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「ジス」を含む例文一覧
該当件数 : 1118件
中間読み出しの前に、期間T2で中間電圧（図4の電圧Vtrg1に相当）を転送トランジスタ22の制御電極に印加し、入射光量の大きい画素で発生した信号電荷を部分的にFD部26へ転送する。
在中间转移之前，在时段 T2，中间电压 (对应于图 4B中的电压 Vtrg1)被施加到转移晶体管 22的控制电极，并且在具有大量入射光的像素中产生的信号电子被部分地转移到 FD区 26。
- 中国語 特許翻訳例文集
期間T3で転送トランジスタ22の制御電極に期間T2と同じ、あるいは異なる中間電圧を印加することにより、再び入射光量の大きい画素で発生した信号電荷を部分的にFD部26へ転送する。
在时段 T3，与时段 T2的相同或者不同的中间电压被施加到转移晶体管 22的控制电极，并且在具有大量入射光的像素中产生的信号电荷再次被部分转移到 FD区 26。 - 中国語 特許翻訳例文集
動作例4は、中間転送による信号の読み出しを続けて複数回実行する動作例となっており、複数の電圧を低い電圧から順に転送トランジスタ22の制御電極に印加することにより、それぞれの電圧に対応した補正量の補正信号を得ることができる。
操作实例 4是其中顺序地多次执行通过中间转移完成的信号读出的实例，并且通过从低级开始施加多个电压到转移晶体管 22的控制电极，可以获得对应于各个电压的补偿量的补充信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
X．509の専門用語では、各レジストリ（登録局）は「認証局」として動作し、各認証証明書は本質的にRealName（認証された識別情報）および公開鍵を組み込んだパッケージである。 認証局のプライベート鍵は次にこのパッケージに署名する。
在 X.509用语中，每个注册表 (即注册机构 )作为“证书机构”运行，每个认证证书在本质上是包含实名 (即所认证的标识信息 )和公共密钥的包。 - 中国語 特許翻訳例文集
期間（10）から低感度モードに移行する動作で特徴的なのは、期間（14）にバッファアンプ202から出力される信号−S3には、蓄積動作中にMOSトランジスタ115を導通させたことによるノイズが含まれる。
被执行以在时段 (10)期间向低灵敏度模式转换的操作的特征在于，在时段 (14)中从缓冲放大器 202输出的信号 -S3包含由于 MOS晶体管 115在累积操作期间进入导通状态而出现的噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェアモジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、取り外し可能なディスク、CD−ROM、又は当業において既知であるその他のあらゆる形態の記憶媒体において常駐することができる。
软件模块可驻留在 RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM、或业内所知的任何其它形式的存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェア・モジュールは、RAMメモリ、フラッシュ・メモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハード・ディスク、リムーバブル・ディスク、CD−ROM、あるいは当該技術分野で知られているその他の型式の記憶媒体に収納されうる。
软件模块可驻留于 RAM存储器、快闪存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可装卸盘、CD-ROM或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェア・モジュールは、RAMメモリ、フラッシュ・メモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハード・ディスク、リムーバブル・ディスク、CD−ROM、あるいは、当該技術で周知のその他任意の形態の記憶媒体内に存在しうる。
软件模块可以位于 RAM存储器、闪存存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM，或者本领域已知的任何其他形式的存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集
IR受信機32、フォトトランジスタまたはフォトダイオード12、IRドライバ33およびIR送信機またはLED13は、よく知られている回路およびデバイスであり、IR通過フィルタおよび／または低域通過フィルタと共にカプセル化された様々なICまたは個別パッケージで一般に入手することができる。
IR接收器 32、光电晶体管或光电二极管 12、IR驱动器 33和 IR发射器或 LED 13是众所周知的电路和装置，其通常在不同 IC或分立封装中可获得、与 IR通滤波器和 /或低通滤波器包封在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集
命令変換器259Pのトランシーバとも呼ばれる組合せ両方向TX−RXドライバ／受信機33Aおよび32Aは、調光器回路6M−2のLED13Aおよびフォトダイオード12Aに相当するLED13Aおよびフォトトランジスタまたはダイオード12Aを介してプロトコルを送り、また受信する。
命令转换器 259P的组合双向 TX-RX驱动器 /接收器 33A和 32A（也称为收发器）经由与调光器电路 6M-2的 LED 13A和光电二极管 12A互易的 LED 13A和光电晶体管或二极管 12A来馈送和接收协议。 - 中国語 特許翻訳例文集
