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「ジス」を含む例文一覧
該当件数 : 1118件
セット用シフトレジスタ91は、水平走査クロックよりも高速の第2のシフトクロックCK2に基づいて動作し、第2のシフトクロックCK2が入力される度、次段の遅延段にセットパルスを転送する。
基于比水平扫描时钟更高的第二偏移时钟 CK2操作所述用于设置的移位寄存器 91，并且，其在每次输入所述第二偏移时钟 CK2时将设置脉冲传送至下一延迟级。
- 中国語 特許翻訳例文集
同じく、リセット用シフトレジスタ93は、水平走査クロックよりも高速の第2のシフトクロックCK2に基づいて動作し、第2のシフトクロックCK2が入力される度、次段の遅延段にリセットパルスを転送する。
也基于比水平扫描时钟更高的第二偏移时钟 CK2操作所述用于重置的移位寄存器 93，并且，其在每次输入所述第二偏移时钟 CK2时将重置脉冲传送至下一延迟级。 - 中国語 特許翻訳例文集
なお、サンプリングトランジスタN1がオン状態に切り替わる前には、信号線DTLの電位が信号電位Vsigに切り替わっている（図15（A）〜（C），図16（A）〜（C））。
在所述采样晶体管 N1被切换为导通状态之前，所述信号线 DTL的电位被切换为所述信号电位 Vsig(图 15A至 15C和图 16A至 16C)。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、駆動周波数が低下することで、タイミングジェネレータや駆動回路（例えばシフトレジスタ）の動作速度も低下させることができる。
另外，通过减小所述驱动频率还能够降低时序发生器和驱动电路 (例如，所述移位寄存器 )的操作速度。 - 中国語 特許翻訳例文集
セット用シフトレジスタ211は、水平走査クロックに同期した第1のシフトクロックCK1に基づいて動作し、第1のシフトクロックCK1が入力される度、次段の遅延段にセットパルスを転送する。
基于与水平扫描时钟同步的第一偏移时钟 CK1操作所述用于设置的移位寄存器 211，并且，其在每次输入所述第一偏移时钟 CK1时将设置脉冲传送至下一延迟级。 - 中国語 特許翻訳例文集
同じく、リセット用シフトレジスタ213は、水平走査クロックに同期した第1のシフトクロックCK1に基づいて動作し、第1のシフトクロックCK1が入力される度、次段の遅延段にリセットパルスを転送する。
也基于与水平扫描时钟同步的第一偏移时钟 CK1操作所述用于重置的移位寄存器 213，并且，其在每次输入所述第一偏移时钟 CK1时将重置脉冲传送到下一延迟级。 - 中国語 特許翻訳例文集
セット用シフトレジスタ217は、水平走査クロックに同期した第1のシフトクロックCK1に基づいて動作し、第1のシフトクロックCK1が入力される度、次段の遅延段にセットパルスを転送する。
基于与水平扫描时钟同步的第一偏移时钟 CK1操作所述用于设置的移位寄存器 217，并且，其在每次输入所述第一偏移时钟 CK1时将设置脉冲传送至下一延迟级。 - 中国語 特許翻訳例文集
同じく、リセット用シフトレジスタ219は、水平走査クロックに同期した第1のシフトクロックCK1に基づいて動作し、第1のシフトクロックCK1が入力される度、次段の遅延段にリセットパルスを転送する。
也基于与水平扫描时钟同步的第一偏移时钟 CK1操作所述用于重置的移位寄存器 219，并且，其在每次输入所述第一偏移时钟 CK1时将重置脉冲传送至下个延迟级。 - 中国語 特許翻訳例文集
セット用シフトレジスタ311は、水平走査クロックに同期した第1のシフトクロックCK1に基づいて動作し、第1のシフトクロックCK1が入力される度、次段の遅延段にセットパルスを転送する。
基于与水平扫描时钟同步的第一偏移时钟 CK1操作所述用于设置的移位寄存器 311，并且，其在每次输入所述第一偏移时钟 CK1时将设置脉冲传送至下一延迟级。 - 中国語 特許翻訳例文集
同じく、リセット用シフトレジスタ313は、水平走査クロックに同期した第1のシフトクロックCK1に基づいて動作し、第1のシフトクロックCK1が入力される度、次段の遅延段にリセットパルスを転送する。
也基于与水平扫描时钟同步的第一偏移时钟 CK1操作所述用于重置的移位寄存器 313，并且，其在每次输入所述第一偏移时钟 CK1时将重置脉冲传送至下一延迟级。 - 中国語 特許翻訳例文集
