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「ジス」を含む例文一覧
該当件数 : 1118件
したがって、ページスキャンモードにおける電力を低減するためのシステムおよび方法は、照会スキャンモードにも適用できる。
因而，用于在寻呼扫描模式下缩减功率的系统和方法也能够应用于查询扫描模式。
- 中国語 特許翻訳例文集
ステップ620において、低電力スキャンモジュール448は、ページスキャンが必要であるかどうかを判断する。
在步骤 620中，低功率扫描模块 448确定是否需要寻呼扫描。 - 中国語 特許翻訳例文集
図6Bは、図6Aのプロセスのためのエネルギースキャン650およびページスキャン660のタイミングを示すタイミング図の一例である。
图 6B是示出针对图 6A中的过程的能量扫描 650和寻呼扫描 660的定时的定时图的例子。 - 中国語 特許翻訳例文集
図7Bは、図7Bのプロセスのためのエネルギースキャン750および短縮ページスキャン760のタイミングを示すタイミング図の一例である。
图 7B是示出针对图 7B中的过程的能量扫描 750和缩短的寻呼扫描 760的定时的定时图的例子。 - 中国語 特許翻訳例文集
しかしながら、短縮ページスキャン860の継続時間は、約2タイムスロット（たとえば、2＊0．625ms）、または任意のタイムスロット数とすることができる。
然而，缩短的寻呼扫描 860的持续时间可以约为两个时隙 (例如，2*0.625毫秒 )或其它数量个时隙。 - 中国語 特許翻訳例文集
図9Bは、図9Aのプロセスのためのエネルギースキャン950およびページスキャン960のタイミングを示すタイミング図の一例である。
图 9B是示出针对图 9A中的过程的能量扫描 950和寻呼扫描 960的定时的定时图的例子。 - 中国語 特許翻訳例文集
図10は、本開示の一態様による、ページスキャンを実行するための受信機1030を示す概念ブロック図である。
图 10是根据本发明的一个方面，示出用于执行寻呼扫描的接收机 1030的概念框图。 - 中国語 特許翻訳例文集
ページスキャンまたは照会スキャンは、上述した方法のうちのいずれかを使用してスケジュールできる。
可以使用上述方法中的任何方法来对寻呼扫描或查询扫描进行调度。 - 中国語 特許翻訳例文集
周波数合成器1710がページスキャンモードで動作するとき、スイッチ1717はRPLL1515をPLL1730の入力に結合する。
当频率合成器 1710运行在寻呼扫描模式下时，开关 1717将 RPLL1515耦合到PLL1730的输入。 - 中国語 特許翻訳例文集
周波数合成器1710がページスキャンモードで動作するとき、スイッチ1727は第1のフィードバックパスをPFD1732の入力に結合する。
当频率合成器 1710运行在寻呼扫描模式下时，开关 1727将第一反馈路径耦合到 PFD1732的输入。 - 中国語 特許翻訳例文集
この時、サブプロセッサ110に対して通知したい内容（コマンド）等も内部レジスタに同時に書込まれる。
此时，要向副处理器 110通知的信息 (命令 )等也同时被写入内部寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集
メインシステム状態検出部105は、メインプロセッサ104から内部の所定レジスタに所定値を書込まれることでタイマーを起動させる。
当主处理器 104将预定值写入预定内部寄存器中时，主系统状态检测单元 105启动计时器。 - 中国語 特許翻訳例文集
メインシステム状態検出部105は、メインプロセッサ104から内部の所定レジスタに所定値が書込まれると、タイマー118を停止させる。
当主处理器 104将预定值写入预定寄存器中时，主系统状态检测单元 105停止计时器 118。 - 中国語 特許翻訳例文集
メインシステム状態検出部105は、メインプロセッサ104から内部の所定レジスタに所定値が書込まれることでタイマー118を起動させる。
当主处理器 104将预定值写入预定内部寄存器时，主系统状态检测单元 105启动计时器 118。 - 中国語 特許翻訳例文集
メインシステム状態検出部105は、メインプロセッサ104から内部の所定レジスタに所定値が書込まれると、タイマー118を停止させる。
当主处理器 104将预定值写入预定内部寄存器时，主系统状态检测单元 105停止计时器 118。 - 中国語 特許翻訳例文集
M個のスイッチトランジスタ14の各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電流制御線16に並列に接続されている。
M个开关晶体管 14的各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电流控制线 16上。 - 中国語 特許翻訳例文集