なお、装置制御部11による逓倍回路の制御は、信号線を介して、ハイまたはローの制御信号を逓倍回路に対して送信することによって行われても良いし、逓倍回路に対するコントロールレジスタにフラグを書き込むことによって行われても良い。
而且，由装置控制部11进行的倍频电路的控制，既可以通过信号线向倍频电路发送高或低的控制信号来进行，也可以通过把标记写入到对倍频电路的控制寄存器内来进行。 - 中国語 特許翻訳例文集
一方、画像読取装置50は、上記のように光電変換素子に蓄積された電荷を読み捨てた後、少なくとも第二の所定時間と重複する時間の間イメージセンサー220のシフトレジスターから出力される電荷を読み取り、黒基準データとして使用する。
另一方面，图像读取装置 50在如上所述地读取并丢弃光电变换元件所积蓄的电荷之后，至少读取与第二规定时间重复时间的从图像传感器 220的移位寄存器输出的电荷，并作为黑基准数据使用。 - 中国語 特許翻訳例文集
具体的には、読取制御部120は、イメージセンサー220に対してシフトパルスの供給を行い、光電変換素子に蓄積された電荷のシフトレジスターへの転送タイミング（次の電荷蓄積の開始タイミング）を制御する。
具体地说，读取控制部 120对图像传感器 220进行移动脉冲的供给，并控制光电变换元件所积蓄的电荷向移位寄存器的转送定时 (下一电荷积蓄的开始定时 )。 - 中国語 特許翻訳例文集
しかしながら、上述した従来の黒基準読み取りでは、シフトレジスターに格納されている電荷が出力される期間に発生する、LED光源の点灯によるクロストークの影響が、黒基準データに反映されない。
但是，在上述现有的黑基准读取中，在输出移位寄存器所存储的电荷的期间产生的由 LED光源的点亮而引起的串扰的影响未反映于黑基准数据中。 - 中国語 特許翻訳例文集
そこで、本実施形態では、黒基準読み取りにおいて、光電変換素子に蓄積される電荷を黒基準データとして使用せずに、LED光源210の点灯期間と重複する期間にシフトレジスターからの出力される電気信号を取得して黒基準データとして使用する。
因此，在本实施方式内，在黑基准读取中未将光电变换元件所积蓄的电荷作为黑基准数据使用，而在与 LED光源 210的点亮期间重复的期间取得从移位寄存器输出的电信号来作为黑基准数据使用。 - 中国語 特許翻訳例文集
ここで、各シフトパルスのタイミング（T0、T2、T4、T6、…）でシフトレジスターに転送され、その後（T0〜T1、T2〜T3、T4〜T5、T6〜T7、…の間）にA／D変換部110へ出力された1ライン分のデータは、無効のデータ（invalid）として、データ処理部130により読み捨てられる。
这里，以各移动脉冲的定时 (T0、T2、T4、T6、……)向移位寄存器转送、然后 (T0～T1、T2～ T3、T4～ T5、T6～ T7、……的期间 )向 A/D变换部 110输出的 1线的数据作为无效的数据 (invalid)由数据处理部 130进行读取并丢弃。 - 中国語 特許翻訳例文集
この黒基準読み取り制御によれば、光電変換素子に蓄積された電荷のA／D変換部110への出力が終了した後、LED光源210を点灯させながらシフトレジスターから電気信号をA／D変換部110へ出力させることができる。
根据该黑基准读取控制，在光电变换元件所积蓄的电荷向 A/D变换部 110输出结束之后，可点亮 LED光源 210并且从移位寄存器将电信号向 A/D变换部 110输出。 - 中国語 特許翻訳例文集
ここで、LED光源210が所定時間点灯された直後の各シフトパルスのタイミング（T0、T2、T4、T6、…）でシフトレジスターに転送され、その後（T0〜T1、T2〜T3、T4〜T5、T6〜T7、…の間）にA／D変換部110へ出力された1ライン分のデータは、無効（invalid）のデータとして、データ処理部130により読み捨てられる。
这里，以 LED光源 210点亮规定时间之后的各移动脉冲的定时 (T0、T2、T4、T6、……)转送到移位寄存器、然后 (T0～ T1、T2～ T3、T4～ T5、T6～ T7、……的期间 )向 A/D变换部 110输出的 1线的数据作为无效 (invalid)的数据由数据处理部 130进行读取并丢弃。 - 中国語 特許翻訳例文集
なお、中間ローラ対34は、実施形態のMFP1に通紙可能な原稿サイズの関係で設けられているものであり、原稿搬送路30において給紙ローラ対33からレジストローラ対35までの距離が短い場合はなくすことも可能である。
另外，中间辊对 34是根据能够在实施方式的 MFP1中走纸的原稿尺寸的关系而被设置，在原稿传送路 30中从进纸辊对 33到定位辊对 35之间的距离较短的情况下也可以不用设置。 - 中国語 特許翻訳例文集
図3、図6及び図7に示すように、ADF3は、原稿搬送路30をなす位置から両ガイド部材63，64を外すことによって、原稿搬送路30のうちレジストローラ対35より搬送上流側を開口させるように構成されている。
如图 3、图 6以及图 7所示那样，ADF3构成为，通过从形成原稿传送路 30的位置将两个导向部件 63、64拆卸来使原稿传送路 30中比定位辊对 35靠传送上游侧的部分开口。 - 中国語 特許翻訳例文集
そのようなシナリオでは、機器が、レジストラに向けたいくつかのプライベートユーザ識別番号（PSアクセスを介するなどのUEからの識別番号、およびユーザに代わって登録するMSCサーバからの識別番号）により表されることがある。
