同 IC或分立封装中可获得、与 IR通滤波器和 /或低通滤波器包封在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

フローティングディフージョンFD1、FD1´に信号電荷が読み出された後、水平制御線L3、L4のリセット線がハイレベルになると、リセットトランジスタ2、2´がオンし、フローティングディフージョンFD1、FD1´に読み出された信号電荷が排出される。

在信号电荷被读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中之后，如果水平控制线 L3、L4的复位线成为高电平，则复位晶体管 2、2′导通，将读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中的信号电荷排出。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間T3で転送トランジスタ22の制御電極に期間T2と同じ、あるいは異なる中間電圧を印加することにより、再び入射光量の大きい画素で発生した信号電荷を部分的にFD部26へ転送する。

在时段 T3，与时段 T2的相同或者不同的中间电压被施加到转移晶体管 22的控制电极，并且在具有大量入射光的像素中产生的信号电荷再次被部分转移到 FD区 26。 - 中国語 特許翻訳例文集

画像形成装置10側では、リモート操作によりトラブルシミュレーションの実行が指示されたと判別すると（図14AのステップS43でYes）、ディスプレイコントローラ14が、CPU11の指示に基づいて、ディスプレイ15に、図15に示すようなトラブルメッセージとリモート操作メッセージと（リモート操作メッセージ付きトラブル画面110）を表示する（図14AのステップS44）。

在图像形成装置 10侧，当判别为通过遥控操作指示了故障模拟的执行时 (在图14A的步骤 S43为“是”)，显示控制器 14基于 CPU11的指示，在显示器 15中显示图 15所示那样的故障消息和遥控操作消息 (带有遥控操作消息的故障画面 110)(图 14A的步骤S44)。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1の入力トランジスタ501のゲートに第1の共通出力線2からの信号が供給される。 本実施例においてはクランプ容量を介して供給される。

在第一示例性实施例中，通过箝位电容器 5从第一共用输出线 2向第一输入晶体管 501的栅极供给信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように構成することにより、供給ノードN101の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように供給ノードN101の電圧を制限できる。

通过如此构成，可以按照供给节点 N101的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制供给节点 N101的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように構成することにより、供給ノードN201p，N201nの電圧が補助トランジスタ205p，205nのゲート電圧を超えないように供給ノードN201p，N201nの電圧を制限できる。

通过如此构成，可以按照供给节点 N201p、N201n的电压不超过辅助晶体管 205p、205n的栅极电压的方式来限制供给节点 N201p、N201n的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図11】本発明の1実施形態による、エンローリーおよび／またはレジストラとして構成することのできるデバイスの様々なハードウェアブロックを示す。

图 11示出根据本发明实施例、适于被配置为加入者和 /或登记者的装置的各种硬件块。 - 中国語 特許翻訳例文集