読み出しトランジスタ21は、ゲート端子に接続される読み出し線READの電圧によりオン・オフ制御される。
读出晶体管 21通过与栅极端子连接的读出线 READ的电压来进行导通 /截止控制。 - 中国語 特許翻訳例文集
増幅トランジスタ23は、ソース端子が垂直信号線VSLに接続され、ゲート端子がFD25に接続されている。
放大晶体管 23的源极端子与垂直信号线 VSL连接，栅极端子与 FD25连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
データ線10側の2つのNMOSトランジスタ25，27の各ゲート端子には列選択回路5aからの列選択信号が共通に入力される。
在数据线 10侧的 2个 NMOS晶体管 25、27的各栅极端子公共被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
制御信号線21側のNMOSトランジスタ40のゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。
控制信号线 21侧的 NMOS晶体管 40的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
列選択信号が出力されて高レベルである期間では、制御信号駆動回路20では、NMOSトランジスタ40がオンする。
在列选择信号被输出而处于高电平的期间内，控制信号驱动电路 20中，NMOS晶体管 40导通。 - 中国語 特許翻訳例文集
データ線10側のNMOSトランジスタ25のゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。
数据线 10侧的 NMOS晶体管25的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
基準電圧線Vref側のNMOSトランジスタ30ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。
基准电压线Vref侧的 NMOS晶体管 30的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
均一度Yflatが閾値THflat以下であれば、レジスタRGST1の記述は被写界像の動きを判別する上で信頼性に欠けるとみなされる。
若均匀度 Yflat为阈值THflat以下，则认为寄存器 RGST1的记载在判断拍摄视场像的运动方面缺乏可靠性。 - 中国語 特許翻訳例文集
判別結果がNOであれば、レジスタRGST1の記述は被写界像の動きを判別する上で信頼性に欠けるとみなし、ステップS149に進む。
若判断结果为“否”，则认为寄存器 RGST1的记载在判断拍摄视场像的运动方面缺乏可靠性，进入步骤 S149。 - 中国語 特許翻訳例文集
この時、VD同期レジスタB（410）の、リセット開始行とリセット終了行には、オフセット値が加算された値が保持される。
在这时候，已经加上偏移值的值作为复位开始行和复位结束行而被存储在 VD同步寄存器 B(410)中。 - 中国語 特許翻訳例文集
なお、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加された状態は、ステップS10まで継続される。
这里，选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147栅电极的状态持续到步骤 S10。 - 中国語 特許翻訳例文集
この負荷電流15と増幅トランジスタAMPTrとでソースホロワ回路を構成し、画素信号を読み出す。
由该负荷电流 15和放大晶体管 Amp Tr.构成源极跟随电路，读取像素信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
その後、読み出しトランジスタREADTrのゲートに読み出しパルス（READパルス）を与え、画素（PD）信号も同様にAD変換をする。
之后，向读取晶体管 READTr的栅极赋予读取脉冲 (READ脉冲 )，对于像素 (PD)信号也同样进行模数变换。 - 中国語 特許翻訳例文集
6. 前記第1の生成器が線形フィードバックシフトレジスタを含んでいる、請求項5に記載の集積回路。
6.根据权利要求 5所述的集成电路，其中所述第一生成器包括线性反馈移位寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図13】立体視表示ケーパビリティレジスタにおける立体視再生ケーパビリティの判定手順を示すフローチャート
图 13是表示立体视显示能力寄存器中的立体视再生能力的判断次序的流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集