セット用シフトレジスタ411は、水平走査クロックに同期した第1のシフトクロックCK1に基づいて動作し、第1のシフトクロックCK1が入力される度、次段の遅延段にセットパルスを転送する。
基于与水平扫描时钟同步的第一偏移时钟 CK1操作所述用于设置的移位寄存器 411，并且，其在每次输入所述第一偏移时钟 CK1时将设置脉冲传送至下一延迟级。 - 中国語 特許翻訳例文集
同じく、リセット用シフトレジスタ413は、水平走査クロックに同期した第1のシフトクロックCK1に基づいて動作し、第1のシフトクロックCK1が入力される度、次段の遅延段にリセットパルスを転送する。
也基于与水平扫描时钟同步的第一偏移时钟 CK1操作所述用于重置的移位寄存器 413，并且，其在每次输入所述第一偏移时钟 CK1时将重置脉冲传送至下一延迟级。 - 中国語 特許翻訳例文集
レジストレーション回路は、第3の識別部分が第1の識別部分および第2の識別部分のうちの少なくとも1つを備えることを検証するようにさらに構成される。
所述注册电路还用于验证所述第三标识部分包括所述第一标识部分和所述第二标识部分中的至少一个。 - 中国語 特許翻訳例文集
マルチメディアサービスにアクセスするために、UE104は、バックボーンネットワーク230中にあるとすることができ得るサーバ（図2に図示せず）にレジストレーション情報を与えることができ得る。
为了访问多媒体服务，UE 104可以向服务器 (在图 2中未示出 )提供注册信息，所述服务器可以位于主干网络 230中。 - 中国語 特許翻訳例文集
セッションレジストレーション機能308は、図2、図4、図6、図7、図9、および図10に図示および説明するプロセスステップを実行するためのコンピュータ命令またはコードを備えることができ得る。
该会话注册功能 308可以包括用于执行在图 2、4、6、7、9和 10中所示和描述的处理步骤的计算机指令或者代码。 - 中国語 特許翻訳例文集
図2、図4、図6、および図9に図示および説明する機能の態様に特有の命令は、セッションレジストレーション機能308中に符号化でき得る。
可以在会话注册功能 308中编码如在图 2、4、6和 9中所示和描述的功能的方面特有的指令。 - 中国語 特許翻訳例文集
図2、図4、図7、および図10に図示および説明する機能の態様に特有の命令は、セッションレジストレーション機能308中に符号化でき得る。
可以在会话注册功能 308中编码如在图 2、4、7和 10中所示和描述的功能的方面特有的指令。 - 中国語 特許翻訳例文集
次いで、メッセージフローパス462によって示されるように、および図2に示すように、レジストレーション要求がVN214中のP−CSCF240からHN212中のI−CSCF242に中継される。
所述 REGISTER请求然后被从在 VN 214中的 P-CSCF 240中继到在HN 212中的 I-CSCF 242，如消息流路径 462所示和如图 2中所示。 - 中国語 特許翻訳例文集
レジストレーション要求がS−CSCFによって受信されると、メッセージフローパス468に示すチャレンジ要求によって示されるように、S−CSCF244は、許可および認証のための関連情報を検索するためにHSS238に問い合わせる。
一旦 S-CSCF接收到 REGISTER请求，则 S-CSCF 244查询 HSS238以检索用于授权和认证的相关信息，如在消息流路径 468中所示的挑战请求 (Challenge request)所示。 - 中国語 特許翻訳例文集
次いで、メッセージフローパス470によって示されるように、S−CSCF244は、認証ベクトルを選択し、「401無許可」応答をI−CSCF242に送信することによってレジストレーション要求を認証することができ得る。
S-CSCF 244然后可以通过下述方式来认证 REGISTER请求： 通过选择认证向量，并且向 I-CSCF 242发送“401未授权”响应，如消息流路径 470所示。 - 中国語 特許翻訳例文集
信すべきか判断するためにHSS238に問い合わせる。 I−CSCF242はまた、第2のレジストレーション要求においてUE104によって与えられたプライベートID1とともに認証情報を検証することができ得る。
I-CSCF 242也可以随同由 UE 104在第二 REGISTER请求中提供的私有 ID1一起地验证认证信息。 - 中国語 特許翻訳例文集
