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「ジス」を含む例文一覧
該当件数 : 1118件
1つの例では、インデックスレジスタは周期的に受信されるデータのバイト数を保存してもよく、所望の期間（たとえば30秒）のバイト数の和を求めることによってファイルの新たな先頭を識別することができる。
在一个例子中，索引寄存器可以存储周期性接收的数据的字节数量，并可以通过相加所希望周期 (例如 30秒 )的字节数识别出文件新的起点。
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第4のステップでは、このブリッジング方法は、文書、メッセージ、ストリームなどの形で出力データを適切なチャネル（たとえば、電話会話、チャット会話、SMS番号、Eメール・アドレス、ファックス番号など）に配信することを含む。
在第四步骤中，桥接方法包括以文档、消息、流等的形式将输出数据传送至适当的信道 (例如，电话通话、聊天通话、 SMS号码、电子邮件地址、传真号码等 )。 - 中国語 特許翻訳例文集
制御部90は、レジスタ群84の値が書換えられた場合に、これに応じてタイマ86にタイムアウト時間を設定して、タイマ86のカウントをスタートさせると共に、信号出力部88が生成して出力する信号を設定する。
当对寄存器组 84的值进行重写时，控制器 90根据重写入的值向计时器 86设置超时信号，启动计时器 86的计数操作，并设置由信号输出单元 88生成并输出的信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
レジスタR6に「1」が書込まれた後、信号受付部82でリセット信号監視線72を介してリセット信号を受け付ける前にタイマ86がタイムアウトした場合には、第6の期間でASIC34に異常が発生したことを示しており、制御線78を介して制御信号を出力し、FET32をオフする。
当在寄存器 R6中写入了“1”之后、信号接收单元 82通过复位信号监视线 72接收到复位信号之前计时器 86超时时，这表示在第六时间段内在 ASIC 34中出现异常，通过控制线 78输出控制信号并将 FET 32截止。 - 中国語 特許翻訳例文集
レジスタR10に「1」が書込まれた後、タイマ86がタイムアウトした場合には、第10の期間でCPU30に異常が発生したことを示しており、リセット信号線74を介してCPU30に対してリセット信号を出力し、リセット信号線76を介してASIC34に対してリセット信号を出力する。
当在寄存器 R10中写入了“1”之后计时器 86超时时，这表示在第十时间段内在CPU 30中出现异常，通过复位信号线 74将复位信号输出到 CPU 30，并通过复位信号线 76将复位信号输出到 ASIC 34。 - 中国語 特許翻訳例文集
同一画素列の2つの画素の信号を合成して読み出す動作においては、転送トランジスタ102−1〜104を同時にオン状態にすることによって、第1グループの画素行の画素と第2グループの画素行の画素から信号を同時に読み出すことができる。
在合成来自相同像素列中的两个像素的信号并且读取合成信号的操作中，可通过同时接通传输晶体管 102-1到 102-4来从第一组像素行中的像素和第二组像素行中的像素同时读取信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
各選択トランジスタ41のドレイン電極は、対応するノードN41を介してそれぞれ別の中間保持手段2（中間保持手段2のノードN32）に接続されており、ソース電極はすべてショートされ増幅回路42の入力端に接続されている。
选择晶体管 41的漏极经由相应的节点 N41连接到相应的中间保持单元2(中间保持单元 2的节点 N32)，并且各自的源极耦接到放大电路 42的输入节点。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェアモジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROM、または当技術分野において知られている他の任意の形態のストレージ媒体の中に存在することができる。
软件模块可驻留于 RAM存储器、快闪存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可装卸盘、CD-ROM或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェアモジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROMあるいは当技術分野において知られている記憶媒体のいずれの他の形態、において存在する(reside)ことができる。
软件模块可驻留于 RAM存储器、快闪存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可装卸磁盘、CD-ROM，或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェア・モジュールは、RAMメモリ、フラッシュ・メモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハード・ディスク、リムーバブル・ディスク、CD−ROM、あるいは、当該技術で周知のその他任意の形態の記憶媒体内に存在しうる。
软件模块可驻留在 RAM存储器、快闪存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可装卸磁盘、CD-ROM或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集