再生装置においてタイトル番号レジスタの値は、記録媒体の装填後、不定値0xFFFF→1〜999→0というように変化する。
在再生装置中，标题号码寄存器的值在记录介质的装填后以不定值 0xFFFF→ 1～999→ 0的方式变化。 - 中国語 特許翻訳例文集
図13は、立体視表示ケーパビリティレジスタにおける立体視再生ケーパビリティの判定手順を示すフローチャートである。
图 13是表示立体视显示能力寄存器的立体视再生能力的判断次序的流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集
ステップS41において立体視表示ケーパビリティレジスタのb2が“1”であることは、眼鏡なしで立体視が可能であることを示す。
在步骤 S41中，立体视显示能力寄存器的 b2是“1”表示能够不用眼镜而实现立体视。 - 中国語 特許翻訳例文集
中小企業にとってサードパーティーロジスティクスは経営資源を有効活用するための選択肢となりうる。
第三方物流可以成为中小企业有效利用经营资源的一个选择。 - 中国語会話例文集
より効率的なロジスティックス管理を行なうため、多くのトラックターミナルが空港の隣に建てられている。
为了实行更有效率的物流管理， 很多货车中转站依机场而建。 - 中国語会話例文集
判定結果集積回路151−0は、転送線141−0を転送された判定値を保持するレジスタ152−0、レジスタ152−0の保持値をカウントするカウント回路153−0、およびカウント回路153−0のカウント結果を格納するメモリ154−0を有する。
判决结果 IC 151-0具有保持沿着传送线 141-0传送的判决值的寄存器 152-0、计数寄存器152-0中保持的值的计数电路153-0、以及存储来自计数电路153-0的计数结果的存储器 154-0。 - 中国語 特許翻訳例文集
判定結果集積回路151−1は、転送線141−1を転送された判定値を保持するレジスタ152−1、レジスタ152−1の保持値をカウントするカウント回路153−1、およびカウント回路153−1のカウント結果を格納するメモリ154−1を有する。
判决结果 IC 151-1具有保持沿着传送线 141-1传送的判决值的寄存器 152-1、计数寄存器152-1中保持的值的计数电路153-1、以及存储来自计数电路153-1的计数结果的存储器 154-1。 - 中国語 特許翻訳例文集
プロセッサ1712は、図17では全体にチップ上にあるように示されているが、全体又は部分的にチップ外に配置され、専用の電気接続及び／又は相互接続ネットワーク又はバス1714を介してプロセッサ1712に結合されたたレジスタ・セット又はレジスタ空間116を含んでもよい。
处理器1712包括寄存器组或寄存器空间116，其在图17中描述为整体在片上(on-chip)，但是另选地也可以整体或部分离片 (off-chip)并通过专用电连接和 /或通过互连网络或总线 1714直接连接到处理器 1712。 - 中国語 特許翻訳例文集
レジスタR5に「1」が書込まれた後、レジスタR6の値が「1」に変更される前にタイマ86がタイムアウトした場合には、第5の期間でCPU30に異常が発生したことを示しており、省電力移行お知らせ信号線64を介してCPU30に対して第2の信号を出力する。
当在寄存器 R5中写入了“1”之后、寄存器 R6的值变为“1”之前计时器 86超时时，这表示在第五时间段内在 CPU 30中出现异常，通过节电转换通知信号线 64将第二信号输出到 CPU 30。 - 中国語 特許翻訳例文集
本実施例においても、最大値または最小値検出期間における共通出力線605の充放電は、最大値検出用NMOSトランジスタ116を流れるソース電流または最小値検出用PMOSトランジスタ119を流れるシンク電流によって行われる。
同样，在本实施例中，通过流过最大值检测 NMOS晶体管 116的拉电流或流过最小值检测 PMOS晶体管 119的灌电流来执行最大值检测周期或最小值检测周期中共用输出线605的充放电。 - 中国語 特許翻訳例文集
垂直選択用トランジスタ40は、一例として、ドレインが増幅用トランジスタ42のソースに、ソースが画素線51にそれぞれ接続され、ゲート（特に垂直選択ゲートSELVという）が垂直選択線58に接続されている。
例如，垂直选择晶体管 40使其漏极连接到放大晶体管 42的源极，使其源极连接到像素线 51，且使其栅极 (具体地，称为垂直选择栅极 SELV)连接到垂直选择线 58。 - 中国語 特許翻訳例文集
増幅用トランジスタ42は、ゲートがフローティングディフュージョン38に接続され、ドレインが電源Vddに、ソースは垂直選択用トランジスタ40を介して画素線51に接続され、さらに垂直信号線19に接続されるようになっている。