在此类情况下，一个装置可通过多个私有用户身份向注册器表示 (通过 PS接入等来自 UE的一个身份和来自代表用户注册的 MSC服务器的一个身份 )。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェア・モジュールは、RAMメモリ、フラッシュ・メモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハード・デイスク、リムーバブル・ディスク、CD−ROM、或は当業者には公知の任意の他の形式の記憶媒体、中に常駐することが出来る。
软件模块可存在于 RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移除盘、CD-ROM、或本领域已知的任何其它形式的存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集
ページングデバイス15は、ページングしようと試みているページングデバイスのブルートゥースデバイスアドレス（BD＿ADDR）と、ページスキャニングデバイスのブルートゥースクロックとに基づいて、16個のチャネルのページ列をアルゴリズム的に発生することができる。
寻呼设备 15可以以算法方式来基于该寻呼设备正尝试寻呼的蓝牙设备地址 (BD_ADDR)和对寻呼扫描设备的蓝牙时钟的估计，来生成具有 16个信道的寻呼队列。 - 中国語 特許翻訳例文集
ブルートゥース対応デバイス10はまた、デバイス410がページングされているかどうかを判断するために、ページパケットを受信し、復調する（たとえば、GFSK復調する）ために受信機430およびモデムプロセッサ435が電源投入される、ページスキャンを実行することができる。
蓝牙使能设备 10还可以执行寻呼扫描，在寻呼扫描下接收机 430和调制解调处理器 435加电以接收并解调 (例如，GFSK解调 )寻呼分组，从而确定设备 410是否正被寻呼。 - 中国語 特許翻訳例文集
図7Bの例に示すように、短縮ページスキャン760は、受信機430およびモデムプロセッサ435が十分に電源投入するための時間マージンを与えるためにエネルギー検出時間から1ページ列間隔後よりもわずかに前に開始できる。
如在图 7B中的例子示出地，缩减的寻呼扫描 760可以在能量检出的时间之后的一个寻呼队列间隔稍前开始，从而为接收机 430和调制解调处理器 435完全加电提供了时间裕度。 - 中国語 特許翻訳例文集
本態様による周波数合成器1710は、ミキサ1020aおよび1020bにおいてベースバンドへのRF信号の直接ダウンコンバージョンのための局所発振器信号LOIおよびLOQを発生するために、ページスキャンモードで動作することができる。
根据这个方面的频率合成器 1710可以运行在寻呼扫描模式下，以生成用于在混频器 1020a和 1020b处将 RF信号直接下变频到基带的本地振荡信号 LOI和 LOQ。 - 中国語 特許翻訳例文集
この態様では、モードセレクタ1780は、ページスキャンモードでは制御信号1782と1784の両方のためにビット値0を出力し得、エネルギースキャンモードでは制御信号1782と1784の両方のためにビット値1を出力し得る。
在这个方面，模式选择器 1780可以在寻呼扫描模式下为控制信号 1782和 1784两者都输出比特值 0，而在能量扫描模式下为控制信号 1782和 1784两者都输出比特值 1。 - 中国語 特許翻訳例文集
メモリ1305は、ランダムアクセスメモリ（RAM）、読み取り専用メモリ（ROM）、磁気ディスク記憶媒体、光学記憶媒体、RAM内のフラッシュメモリデバイス、プロセッサとともに含められた搭載メモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、等、として具現化することができ、それらの組み合わせを含む。
存储器 1305可体现为随机存取存储器 (RAM)、只读存储器 (ROM)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、RAM中的快闪存储器装置、随处理器包含的机载存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器等，包含其组合。 - 中国語 特許翻訳例文集
M個のスイッチトランジスタ12の各ドレイン端子はバイアス電圧生成回路5の出力端子に並列に接続され、各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電圧制御線13に並列に接続されている。
M个开关晶体管 12的各漏极端子并联地连接在偏压生成电路 5的输出端子上，各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电压控制线 13上。 - 中国語 特許翻訳例文集
NMOSトランジスタ41は常時オンしているので、制御信号線21の放電が行われ、制御信号線21の電位が低下し論理整合回路48の閾値を過ぎるタイミングで、図7（3）に示すように、制御端47に制御信号が現れる。
由于 NMOS晶体管 41始终是导通的，因此进行控制信号线 21的放电，在控制信号线 21的电位下降且通过了逻辑匹配电路 48的阈值的定时，如图 7(3)所示，控制端 47显现出控制信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
パン／チルト条件が満足されなければ、最新9フレームにおける被写界像の動きが物体横切り条件を満足するか否か、ならびに最新9フレームにおける被写界像の動きが物体動き条件を満足するか否かが、レジスタRGST1の記述を参照して判別する。
若不满足摇摄 /倾斜条件，则将寄存器 RGST1的记载作为参照判断最新 9帧中的拍摄视场像的运动是否满足物体横穿的条件，以及最新 9帧中的拍摄视场像的运动是否满足物体运动的条件。 - 中国語 特許翻訳例文集
