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「ジス」を含む例文一覧
該当件数 : 1118件
同様に、IBエージェントが例えばパターンの認識、レジストリ変更要求等のコンテキストをOOBエージェントに与えてよく、OOBエージェントはこれらをポリシーの定義または更新に用いてよい。
进而，IB代理给予 OOB代理诸如辨识模式、注册表改变请求等上下文，以供 OOB代理用于定义或修订这些策略。
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OOBエージェントはまた、対象のOS環境によって設定された特定のCPUレジスタからの情報を提供することで、監視されるべき領域をインバンドエージェントが確立することを支援してよい。
OOB代理还可通过提供来自由目标 OS环境设置的特定 CPU寄存器的信息来帮助带内代理建立应当监视的区域。 - 中国語 特許翻訳例文集
そこで、CPU30は、第1の状態から第2の状態に移行する前に、ASIC34に設けられた割込作業を規定するレジスタの値を書換えて、第2割込作業が行われるように設定変更する。
因此，CPU 30在从第一状态转换到第二状态之前，重写在 ASIC 34中设置的用于限定中断工作的寄存器的值，并改变设置以使得执行第二中断工作。 - 中国語 特許翻訳例文集
そこで、CPU30は、ASIC34に設けられたマスク信号出力を規定するレジスタの値を書換えて、ASIC34からマスク信号がバッファ48に出力されるように設定変更する。
因此，CPU 30重写设置在 ASIC 34中的限定掩蔽信号输出的寄存器的值，并且改变设置以使得从 ASIC 34向缓冲器 48输出掩蔽信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
（8）CPU30は、PCIバス46を介してASIC34に制御信号を出力し、マスク信号がASIC34から出力されないようにASIC34に設けられたマスク信号出力を規定するレジスタの値を書換えて、ASIC34の設定を変更する。
(8)CPU 30通过 PCI总线 46向 ASIC 34输出控制信号，重写在 ASIC 34中设置的用于限定掩蔽信号输出的寄存器的值，以使得不从 ASIC 34输出掩蔽信号，并且改变 ASIC 34的设置。 - 中国語 特許翻訳例文集
（9）CPU30は、PCIバス46を介してASIC34に制御信号を出力し、第1割込作業が行われるようにASIC34に設けられた割込作業を規定するレジスタの値を書換えて、設定変更する。
(9)CPU 30通过 PCI总线 46向 ASIC 34输出控制信号，重写在 ASIC 34中设置的用于限定中断工作的寄存器的值，以使得执行第一中断工作，并且改变设置。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、制御部90は、レジスタR1に「1」が書込まれると、タイマ86に第1の期間に対応するタイムアウト時間Taを設定してカウントをスタートさせる。
如果在寄存器 R1中写入了“1”，则控制器 90对计时器 86设置对应于第一时间段的超时时间 Ta并启动计数操作。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、制御部90は、レジスタR2に「1」が書込まれると、タイマ86に第2の期間に対応するタイムアウト時間Tbを設定してカウントをスタートする。
当在寄存器 R2中写入了“1”时，控制器 90对计时器 86设置对应于第二时间段的超时时间 Tb并启动计数操作。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、制御部90は、レジスタR3に「1」が書込まれると、タイマ86に第3の期間に対応するタイムアウト時間Tcを設定してカウントをスタートする。
如果在寄存器 R3中写入了“1”，则控制器 90对计时器 86设置对应于第三时间段的超时时间 Tc并启动计数操作。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、制御部90は、レジスタR4に「1」が書込まれると、タイマ86に第4の期間に対応するタイムアウト時間Tdを設定してカウントをスタートする。
当在寄存器 R4中写入了“1”时，控制器 90对计时器 86设置对应于第四时间段的超时时间 Td并启动计数操作。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、制御部90は、レジスタR5に「1」が書込まれると、タイマ86に第5の期間に対応するタイムアウト時間Teを設定してカウントをスタートする。
当在寄存器 R5中写入了“1”时，控制器 90对计时器 86设置对应于第五时间段的超时时间 Te并启动计数操作。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、制御部90は、レジスタR6に「1」が書込まれると、タイマ86に第6の期間に対応するタイムアウト時間Tfを設定してカウントをスタートする。