放大晶体管 42使其栅极连接到浮动扩散 38，使其漏极连接到电源 Vdd，且使其源极经由垂直选择晶体管 40连接到像素线 51，并进一步连接到垂直信号线 19。 - 中国語 特許翻訳例文集
そして、垂直信号線Vsig1aに用いられている配線H1は、ビアB1を介してアンプトランジスタ4のソース側の拡散層DF1に接続され、垂直信号線Vsig1bに用いられている配線H1は、ビアB1を介してアンプトランジスタ4´のソース側の拡散層DF1に接続されている。
并且，用于垂直信号线 Vsig1a的配线 H1经由通孔 B1连接在放大晶体管 4的源极侧的扩散层 DF1上，用于垂直信号线 Vsig1b的配线 H1经由通孔 B1连接在放大晶体管 4′的源极侧的扩散层 DF1上。 - 中国語 特許翻訳例文集
さて、この移動度補正動作の完了後も電源制御トランジスタN3のオン状態が継続すると、駆動トランジスタN2のソース電位Vsが有機EL素子OLEDの閾値電圧Vth(oled)を越えるまで上昇し、有機EL素子OLEDの点灯が開始される。
当电力供应控制晶体管 N3的导通状态在完成所述迁移率校正操作之后继续时，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs被增加到超过所述有机 EL器件 OLED的阈值电压Vth(oled)，并开始所述有机 EL器件 OLED的点亮。 - 中国語 特許翻訳例文集
同じプライベートユーザ識別情報が使用されるので、S−CSCF244は、UE104が、場合によっては異なるIPアドレスで、カレント存在しているIMSレジストレーションを置き換えるレジストレーションを実行することを望んでいると判断することがある。
因为使用相同的私有用户身份，因此 S-CSCF 244可以确定 UE 104可能希望使用不同的 IP地址执行注册，该注册替换现有的 IMS注册。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、この場合、電圧緩和トランジスタ102のドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”であるので、電圧緩和トランジスタ102の端子間電圧（ゲート−ドレイン間電圧，ゲート−ソース間電圧，およびソース−ドレイン間電圧）を“VTT”よりも低くすることができる。
而且，该情况下，由于电压缓和晶体管 102的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 102的端子间电压 (栅极—漏极间电压、栅极—源极间电压以及源极—漏极间电压 )比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集
信号電圧VP1が“VTT−Vα”であり、信号電圧VN1が“VTT”である場合、供給ノードN201pの電圧（電圧緩和トランジスタ202pのソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定され、供給ノードN201nの電圧（電圧緩和トランジスタ202nのソース電圧）は、“VTT−Vα−Vth”に設定される。
在信号电压 VP1为“VTT-Vα”、信号电压 VN1为“VTT”的情况下，供给节点 N201p的电压 (电压缓和晶体管 202p的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”，供给节点 N201n的电压(电压缓和晶体管 202n的源极电压 )被设定为“VTT-Vα-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集
図10では、シフトレジスタDn（ここで、nは、1から9までの値に等しい）の番号付けに対応する矢印1001によって示された方向で供給されるチャネルのサンプルを受信する、9つのタップシフトレジスタ1000の処理が示されている。
图 10示出了一个过程，其中，相对于移位寄存器的编号 Dn，九抽头移位寄存器1000接收在由箭头 1001所示的方向上馈送的信道的样本，其中 n等于 1至 9。 - 中国語 特許翻訳例文集
この後、レジストローラ42の回転を開始して、レジストローラ42により記録用紙を印刷部14の転写ユニット25へと搬送し、更に排紙ローラ46により記録用紙を排紙トレイ47へと搬送する。
之后，开始校准辊 42的旋转，通过校准辊 42的旋转，将记录用纸运送到打印单元 14的转印组件 25，并将记录用纸经由转印组件 25和定影装置 27运送到排纸辊 46，进而通过排纸辊 46将记录用纸运送到排纸托盘 47。 - 中国語 特許翻訳例文集
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