（図2に示すように）セッション252を再接続するために、UE104は、レジストレーションプロセスを再び通過する（たとえば、上述し、図4に示したメッセージパスで示したプロセスステップを反復する）必要があり得る。
为了重新连接会话 252(如图 2中所示)，UE 104可能需要再一次进行注册过程(例如重复如上所述的消息路径所示的和在图4中所示的处理步骤 )。 - 中国語 特許翻訳例文集
プライベートユーザ識別情報プライベートID2〜プライベートIDNは、UE104が追加レジストレーションを開始していることをネットワークに示すために使用でき得る。
私有用户身份私有 ID2到私有 IDN可以用于向网络指示 UE 104在发起附加注册。 - 中国語 特許翻訳例文集
一実施形態では、UE104はAN114との元のセッション252を依然として保持しながら、AN114の代わりにAN234を使用して第2のセッションを確立するので、UE104は追加IMSレジストレーションを実行することができ得る。
在一个实施例中，由于 UE 104使用 AN 234而不是 AN 114来建立第二会话，同时仍保留与 AN 114的原始会话 252，UE 104可以执行附加 IMS注册。 - 中国語 特許翻訳例文集
別の実施形態では、UE104がプライベートID2〜プライベートIDNのいずれか1つを使用して追加レジストレーションを実行するとき、図4に示すメッセージコールフローのいずれも使用されないことがある。
在另一个实施例内，当 UE 104使用私有 ID2到私有 IDN中的任何一个执行附加注册时，可以不使用在图 4中所示的消息呼叫流中的任何一个。 - 中国語 特許翻訳例文集
プロセス700は、UE104によって送信されたレジストレーション情報を検証するために、HSS238、S−CSCF244、HSS238、P−CSCF240、およびアプリケーションサーバの任意の組合せによって実行でき得る。
过程 700可以被 HSS238、S-CSCF 244、HSS 238、P-CSCF 240和应用服务器的任意组合执行，以验证由 UE 104发送的注册信息。 - 中国語 特許翻訳例文集
プロセス1000は、UE104によって送信されたレジストレーション情報を検証するために、HSS238、S−CSCF244、HSS238、P−CSCF240、およびアプリケーションサーバの任意の組合せによって実行でき得る。
过程 1000可以被 HSS 238、S-CSCF 244、HSS 238、P-CSCF 240和应用服务器中的任意组合执行，以验证由 UE 104发送的注册信息。 - 中国語 特許翻訳例文集
別の実施形態では、セッションレジストレーション機能308は、ソフトウェア（たとえば、ソフトウェア命令）、ハードウェア（たとえば、回路）、または両方の組合せとすることができ得る。
在另一个实施例中，会话注册功能 308可以是软件 (软件指令 )、硬件 (例如电路 )或者两者的组合。 - 中国語 特許翻訳例文集
例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。
例如，术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构，其形成于半导体上。 - 中国語 特許翻訳例文集
整列センサー39は、それぞれ搬送路Pを挟んで対向する発光部（LED等）と受光部（フォトトランジスター等）とを備える光透過型のセンサーであり、主走査方向に並べて配設されている。
调齐传感器 39分别是具有夹着输送路 P而对置的发光部 (LED等 )和受光部 (光电晶体管等 )的光透射型的传感器，沿着主扫描方向排列配置。 - 中国語 特許翻訳例文集
使用できる記憶媒体のいくつかの例は、ランダム・アクセス・メモリ（RAM）、読取専用メモリ（ROM）、フラッシュメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブル・ディスク、CD−ROMなどを含む。
可使用的存储媒体的一些实例包括随机存取存储器 (RAM)、只读存储器(ROM)、快闪存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可装卸磁盘、CD-ROM等等。 - 中国語 特許翻訳例文集