CPU書き込みレジスタA（402）には、リセット走査開始カウントとしてHDカウンタ値（4131）を書き込み、リセット開始行には“0”、リセット終了行には“n／2−1”、リセット行カウンタAのカウントアップのステップ値には“2”を書き込む。
HD计数器值 (4131)作为复位扫描开始计数被写入到 CPU写入寄存器 A(402)中。 类似地，“0”作为复位开始行被写入，“n/2-1”作为复位结束行被写入，并且“2”作为用于由复位行计数器 A执行的向上计数的步长值被写入。 - 中国語 特許翻訳例文集
CPU書き込みレジスタA（402）には、リセット走査開始カウントとしてHDカウンタ値（4133）を書き込み、リセット開始行には“0”、リセット終了行には“n／2−1”、リセット行カウンタAのカウントアップのステップ値には“2”を書き込む。
以下被写入到 CPU写入寄存器A(402)中： 作为复位扫描开始计数的 HD计数器值 (4133)、作为复位开始行的“0”、作为复位结束行的“n/2-1”、以及作为用于由复位行计数器 A执行的向上计数的步长值的“2”。 - 中国語 特許翻訳例文集
CPU書き込みレジスタB（403）には、リセット走査開始カウントとしてHDカウンタ値（4132）を書き込み、リセット開始行には“1”、リセット終了行には“n／2”、リセット行カウンタAのカウントアップのステップ値には“2”を書き込む。
以下被写入到 CPU写入寄存器 B(403)中： 作为复位扫描开始计数的 HD计数器值 (4132)、作为复位开始行的“1”、作为复位结束行的“n/2”、以及作为用于由复位行计数器 A执行的向上计数的步长值的“2”。 - 中国語 特許翻訳例文集
CPU書き込みレジスタS（601）は、リセット走査開始カウント、リセット開始行、リセット終了行、カウントアップのステップ値、および、奇数フィールドに対する偶数フィールドのリセット開始行の差分であるオフセット値を保持する。
CPU写入寄存器 S(601)存储复位扫描开始计数、复位开始行、复位结束行、用于向上计数的步长值和作为在参考奇数场和偶数场之间的复位开始行的差的偏移值。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、カラム処理回路113は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成される水平駆動部を備え、水平駆動部による選択走査により、カラム処理回路113で信号処理された画素信号が順番に出力回路114に出力される。
另外，列处理电路 113设置有由移位寄存器、地址解码器等构成的水平驱动部，利用水平驱动部的选择和扫描，将已经由列处理电路 113信号处理的像素信号顺序输出到输出电路 114。 - 中国語 特許翻訳例文集
ステップS62において、注目行の単位画素131は、ステップS55と同様の処理により、浮遊拡散領域145をリセットし、現在のフレームの信号電荷S1を排出し、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加を停止する。
在步骤 S62中，采用类似于步骤 S55的处理，单元像素 131的目标行使浮置扩散区145复位，释放当前帧的信号电荷 S1，并停止选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェアモジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROM、または当技術分野で知られている任意の他の形態の記憶媒体中に常駐することができる。
软件模块可以位于 RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、移动硬盘、CD-ROM或者本领域熟知的任何其它形式的存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェア・モジュールは、RAMメモリ、フラッシュ・メモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハード・ディスク、リムーバブル・ディスク、CD−ROM、あるいは、当該技術で周知のその他任意の形態の記憶媒体内に存在しうる。
软件模块可以位于 RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM或者本领域熟知的任何其它形式的存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェアモジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、取り外し可能なディスク、CD−ROM、又は当業において既知であるその他のあらゆる形態の記憶媒体において常駐することができる。
软件模块可以位于 RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、移动硬盘、CD-ROM或者本领域公知的任何其它形式的存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェアモジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、着脱可能ディスク、CD−ROM、または当技術分野で知られた他の任意の形態の記憶媒体内に存在することができる。
软件模块可以位于 RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、移动磁盘、CD-ROM或在本领域中已知的任何其它形式的存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェア・モジュールは、RAMメモリ、フラッシュ・メモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハード・ディスク、リムーバブル・ディスク、CD−ROM、あるいは、当該技術で周知のその他任意の形態の記憶媒体内に存在しうる。
