「ジス」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

エコロジスト．

生态学家 - 白水社 中国語辞典

＜レジスタセット203＞

寄存器组 203> - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスター．

晶体管 - 白水社 中国語辞典

肝臓ジストマ．

肝吸虫 - 白水社 中国語辞典

肺臓ジストマ．

肺吸虫 - 白水社 中国語辞典

アジスアベバ．

亚的斯亚贝巴 - 白水社 中国語辞典

トランジスターラジオ．

半导体收音机 - 白水社 中国語辞典

漢学者，シノロジスト．

汉学家 - 白水社 中国語辞典

トランジスターラジオ．

晶体管收音机 - 白水社 中国語辞典

トランジスターラジオ．

半导体收音机 - 白水社 中国語辞典

レジスタ群84は、複数のレジスタ（記憶領域）を備えている。

寄存器组 84包括多个寄存器 (存储区 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

CPU書き込みレジスタ値501は、CPU19からの通信により、CPU書き込みレジスタR（401）、CPU書き込みレジスタA（402）、CPU書き込みレジスタB（403）のレジスタに書き込まれるタイミングを示している。

CPU写入寄存器值 501示出通过由 CPU 19开始的通信而对于 CPU写入寄存器 R(401)、CPU写入寄存器 A(402)和 CPU写入寄存器B(403)执行写入的定时。 - 中国語 特許翻訳例文集

VD同期レジスタ値502は、垂直同期信号20に同期して、VD同期レジスタR（408）、VD同期レジスタA（409）、VD同期レジスタB（410）に、CPU書き込みレジスタ値501の内容がコピーされるタイミングを示している。

VD同步寄存器值 502示出与垂直同步信号 20同步地将 CPU写入寄存器值 501的内容复制到 VD同步寄存器 R(408)、VD同步寄存器 A(409)和 VD同步寄存器 B(410)的定时。 - 中国語 特許翻訳例文集

レジスタセット203は、複数のプレーヤ状態レジスタ、複数のプレーヤ設定レジスタから構成される。

寄存器组 203由多个播放器状态寄存器、多个播放器设定寄存器构成。 - 中国語 特許翻訳例文集

PMOSトランジスタPT311のソースおよびPMOSトランジスタPT312のソースが電源電位VDDに接続されている。

PMOS晶体管 PT311的源极和 PMOS晶体管 PT312的源极连接至电源电势 VDD。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、負荷トランジスタ614は、特許請求の範囲に記載の負荷トランジスタの一例である。

应注意，负载晶体管 614是权利要求中描述的负载晶体管的示例。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間V3では、まず通信5012によるCPU書き込みレジスタ値501が、VD同期レジスタにコピーされる（5022）。

在时段 V3期间，首先，通过通信 5012写入的 CPU写入寄存器值 501被复制 (5022)到 VD同步寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集

特に、タイトル番号を格納しておくためのレジスタをタイトル番号レジスタという。

特别地，将用来保存标题号码的寄存器称作标题号码寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集

各レジスタの初期値は0とする。

每个寄存器的初始值设置为 0。 - 中国語 特許翻訳例文集

レジストラでDevID保護を提供する例示的呼の流れ

在注册器中提供 DevID保护的示例呼叫流程 - 中国語 特許翻訳例文集

1．ページスキャン間の間隔を増加させること

1、增加寻呼扫描之间的间隔； - 中国語 特許翻訳例文集

期間V2では、まず通信5011によるCPU書き込みレジスタ値501が、VD同期レジスタR（408）、VD同期レジスタA（409）、VD同期レジスタB（410）にコピーされる（5021）。

在时段 V2期间，首先，通过通信 5011写入的各个 CPU写入寄存器值 501被复制(5021)到 VD同步寄存器 R(408)、VD同步寄存器 A(409)和 VD同步寄存器 B(410)。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図8】シフトレジスタのブロック図である。

图 8是移位寄存器的方块图。 - 中国語 特許翻訳例文集

彼はファンタジストとして有名だった。

他是一位有名的幻想曲作曲家。 - 中国語会話例文集

彼はトランジスターの研究で先鞭をつけた．

他在半导体的研究上着先鞭。 - 白水社 中国語辞典

グランド側の2つのNMOSトランジスタ26，28ではNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力され、また、NMOSトランジスタ28のゲート端子にn＋1列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dn＋1が入力される。

在电路接地端侧的 2个 NMOS晶体管 26、28处，NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn，另外，NMOS晶体管 28的栅极端子被输入第 n+1列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn+1。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、信号出力部88がリセット信号を出力した場合には、レジスタ群84の各レジスタの値を初期化して「0」にする。

当信号输出单元 88输出复位信号时，控制器 90初始化寄存器组 84的每个寄存器的值并将该值设置为“0”。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、制御部90は、信号出力部88からリセット信号を出力した場合には、レジスタ群84の各レジスタの値を初期値「0」に戻す。

当从信号输出单元 88输出了复位信号时，控制器 90将寄存器组 84的各个寄存器的值返回到初始值“0”。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送範囲設定レジスタ801は、画像データの転送範囲を設定するための2ビット構成のレジスタである。

传送范围设置寄存器 801是用于设置图像数据的传送范围的两位寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集

PMOSトランジスタPT311のドレインがNMOSトランジスタNT311のドレインに接続され、その接続点によりノードND311が形成されている。

PMOS晶体管 PT311的漏极连接至 NMOS晶体管 NT311的漏极，并且连接点构成节点ND311。 - 中国語 特許翻訳例文集

PMOSトランジスタPT312のドレインがNMOSトランジスタNT312のドレインに接続され、その接続点によりアンプ310の出力ノードND312が形成されている。