センサをポーリングする際、プロセッサ391は、センサデータがバッファされるデータレジスタにアクセスするか、またはセンサ（またはセンサインターフェース回路）に信号を送信して、センサに読みを取るように指示し、センサデータを受信するのを待つ。
在轮询传感器时，处理器 391可存取缓冲传感器数据的数据寄存器，或将引导传感器取得读数的信号发送到传感器 (或传感器接口电路 )且等待接收传感器数据。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェアモジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、取外し可能ディスク、CD−ROM、または当技術分野で知られている任意の他の形態の記憶媒体内に存在してもよい。
软件模块可驻留于 RAM存储器、快闪存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可装卸磁盘、CD-ROM，或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集
制御部11は、第n＋3フレーム期間Fn＋3のアドレス期間ADDRの間、表示パネル制御信号CDISを発生し、レジスターに貯蔵されたブラックデータをデータ駆動回路に繰り返し供給して、液晶シャッター制御信号CSTをロー論理で維持する（S65及びS66）。
在步骤 S65和 S66中，控制器 11在第 (n+3)帧周期 Fn+3的寻址周期 ADDR期间产生显示面板控制信号 CDIS，向数据驱动电路重复地提供存储在寄存器中的黑数据，并将液晶快门控制信号 CST保持在低逻辑电平。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェア・モジュールは、RAMメモリ、フラッシュ・メモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハード・ディスク、リムーバブル・ディスク、CD−ROM、あるいは当該技術分野において周知のその他任意の形態の記憶媒体に存在しうる。
软件模块可以位于 RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、移动磁盘、CD-ROM或者本领域熟知的任何其它形式的存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェアモジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、着脱可能ディスク、CD−ROM、または当技術分野において知られている他の任意の形態のストレージ媒体の中に存在することができる。
软件模块可驻留在 RAM存储器、快闪存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可装卸式盘、CD-ROM或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集
時間・周波数シフトのライブラリ186は、メモリ、レジスタ、またはその他の記憶装置として実施することができ、対応する複数のOFDM送信機との可能な関連付けのための複数の時間・周波数シフトパターンを含む。
时间 -频率位移库 186可包含在存储器、寄存器或者其它存储装置中，并且包括多个时间 -频率位移模式以便可能与对应的多个 OFDM发射器关联。 - 中国語 特許翻訳例文集
列回路としての負荷回路150は、画素の列配列に対応して各垂直信号線116−1〜116−nにドレインが接続され、ソースが基準電位VSSに接続された機能部としての負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nを有する。
用作列电路的负载电路 150包括与像素列相关联的负载 MOS晶体管 151-1至151-n，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n在其漏极分别连接至垂直信号线 116-1至 116-n，并且在其源极连接至基准电势 VSS。 - 中国語 特許翻訳例文集
ユーザが音声コールセッションを開始するとき、コールアクティブフラグは、音声コールセッションがアクティブであるということを示すことがセットされることができる（特別のメモリレジスタ中に“1”を記憶することによってのような）。
当用户起始话音呼叫会话时，可设立呼叫作用中旗标 (例如通过将“1”存储在特定存储器寄存器中 )，从而指示话音呼叫会话正在作用中。 - 中国語 特許翻訳例文集
寄生容量629は、第2負荷トランジスタ624のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と第2基準電流線602との間に形成される配線間容量からなる。
寄生电容器 629包括在第二负载晶体管 624的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和第二参考电流线 602之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集
入力信号が高論理レベルの場合、第1のFET611はアクティブになり、出力605を3つのpMOSFET617、619、621（および追加トランジスタ部が使用されるかどうかに依存して可能性として他のnMOSFET）の共通ノード613に接続するだろう。
当输入信号为高逻辑电平时，第一 FET611将起作用并且将输出 605耦合到三个pMOSFET 617、619和621的公共节点613(并根据是否使用了额外的晶体管段而潜在地耦合到其他 nMOSFET)。 - 中国語 特許翻訳例文集