软件模块可以位于 RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、移动磁盘、CD-ROM或者本领域熟知的任何其它形式的存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集
インデックステーブル101は、記録媒体全体に関する管理情報であり、再生装置におけるタイトル番号レジスタに格納され得る複数のタイトル番号と、再生装置の動作モードを規定する動作モードオブジェクトとの対応付けを規定する。
索引表 101是关于记录介质整体的管理信息，规定能够保存在再生装置的标题号码寄存器中的多个标题号码与规定再生装置的动作模式的动作模式对象的对应。 - 中国語 特許翻訳例文集
よって立体視表示ケーパビリティレジスタのb2が“1”であれば、ステップS42及びステップS43の判定を経ることなく、ステップS45において表示レート初期化情報に記述されている周波数を用いて表示装置の初期化を行う。
由此，如果立体视显示能力寄存器的b2是“1”，则不经过步骤 S42及步骤 S43的判断，而使用在步骤 S45中记述在显示速率初始化信息中的频率进行显示装置的初始化。 - 中国語 特許翻訳例文集
ステップS28は、フォーマット表示レート初期化情報の解像度が1920×1080であり、1920×1080の解像度を表示装置が処理することができる旨がディスプレイケーパビリティレジスタに設定されているか否かの判定である。
步骤 S28判断是否格式显示速率初始化信息的分辨率是 1920×1080且在显示器能力寄存器中设定有显示装置能够处理 1920×1080的分辨率的信息。 - 中国語 特許翻訳例文集
待ち状態304にある間、もし所定の期間内にユーザがハード／ソフトキーの押下または音声コマンドの発行などによりイベントをトリガすると、デバイスは、エンローリーとして構成される、つまりエンローリーとしての役割を果たし、エンローリー発見段階（状態）306に入り、レジストラを求めてスキャンする。
在等待状态 304中，如果在预定的时间段内，用户例如通过按压硬 /软键或发出语音命令触发事件，则该装置被配置为加入者 (即，采用加入者的角色 )并进入扫描登记者的加入者发现阶段(状态 )306。 - 中国語 特許翻訳例文集
このように、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940においては、ゲート幅（チャネル幅）Wとゲート長（チャネル長）Lを大きくとることができるので、感光画素110に比べて、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940の駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減することができる。
如上所述，在第三遮光像素 930和第四遮光像素 940中，由于可以将栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L设置为大，因此与在感光像素 110中相比，在第三遮光像素 930和第四遮光像素 940中，可以更多地降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集
さらに、本実施形態においては、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくするためであれば、駆動トランジスタTd1のレイアウトによっては、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方向（水平方向あるいは垂直方向）の組み合わせが逆になってもよい。
此外，只要可以增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，就可以根据驱动晶体管 Td1的布局，颠倒栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L增大的方向 (水平方向和垂直方向 )的组合。 - 中国語 特許翻訳例文集
ここで、第3のOB領域63、第4のOB領域64、第5のOB領域65および第6のOB領域66に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。
如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该操作具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第三 OB区域 63、第四 OB区域 64、第五 OB区域 65和第六 OB区域 66中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。 - 中国語 特許翻訳例文集
ここで、第3のOB領域63、第4のOB領域64および第7のOB領域67に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。
如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第三 OB区域 63、第四 OB区域 64和第七OB区域 67中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。 - 中国語 特許翻訳例文集
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