当在寄存器 R6中写入了“1”时，控制器 90对计时器 86设置对应于第六时间段的超时时间 Tf并启动计数操作。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、制御部90は、レジスタR7に「1」が書込まれると、タイマ86に第7の期間に対応するタイムアウト時間Tgを設定してカウントをスタートさせる。
如果在寄存器 R7中写入了“1”，则控制器 90对计时器 86设置对应于第七时间段的超时时间 Tg并启动计数操作。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、制御部90は、レジスタR8に「1」が書込まれると、タイマ86に第8の期間に対応するタイムアウト時間Thを設定してカウントをスタートさせる。
当在寄存器 R8中写入了“1”时，控制器 90对计时器 86设置对应于第八时间段的超时时间 Th并启动计数操作。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、制御部90は、レジスタR9に「1」が書込まれると、タイマ86に第9の期間に対応するタイムアウト時間Thを設定してカウントをスタートさせる。
如果在寄存器 R9中写入了“1”，则控制器 90对计时器 86设置对应于第九时间段的超时时间 Ti并启动计数操作。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、制御部90は、レジスタR10に「1」が書込まれると、タイマ86に第10の期間に対応するタイムアウト時間Thを設定してカウントをスタートさせる。
当在寄存器 R10中写入了“1”时，控制器 90对计时器 86设置对应于第十时间段的超时时间 Tj并启动计数操作。 - 中国語 特許翻訳例文集
S108において、パケット読出DMAC122は、転送範囲設定レジスタ801の値に従って必要なオーバラップ領域のデータを含むパケットデータを読み出し、S110に進む。
在 S108中，包读出 DMAC 122根据传送范围设置寄存器 801的值，读出包括所需的交叠区域的数据的包数据，并且处理前进到S110。 - 中国語 特許翻訳例文集
表示コマンドリストが生成されているとき、表示コマンドは、ページ上の位置毎に分類され、メモリ170中のページストリップに割り当てられる。
在生成了显示命令列表之后，通过在页上的位置对显示命令进行排序，并将其分配给存储器 170中的页条。 - 中国語 特許翻訳例文集
差動アンプ115の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最大値検出用NMOSトランジスタ116のゲート端子と接続されている。
差分放大器 115被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 115的非反相输入端子。 差分放大器 115的输出端子与最大值检测 NMOS晶体管 116的栅极端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
最大値検出用NMOSトランジスタ116のドレイン端子は電源VDDに接続され、ソース端子は差動アンプ115の反転入力端子および最大値検出用スイッチ117と接続される。
最大值检测NMOS晶体管 116的漏极端子与电源 VDD连接。 最大值检测 NMOS晶体管 116的源极端子与差分放大器 115的反相输入端子连接并且与最大值检测开关 117连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
差動アンプ118の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最小値検出用PMOSトランジスタ119のゲート端子と接続されている。
差分放大器 118被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 118的非反相输入端子。 差分放大器 118的输出端子与最小值检测 PMOS晶体管 119的栅极端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
最小値検出用PMOSトランジスタ119のドレイン端子は電源VDDと接続され、ソース端子は差動アンプ118の反転入力端子および最小値検出用スイッチ120と接続される。
最小值检测PMOS晶体管 119的漏极端子与电源 VDD连接。 最小值检测 PMOS晶体管 119的源极端子与差分放大器 118的反相输入端子连接，并且还与最小值检测开关 120连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
この動作で注目すべきなのは、最大値検出期間204では、最大値検出用NMOSトランジスタ116を流れるソース電流によって出力線141が充電される点である。
注意，在该操作中，在最大值检测周期 204期间，输出线 141通过流过最大值检测 NMOS晶体管 116的拉电流 (source current)被充电。 - 中国語 特許翻訳例文集
同様に、最小値検出期間205では、最小値検出用PMOSトランジスタ119を流れるシンク電流によって出力線141が放電されることである。
另一方面，在最小值检测周期 205期间，输出线 141通过流过最小值检测 PMOS晶体管119的灌电流 (sink current)被放电。 - 中国語 特許翻訳例文集