このように構成することにより、供給ノードN101の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように供給ノードN101の電圧を制限できる。
通过如此构成，可以按照供给节点 N101的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制供给节点 N101的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集
このように構成することにより、入力ノードN103の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように入力ノードN103の電圧を制限できるので、レシーバ103の耐圧破壊を確実に防止できる。
通过如此构成，可以按照输入节点 N103的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制输入节点 N103的电压，因此能够可靠地防止接收器103的耐压破坏。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、信号電圧VP1，VN1の相補的な変動に応じて電圧緩和トランジスタ202p，202nのコンダクタンスを相補的に変化させることができるので、信号電圧VP1，VN1の変動速度の劣化を軽減できる。
另外，由于能够对应于信号电压 VP1、VN1的互补变动而使电压缓和晶体管 202p、202n的电导互补地变化，所以可减轻信号电压 VP1、VN1的变动速度的劣化。 - 中国語 特許翻訳例文集
このように構成することにより、供給ノードN201p，N201nの電圧が補助トランジスタ205p，205nのゲート電圧を超えないように供給ノードN201p，N201nの電圧を制限できる。
通过如此构成，可以按照供给节点 N201p、N201n的电压不超过辅助晶体管 205p、205n的栅极电压的方式来限制供给节点 N201p、N201n的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集
データ通信回路31において、ドライバ201，電圧緩和トランジスタ202p，202n，および信号ノードNP1，NN1の接続関係は、図5に示した接続関係と同様である。
在数据通信电路 31中，驱动器 201、电压缓和晶体管 202p、202n以及信号节点 NP1、NN1的连接关系与图 5所示的连接关系同样。 - 中国語 特許翻訳例文集
一実施形態において、図6B及び図6CのPMOSトランジスタM2に入力される信号"アイドル"は、ランプ発生器610、620をバイパスするのに使用される。
在一个实施例中，被输入到图 6B和图 6C的 PMOS晶体管 M2的信号“空闲”用于绕过斜坡产生器 610和 620。 - 中国語 特許翻訳例文集
図6B及び図6Cの実施形態では、CMOSをベースとした設計が示されたが、他のトランジスタ技術（例えば、ECL、BJT、BiCOMS等）を、本発明の本質を変更することなく同じ設計を実装するのに採用してもよい。
虽然图 6B和图 6C的实施例被示出为基于 CMOS的设计，但是可以使用其他晶体管技术 (例如，ECL、BJT、BiCMOS等 )来实现相同的设计，而不改变本发明的本质。 - 中国語 特許翻訳例文集
具体的には、設定部101は、ステップS1で受信した設定要求情報に含まれているSSID、Security Type、パスワードなどを、ネットワークの設定値として所定の記憶素子（レジスターなど）に登録する。
具体而言，设定部 101将在步骤 S1中接收到的设定请求信息所含有的 SSID、Security Type、密码等作为网络的设定值而登记到规定的存储元件 (寄存器等 )中。 - 中国語 特許翻訳例文集
このため、演算部910は、出力912によって誤差信号を形成するために、シフトレジスタ902のメモリ要素の一つから供給されたサンプルから、加算部906の出力によるサンプルを減じる。
为此，计算单元 910被布置成从馈送自移位寄存器 902的存储器元件之一的样本中减去组合器 906的输出处的样本，以在输出 912处形成误差信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