最後に、適切な容量が決定されると、本方法は各容量結合回路に関連する駆動力の調整を要求してもよく、マスタ装置はスレーブ装置に関連するレジスタ内に容量を含む適正値をプログラムしてよい（参照符号911および913により示される）。
最后，随着适当电容的确定，所述方法可要求对相关于各个电容耦合电路的驱动强度的调节，并且主设备可以将包括电容在内的适当的值编程到相关于从设备的寄存器中 (如附图标记 911和 913所示的 )。 - 中国語 特許翻訳例文集
図12の参照符号1219により示すように、制御装置は、レジスタ値を区別するためのチップセレクト（CS）信号を使用し、このチップセレクトを使用してアドレス指定された装置のクロストークを等化するのに適切な容量値を容量結合回路にロードしてよい。
如图 12中的附图标记 1219所示的，控制器可以使用芯片选择 (“CS”)信号来区分寄存器值，并且向电容耦合电路加载适合于对使用芯片选择寻址的设备中的串扰进行均衡的电容值。 - 中国語 特許翻訳例文集
フローティングディフージョンFD1、FD1´に信号電荷が読み出された後、水平制御線L3、L4のリセット線がハイレベルになると、リセットトランジスタ2、2´がオンし、フローティングディフージョンFD1、FD1´に読み出された信号電荷が排出される。
在信号电荷被读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中之后，如果水平控制线 L3、L4的复位线成为高电平，则复位晶体管 2、2′导通，将读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中的信号电荷排出。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、垂直信号線Vsig1a、Vsig1bに用いられている配線H1をアンプトランジスタ4、4´のソース側の拡散層DF1にそれぞれ接続することにより、フローティングディフージョンFD1、FD1´と垂直信号線Vsig1b、Vsig1aとの間の距離をそれぞれ大きくすることができる。
此外，通过将用于垂直信号线Vsig1a、Vsig1b的配线H1分别连接在放大晶体管4、4′的源极侧的扩散层 DF1上，能够使浮动扩散部 FD1、FD1′与垂直信号线 Vsig1b、Vsig1a之间的距离分别变大。 - 中国語 特許翻訳例文集
図7の機器構成においては、このことは、コンデンサ220を、ループ22に接続する端子をはさむ電圧降下を調整する調整器248のための分路素子として、オペアンプ254及び分路トランジスタ252と併せて配置することによって達成される。
在图 7的配置中，这是通过将电容器 220作为稳压器 348的分路元件来达成的，其中稳压器 248与 OP amp 254和分路晶体管252一起调节与环路 22耦合的端子上的压降。 - 中国語 特許翻訳例文集
限定することなく、ランダム・ホップ構成要素310によって適用されうる擬似乱数生成技術の例は、線形合同数（congruential）方法（およびその変形）、平均平方方法、Box−Muller変換、線形フィードバック・シフト・レジスタの使用等を含む。
随机跳频部件 310可以采用的伪随机数生成技术的示例非限制地包括线性同余法 (及其变形 )、中平方法、Box-Muller变换、线性反馈移位寄存器的使用等等。 - 中国語 特許翻訳例文集
ディジタル・ベースバンドIC20は、SPIシリアルバス15上で通信するとともにI／Q補正レジスタ149の第8ビットにディジタル値を書き込むことによって、補正乗算器147〜148のための減衰量および増幅量ならびに補正シフタ145〜146のための位相遅れを設定する。
数字基带 IC 20通过跨越 SPI串行总线 15而通信且将数字值写入到I/Q校正寄存器 149的八个位中来设定校正乘法器 147到 148的衰减量及放大量以及校正移位器 145到 146的相位延迟。 - 中国語 特許翻訳例文集
すなわち、ステップS34において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが変化していないと判定された場合、処理はステップS35をスキップし、ステップS36に進む。
也就是说，当在步骤 S34确定，当从 FD 53的重置起在短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平不改变时，处理跳过步骤 S35，并且进行到步骤 S36。 - 中国語 特許翻訳例文集
すなわち、ステップS34（図7のタイムチャートの時刻T7）において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが急激に変化したと判定された場合、処理はステップS35に進む。
也就是说，当在步骤 S34(图 7的时序图中的时间 T7)确定，当从 FD 53的重置起的短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平急剧下降时，处理进行到步骤S35。 - 中国語 特許翻訳例文集
したがって、レジスタRGST1には、アラスカマラミュートに対する照合度がアラスカマラミュートの顔パターン番号（＝FP＿2）とともに登録され、さらにシベリアンハスキーに対する照合度がシベリアンハスキーの顔パターン番号（＝FP＿3）とともに登録される。
因此，在寄存器 RGST1中，将相对于阿拉斯加雪橇犬的吻合度与阿拉斯加雪橇犬的面部图形编号 (＝ FP_2)一起登记，并且将相对于西伯利亚雪橇犬的吻合度与西伯利亚雪橇犬的面部图形编号 (＝ FP_3)一起登记。 - 中国語 特許翻訳例文集