次の1水平走査期間では、再び、変換領域103−1、103−2の電圧がリセットされた後、今度は、転送トランジスタ102−2、102−4がオン状態にされて、偶数行の光信号が読み出される。
在下一个水平扫描时间周期中，转换区域 103-1和 103-2的电压被再次复位，在接下来传输晶体管 102-2和 102-4接通时，偶数行内的光信号然后被读取。 - 中国語 特許翻訳例文集
各選択トランジスタ41のゲートには、それぞれ別の制御信号φSW1、φSW2、φSW3が供給され、この制御信号に従って任意の中間保持手段2の信号が選択されて増幅回路42を介し出力される。
不同的控制信号和 被施加到相应的选择晶体管 41的栅极，并且根据控制信号，从相应的中间保持单元 2选择信号并经由放大电路 42将该信号输出。 - 中国語 特許翻訳例文集
図6において、61は、各保持手段5からそれぞれの共通出力線8に接続する切替トランジスタであり、ノードN61を介して入力される信号を共通出力線8に対して出力する。
图6示出了切换晶体管61，其用于将每一保持单元5连接到公共输出线8，以便将经由节点N61输入的信号输出到公共输出线8中。 - 中国語 特許翻訳例文集
蓄積時間中は、光電変換素子21で電気信号に変換された信号が、ソースフォロワ回路の入力トランジスタ23のソース電極より増幅されて出力されている。
在积累期间中，在源极跟随器电路中的输入晶体管 23的源极处将光电转换元件 21中转换的电信号放大，并从那里输出。 - 中国語 特許翻訳例文集
データリンク層では、メッセージ群フォーマット設定器530が、複数のメッセージをメッセージスロットに割り当て、制御データ及び不使用バイトを追加してメッセージ群を形成する。
在数据链路层，消息群格式化器 530将多个消息指派给消息时隙 (slot)，并添加控制数据和空闲字节以形成消息群。 - 中国語 特許翻訳例文集
リセットトランジスタ36は、ソースがフローティングディフュージョン38に、ドレインがリセット電源Vrd（通常はアナログ用の電源Vdd＝AVDD）と共通にする）にそれぞれ接続される。
复位晶体管 36使其源极连接到浮动扩散 38，且使其漏极连接到复位电源 Vrd(通常也用作模拟电源 Vdd＝ AVDD)。 - 中国語 特許翻訳例文集
使用されることができる記憶媒体の幾つかの例は、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、取外し可能ディスク、CD−ROM等を含む。
可使用的存储介质的一些示例包括 RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM等。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェアモジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、取外し可能ディスク、CD−ROMあるいは技術において既知の記憶媒体の他の形式に存在し得る。
软件模块可以存在于 RAM存储器、闪速存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM或本领域已知的任何其它形式存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集
このような顔検出タスクのために、図4（A）〜図4（C）に示す辞書DC＿1〜DC＿3，図5に示すレジスタRGST1および図6に示す複数の顔検出枠FD，FD，FD，…が準備される。
为了进行这样的面部检测任务，而准备图 4(A)～图 4(C)所示的词典 DC_1～ DC_3、图 5所示的寄存器RGST1及图 6所示的多个面部检测框 FD、FD、FD、……。 - 中国語 特許翻訳例文集
ステップS77の判別結果がYESであればステップS83に進み、顔検出枠FDの現在の位置およびサイズを顔画像情報としてレジスタRGST1に登録する。
如果步骤 S77的判别结果为“是”，则进入到步骤 S83，并将面部检测框 FD的当前位置及尺寸作为面部图像信息登录至寄存器 RGST1。 - 中国語 特許翻訳例文集
使用できる記憶媒体のいくつかの例には、ランダムアクセスメモリ（RAM）、読取り専用メモリ（ROM）、フラッシュメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROMなどがある。
可使用的存储介质的一些例子包括随机访问存储器 (RAM)、只读存储器 (ROM)、闪存、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM等。 - 中国語 特許翻訳例文集
使用することができる記憶媒体の幾つかの例は、ランダムアクセスメモリ（RAM）と、読み取り専用メモリ（ROM）と、フラッシュメモリと、EPROMメモリと、EEPROMメモリと、レジスタと、ハードディスクと、取り外し可能なディスクと、CD−ROMと、等を含む。
可使用的存储介质的一些例子包括随机访问存储器 (RAM)、只读存储器 (ROM)、闪存、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM等。 - 中国語 特許翻訳例文集