誤差信号は、シフトレジスタ902によって保持された受信チャネル推定値の各サンプルの大きさによって標準化される。 この処理は、振幅形成回路914及び加算部916によって実行される。
该误差信号随后按移位寄存器 902中保存的所接收信道估计的每个样本的幅值被正规化，这是由幅度形成电路 914和加法器 916来执行的。 - 中国語 特許翻訳例文集
この効果を示すために、図11に示す一例では、出力信号サンプル値のパイロットは、それぞれ36個のレジスタタップを有する2つのNLMS外挿部から提供される。
为了说明此效应，在图 11中提供了两个 NLMS外推器的输出信号样本值的图线的示例性图形表示，其中每个 NLMS外推器具有 36个寄存器抽头。 - 中国語 特許翻訳例文集
PD1のカソードは電源電圧VDDに接続され、アノードはリセットMOSトランジスタ3の一方の主電極およびオペアンプ2の非反転入力端子に接続される。
PD 1的阴极与电源电压 VDD连接，PD 1的阳极与复位 MOS晶体管 3的主电极中的一个和运算放大器 2的非反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
差動増幅回路4の非反転入力端子は単位画素の出力端子と接続され、その出力端子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ5の一方の主電極に接続される。
差分放大器电路 4的非反相输入端子与单位像素的输出端子连接，并且，差分放大器电路 4的输出端子与用作第一开关的 MOS晶体管 5的主电极中的一个连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
差動増幅回路6の非反転入力端子は単位画素の出力端子と接続され、その出力端子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ7を介して自身の反転入力端子に接続される。
差分放大器电路 6的非反相输入端子与单位像素的输出端子连接。 差分放大器电路 6的输出端子经由用作第一开关的MOS晶体管 7与差分放大器电路 6的反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
図3に示す各信号は、図2で示した各信号と対応し、ハイレベルであるときに対応するMOSトランジスタが導通状態になり、ローレベルで非導通状態となる。
图 3示出图 2A所示的信号的电平。 - 中国語 特許翻訳例文集
これにより、最大値検出部BTMの出力端子BOUTからは、MOSトランジスタ66の制御電極に入力される信号が最小となる回路ブロックの出力が得られる。
因此，在最小值检测单元 BTM的输出端子 BOUT处获得来自所有电路块之中具有输入到 MOS晶体管 66的控制电极的最小信号的电路块的输出。 - 中国語 特許翻訳例文集
図6に示す各信号は、図5で示した各信号と対応し、ハイレベルであるときに対応するMOSトランジスタが導通状態になり、ローレベルで非導通状態となる。
图 6示出图 5所示的信号的电平。 - 中国語 特許翻訳例文集
タイミング発生回路（TG）15は、供給電圧制御回路13が転送トランジスタ22のゲート電極に制御電圧を供給する際のタイミングを決めるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3（図2参照）を発生する。
时序发生器 (TG)15生成时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3(参考图 2)，用于确定供应电压控制电路 13向转移晶体管 22的栅电极供应控制电压的定时。 - 中国語 特許翻訳例文集
次に、期間t13で転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrg1を供給し、入射光強度によって決まるフォトダイオード21の蓄積電子の量に応じて部分的にFD部26へ転送する。
接着，在时段“t13”，电压 Vtrg1被供应到转移晶体管 22的控制电极，并且根据光电二极管 21中的存储电子的量 (其由入射光强度决定 )，电子被部分地转移到 FD区 26。 - 中国語 特許翻訳例文集
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