K＝70に対応する上述の処理が完了した時点でフラグFLG＿Aが“1”を示していれば、レジスタRGST1に登録された顔パターン番号のうち最大照合度に対応する顔パターン番号が参照顔パターン番号として決定される。
如果在对应 K＝ 70的上述处理结束的时刻，标志 FLG_A表示为“1”，则决定登记在寄存器 RGST1中的面部图形编号中、对应最大吻合度的面部图形编号，作为参照面部图形编号。 - 中国語 特許翻訳例文集
一実施形態では、プロセス600は、CPU／コントローラ394、受信回路396、送信回路398、メモリユニット301、モジュールおよび／または命令のセット302、およびセッションレジストレーション機能308の任意の組合せを使用して実行でき得る。
在一个实施例中，可以使用 CPU/控制器 394、接收电路 396、发送电路 398、存储器单元 301、模块和 /或指令组302和会话注册功能 308的任意组合来执行过程 600。 - 中国語 特許翻訳例文集
UE104が追加レジストレーションは必要であると判断した場合、プロセス600は、ブロック620に移動し、UE104がブロック612において取得されたプライベート使用識別情報（たとえば、プライベートID1）に基づいてカレントユーザ識別情報（たとえば、プライベートIDN）を取得する。
如果 UE 104确定需要附加注册，则过程 600移动到框620，其中，UE 104根据在框 612获得的私有用户身份 (例如私有 ID1)而获得当前的用户身份 (例如私有 IDN)。 - 中国語 特許翻訳例文集
一実施形態では、プロセス700は、CPU／コントローラ394、受信回路396、送信回路398、メモリユニット301、モジュールおよび／または命令のセット302、およびセッションレジストレーション機能308の任意の組合せを使用して実行でき得る。
在一个实施例中，可以使用 CPU/控制器 394、接收电路 396、发送电路 398、存储器单元301、模块和 /或指令组 302和会话注册功能 308的任意组合来执行过程 700。 - 中国語 特許翻訳例文集
一実施形態では、プロセス900は、CPU／コントローラ394、受信回路396、送信回路398、メモリユニット301、モジュールおよび／または命令のセット302、およびセッションレジストレーション機能308の任意の組合せを使用して実行でき得る。
在一个实施例中，可以使用 CPU/控制器 394、接收电路 396、发送电路 398、存储器单元 301、模块和 /或指令组302和会话注册功能 308中的任意组合来执行过程 900。 - 中国語 特許翻訳例文集
一実施形態では、プロセス1000は、CPU／コントローラ394、受信回路396、送信回路398、メモリユニット301、モジュールおよび／または命令のセット302、およびセッションレジストレーション機能308の任意の組合せを使用して実行でき得る。
在一个实施例中，可以使用 CPU/控制器 394、接收电路 396、发送电路 398、存储器单元 301、模块和 /或指令组 302和会话注册功能 308的任意组合来执行过程 1000。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェアモジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROM、または当該技術で周知の任意の他の形態の記憶媒体の中に存在することもできる。
软件模块可驻存在 RAM存储器、快闪存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可装卸盘、CD-ROM或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集
図8を参照すると、ホスト群、エッジネットワーク群、及びコアエッジルータ群（以下のエッジエンティティ群として参照される）のようなネットワークエンティティ群はそれぞれ、関連する付属レジスタ（図8のプレフィックスARによって示される）を有し、これは、RVS2に記憶される。
参照图 8，诸如主机、边缘网络以及核心边缘路由器 (以下称作边缘实体 )之类的网络实体均具有相关联的附着寄存器 (在图 8中由前缀 AR表示 )，该附着寄存器存储在 RVS 2中。 - 中国語 特許翻訳例文集
例えば、信号電圧VP1が“VTT”から“VTT−Vα”に低下し、信号電圧VN1が“VTT−Vα”から“VTT”に上昇する場合、信号電圧VN1の上昇に伴って電圧緩和トランジスタ202pのコンダクタンスが増加するので、信号電圧VP1の低下速度を速めることができる。
例如，在信号电压 VP1从“VTT”降低为“VTT-Vα”、信号电压 VN1从“VTT-Vα”上升为“VTT”的情况下，由于伴随着信号电压 VN1的上升，电压缓和晶体管 202p的电导增加，所以可以加快信号电压 VP1的降低速度。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェアモジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROM、または、技術的に知られている他の何らかの形態の記憶媒体中に存在していてもよい。
软件模块可驻存于 RAM存储器、快闪存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可装卸式盘片、CD-ROM或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集