そして、PMOSトランジスタPT313およびPT314のゲートがローレベルでアクティブの第1の制御パルス信号CPLの入力端子TCPLに共通に接続されている。
PMOS晶体管PT313和PT314的栅极共同连接至用于在低电平有效的第一控制脉冲信号 CPL的输入端子 TCPL。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
使用できる記憶媒体のいくつかの例は、ランダム・アクセス・メモリ（RAM）、読取専用メモリ（ROM）、フラッシュメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブル・ディスク、CD−ROMなどを含む。
可使用的存储介质的一些示例包括随机存取存储器 (RAM)、只读存储器 (ROM)、闪存、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM等。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェア・モジュールは、RAMメモリ、フラッシュ・メモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハード・ディスク、リムーバル・ディスク、CD−ROM、または当技術分野で既知である他の形のあらゆる記憶媒体に存在し得る。
软件模块可以位于 RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、移动磁盘、CD-ROM或者本领域公知的任何其它形式的存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集
時刻パルス308がラインカード312によって検出されると、周波数カウンタ318からのローカルカウンタLCの値が、レジスタ324の中に記録される。
当线卡 312检测到当日时间脉冲 308时，在寄存器 324中记录来自频率计数器 318的本地计数器 LC的值。 - 中国語 特許翻訳例文集
ステップ621で、電気クロックパルス信号504および時刻パルス信号508が、それぞれ、例えば、周波数カウンタ518およびレジスタ524によって受信される。
在步骤 621，例如由频率计数器 518和寄存器 524分别接收电时钟脉冲信号 504和当日时间脉冲信号 508。 - 中国語 特許翻訳例文集
使用できる記憶媒体のいくつかの例は、ランダム・アクセス・メモリ（RAM）、読取専用メモリ（ROM）、フラッシュメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブル・ディスク、CD−ROMなどを含む。
可以使用的存储介质的一些示例包括随机存取存储器 (RAM)、只读存储器(ROM)、闪存、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM等。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェアモジュール、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROMあるいは記憶媒体のいずれの他の形態、において存在することができる。
软件模块可驻留在 RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM、或任何其他形式的存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェア・モジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROM、あるいは当分野で既知の他の形態の記憶媒体に常駐可能である。
软件模块可驻留在 RAM存储器、闪速存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或本领域中已知的任意其它形式的存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェア・モジュールはRAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROM、あるいは当業界で既知の他の形態の記憶媒体に常駐可能である。
软件模块可驻留在 RAM存储器、闪速存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或本领域中已知的任意其它形式的存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェアモジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、取り外し可能なディスク、CD−ROM、または当技術分野で周知の記憶媒体のいかなる他の形式に常駐できる。
软件模块可以驻留在 RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM或本领域已知的任何其它形式的存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集
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