PMOS晶体管 PT312的漏极连接至 NMOS晶体管 NT312的漏极，并且连接点构成放大器 310的输出节点 ND312。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、寄生容量629は、第2負荷トランジスタゲート線622と第2負荷トランジスタ624のドレイン端子との間に形成される。

应注意，寄生电容器 629形成在第二负载晶体管栅极线 622与第二负载晶体管 624的漏极端子之间。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、第2負荷トランジスタ624は、特許請求の範囲に記載の第2の負荷トランジスタの一例である。

应注意，第二负载晶体管 624是权利要求中描述的第二负载晶体管的示例。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2負荷トランジスタ624ソース端子には、第2負荷トランジスタ624のソース単位の電位変動が示されている。

第二负载晶体管 624的源极端子示出第二负载晶体管 624的源极端子的电势改变。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ54のソース、および、増幅トランジスタ55のソースは、所定の電源電圧VDDに接続されている。

重置晶体管 54的源极和放大晶体管 55的源极连接到预定电源电压 VDD。 - 中国語 特許翻訳例文集

このうち、非発光期間用の回路段は、セット用シフトレジスタ81と、リセット用シフトレジスタ83と、論理ゲート85で形成される。

所述用于非发光时段的电路级包括用于设置的移位寄存器 81、用于重置的移位寄存器 83和逻辑门 85。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、発光期間用の回路段は、セット用シフトレジスタ91と、リセット用シフトレジスタ93と、論理ゲート95で形成される。

相似地，所述用于发光时段的电路级包括用于设置的移位寄存器 91、用于重置的移位寄存器 93和逻辑门 95。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、セット用シフトレジスタ211とセット用シフトレジスタ217からは、同じタイミングでセットパルスが出力される。

因此，以相同的时序，从用于设置的移位寄存器 211和用于设置的移位寄存器 217输出设置脉冲。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、リセット用シフトレジスタ213とリセット用シフトレジスタ219からは、同じタイミングでリセットパルスが出力される。

因此，以相同的时序从用于重置的移位寄存器 213和用于重置的移位寄存器 219输出重置脉冲。 - 中国語 特許翻訳例文集

発光期間用の回路段は、セット用シフトレジスタ311と、リセット用シフトレジスタ313と、論理ゲート315で形成される。

所述发光时段的电路级包括用于设置的移位寄存器 311、用于重置的移位寄存器313和逻辑门 315。 - 中国語 特許翻訳例文集

発光期間用の回路段は、セット用シフトレジスタ411と、リセット用シフトレジスタ413と、論理ゲート415で形成される。

所述发光时段的电路级包括用于设置的移位寄存器 411、用于重置的移位寄存器413和逻辑门 415。 - 中国語 特許翻訳例文集

セッションレジストレーション機能は、図6および図9に示すレジストレーションプロセスを使用することができ得る。

所述会话注册功能可以使用在图 6和 9中所示的注册过程。 - 中国語 特許翻訳例文集

追加レジストレーションを実行するとき、UE104は同じインスタンスIDを使用するが、異なるレジストレーションIDを使用することができ得る。

当执行附加注册时，UE 104可以使用相同的实例 ID，但是使用不同的注册 ID。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4aで、行選択トランジスタ112は、出力トランジスタ102と出力線との間に配置されている。

在图 4a中，行选择晶体管 112置于输出晶体管 102与输出导线之间。 - 中国語 特許翻訳例文集

選択トランジスタ25は、例えば、ドレインが増幅トランジスタ24のソースに、ソースが垂直信号線122にそれぞれ接続されている。

例如，选择晶体管 25的漏极连接到放大晶体管 24的源极，并且其源极连接到垂直信号线 122。 - 中国語 特許翻訳例文集

ページスキャンモードにおける電力消費量は、ページスキャンモードにおける平均電流消費量に比例する。

寻呼扫描模式下的功耗与寻呼扫描模式下的平均电流消耗成比例。 - 中国語 特許翻訳例文集

上記の例では、ページスキャニングデバイスは、約1％のデューティサイクル（11．25ms／1．28秒）でページスキャニングを実行する。

在上面的例子中，寻呼扫描设备以约为 1％的占空比 (11.25毫秒 /1.28秒 )来执行寻呼扫描。 - 中国語 特許翻訳例文集

グランド側のNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力される。

电路接地端侧的 NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn。 - 中国語 特許翻訳例文集

電源側に直列配置されるPMOSトランジスタ60，61およびPMOSトランジスタ66，67において、電源64にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ60，66のうち、PMOSトランジスタ60のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1が直接入力され、PMOSトランジスタ66のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1を論理反転したデータ（／Dn＋1）とn列目のレジスタデータDnを論理反転したデータ（／Dn）とがNAND回路70を介して入力される。

在配置于电源侧的 PMOS晶体管 60、61和 PMOS晶体管 66、67中，在源极端子连接到电源 64的 PMOS晶体管 60、66中 PMOS晶体管 60的栅极端子被直接输入第 n+1列的寄存器数据 Dn+1，PMOS晶体管 66的栅极端子经由 NAND电路 70被输入对第 n+1列寄存器数据Dn+1进行逻辑反转后的数据 (/Dn+1)和对第 n列寄存器数据 Dn进行逻辑反转后的数据 (/Dn)。 - 中国語 特許翻訳例文集

CPU書き込みレジスタS（601）は、リセット行カウンタA（152）、リセット行カウンタB（153）の共通の設定レジスタである。

CPU写入寄存器 S(601)是为复位行计数器 A(152)和复位行计数器 B(153)所共用的设定寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集