図6Bの実施形態と比較して、この実施形態では、PMOSトランジスタM6が加えられており、これにより、reset＿b信号がイネーブル状態になる、すなわちランプが中断する又は開放されると、浮いているノードfnodeがグランドレベルに引き下げられる。
在这个实施例中，与图 6B的实施例相比较，当使能 reset_b信号时，即当斜坡正被中止或放电时，PMOS晶体管 M6的增加将悬空节点 fnode下拉到接地。 - 中国語 特許翻訳例文集
具体的には、診断部102は、設定値として登録されているSSIDを所定の記憶素子（レジスターなど）から読み出し、ネットワークインターフェイス（例えば、無線LANアダプター）160で検出される電波（アクセスポイント300から出力されるビーコンを含む）から得られるSSIDと比較する。
具体而言，诊断部 102从规定的存储元件 (寄存器等 )中读出被作为设定值而被登记的 SSID，与根据由网络接口 (例如无线 LAN适配器 )160检测出的电波 (包括从访问点 300输出的信标 )而得到的 SSID进行比较。 - 中国語 特許翻訳例文集
各乗算部904の出力は、受信されたサンプルからチャネル推定値を生成するために、乗算部904によってタップの重みWiが乗算された後、加算部906に供給され、シフトレジスタ902の各回路からの各出力が結合される。
每个乘法器 904的输出被馈送到求和单元 906，求和单元 906组合来自移位寄存器 902的每个成员电路的各个输出 (在此之前先由乘法器单元 904将其乘以抽头权重 wi)，以从接收到的样本产生信道的估计。 - 中国語 特許翻訳例文集
上述のNLMS技術の一環として、タップの重みWL，Tは、シフトレジスタ902からのサンプルのうちの1つと、フィルタされたチャネル推定908の出力との比較によって生成された誤差信号に応じて適応される。
作为上述的 NLMS技术的一部分，抽头系数 WL，T根据误差信号而被适应性修改，其中误差信号是通过将来自移位寄存器 902的样本之一与经滤波的信道估计 908的输出相比较来生成的。 - 中国語 特許翻訳例文集
加算部920の出力による標準化された誤差信号は、出力チャネル922から、一連の乗算部924それぞれに供給され、シフトレジスタ902の各タップで保持された複素サンプルの共役を含む標準化誤差信号の値によって基準化される。
在组合器 920的输出处提供的经正规化的误差信号被从输出信道 922馈送到一系列乘法器 924中的每一个，其中每个乘法器由正规化误差值来定标，其中复数样本的共轭被保存的移位寄存器 902的各个抽头中的每一个中。 - 中国語 特許翻訳例文集
当然、誤差信号は、シフトレジスタ902のタップの一つから形成されるので、予測フィルタの出力としてノイズが除去されたチャネル推定値のサンプルと、予測フィルタの入力として供給されるサンプルとの間には、遅延が発生する。
应明白，因为误差信号是从移位寄存器 902的抽头之一形成的，于是在预测滤波器的输出处的已被去噪声的信道估计的样本与在预测滤波器的输入处提供的信道估计的样本之间存在延迟。 - 中国語 特許翻訳例文集
このため、共通出力線8または9の電位は差動増幅回路4または6の仮想接地により差動増幅回路の非反転入力端子と等しくなり、出力端子POUTまたはBOUTから出力される信号からは、MOSトランジスタ5または7で生じる電圧降下の影響が低減される。
这导致由 MOS晶体管 5或 7引起的电压降对于从输出端子 POUT或BOUT输出的信号的影响减小。 - 中国語 特許翻訳例文集
この回路ブロック134では、転送トランジスタ22をオフするための電圧として、接地電圧よりも低い電圧、例えば−1．0Vを供給するために、NOR回路135の作用により他の回路ブロック131，132，133とは排他的に動作する回路構成となっている。
电路块 134具有通过 NOR电路 135的操作而独立于其它电路块 131、132和 133操作的电路配置，以便供应低于地电压的电压 (例如 -0.1V)，作为用于关断转移晶体管 22的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集
転送トランジスタ22のゲート電極に供給する電圧をVtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4とした場合において、アドレス信号ADRによって行が選択された際に、タイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3によって、それぞれに対応する電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3を供給し、それ以外は電圧Vtrg4を供給する。
在将被供应到转移晶体管 22的栅电极的电压为 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和 Vtrg4的情形中，当通过地址信号 ADR选定行时，根据时序信号 PTRG1、PTRG2和 PTRG3，对应于各个时序信号的电压Vtrg1、Vtrg2和 Vtrg3被供应，而电压 Vtrg4被供应到其它行。 - 中国語 特許翻訳例文集
なお、上記実施形態では、選択トランジスタ25を含む単位画素20（図1参照）が行列状に配置されてなるCMOSイメージセンサに適用した場合について説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではない。
在上面的实施例中，解释了其中本发明应用于 CMOS图像传感器 (其中，包括选择晶体管 25的单元像素 20(参考图 1)以矩阵形式布置 )的情形，但是本发明不限于该应用。 - 中国語 特許翻訳例文集
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