「ジス」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

トランジスタ303の全てのトランスファゲート制御ゲートは、画素310の各行内で互いに接続されている。

晶体管 303的所有传送门控制栅极在每一像素 310行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ302は、フローティング・ディフュージョン304と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 302缓冲浮动扩散部 304与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのトランジスタ103のトランスファゲート制御ゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。

晶体管 103的所有传送门控制栅极在每一像素 110行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ102は、フローティング・ディフュージョン104と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 102缓冲浮动扩散部 104与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6Bは、本発明の一実施形態に係る、ランプ発生器（図2の203、204、210及び211）のトランジスタレベルでの実装例610を示したものである。

图 6B说明根据本发明的一个实施例的斜坡产生器 (图 2的 203、204、210和 211)的晶体管级实现 610。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6Cは、本発明の一実施形態に係る、ランプ発生器（図2の203、204、210及び211）のトランジスタレベルでの実装例620を示したものである。

图6C说明根据本发明的另一个实施例的斜坡产生器(图2的203、204、210和211)的晶体管级实现 620。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9では、外挿されたチャネルのサンプルは、第1の入力900によって、N個のタップを有するシフトレジスタ902に受信される。

在图 9中，信道的外推的样本在第一输入 900上被接收到移位寄存器 902中，移位寄存器具有 N个抽头。 - 中国語 特許翻訳例文集

搬送経路43では、記録用紙を給紙部16から受け取り、記録用紙の先端がレジストローラ42に達するまで該記録用紙を搬送する。

在运送路径 43中，从供纸单元 16获得记录用纸，运送该记录用纸直至记录用纸的前端到达校准辊 42。 - 中国語 特許翻訳例文集

この撓んだ記録用紙の弾性力により該記録用紙の先端がレジストローラ42と平行に揃えられる。

由于该弯曲的记录用纸的弹性力，该记录用纸的前端与校准辊 42平行地对齐。 - 中国語 特許翻訳例文集

MOSトランジスタ5の他方の主電極は、共通出力線8および差動増幅回路4の反転入力端子と接続される。

MOS晶体管 5的主电极中的另一个与共用输出线 8和差分放大器电路 4的反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

このときMOSトランジスタ25が導通しているので、クランプ容量の他方の端子は電源電圧VGRに接続された状態となる。

在该状态下，由于 MOS晶体管 25处于 ON状态，因此，箝位电容器的端子中的另一个与电源电压 VGR连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

したがって、出力端子BOUTから出力される信号からは、MOSトランジスタ7で生じる電圧降下の影響が低減されることになる。

这导致通过 MOS晶体管 7引起的电压降对于从输出端子 BOUT输出的信号的影响减小。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間t19から期間t22では、転送トランジスタ22の制御電極への供給電圧をVtrg3として同様の動作を繰り返して実行する。

在时段 t19到时段 t22期间，在将电压 Vtrg3供应到转移晶体管 22的控制电极的情况下，与上面相同的操作被重复执行。 - 中国語 特許翻訳例文集

図11に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについての別の例を示す。

在图 11中，示出了被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电压的时序的另一个实例。 - 中国語 特許翻訳例文集

図12に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについてのさらに別の例を示す。

在图 12中，示出了将被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电极的时序的另一个实例。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間t0でリセットパルスRSTが“H”レベルになり、リセットトランジスタ23がオン状態になることによってFD部26をリセットする。

在时段 t0，通过使得复位脉冲 RST为“H”电平并且使得复位晶体管 23处于导通状态，复位 FD区 26。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間T3の場合は、期間t1でFD部26の電位をリセットレベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 T3的情形中，在时段 t1，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势，作为复位电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間T3の場合は、期間t3でFD部26の電位を信号レベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 T3的情形中，在时段 t3，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势作为信号电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間S3の場合は、期間t1でFD部26の電位をリセットレベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 S3的情形中，在时段 t1，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势，作为复位电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間S3の場合は、期間t3でFD部26の電位を信号レベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 S3的情形中，在时段 t3，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势作为信号电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

この動作例4も、3トランジスタ構成の画素回路の単位画素を持つCMOSイメージセンサの場合の動作例である。

操作实例 4也是在 CMOS图像传感器具有包括三个晶体管的像素电路的像素的情况下的实例。 - 中国語 特許翻訳例文集

この状態において、転送トランジスタ22の制御電極に中間電圧Vfg1を印加することで、電荷Qi1の一部がFD部26へ転送される。

在此状态中，通过向转移晶体管 22的控制电极施加中间电压 Vfg1，电荷 Qi1的一部分被转移到 FD区 26。 - 中国語 特許翻訳例文集

FD22は転送された信号電荷を電圧信号に変換して増幅トランジスタTr3のゲートに出力する。

传送的信号电荷在浮置扩散 22处被转换为电压信号，并输出到放大晶体管 Tr3的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

FD22から出力される電圧信号は増幅トランジスタTr3により増幅され、列信号線VSLに出力される。

从浮置扩散 22输出的电压信号通过放大晶体管 TR3放大，并输出到列信号线 VSL。 - 中国語 特許翻訳例文集

よって、トランジスタ204の1／fノイズが熱ノイズよりも支配的な場合には、総ノイズを低減することが可能となる。

因此，如果晶体管 204的 1/f噪声与热噪声相比是占主导的，那么可以降低总噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

図5を参照すると、ゲート駆動部500は、それぞれ縦続接続されたシフトレジスタからなる多数のステージSR1〜SRn＋1を備える。

参照图 5和图 6，栅极驱动器 500包括相关地连接的多级 SR1至 SRn+1。 - 中国語 特許翻訳例文集

図12に示すようにADF10は、1枚目の原稿G1を、OUTパス26内で待機し、2枚目の原稿G2をレジストローラ対14の方向に供給する。

如图 12所示，ADF 10使第一张文稿 G1在 OUT路径 26内待机并将第二张文稿 G2向对位辊对 14的方向进行供给。 - 中国語 特許翻訳例文集

この状態で、不図示のシフトレジスタから信号φHが与えられるとバッファアンプ202を介して信号が読み出される。

当在该状态下从移位寄存器 (未示出 )传输信号 时，经由缓冲放大器 202读取该信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

この状態で、不図示のシフトレジスタから信号φHが与えられるとバッファアンプ202を介して信号が読み出される。

当在该状态下从移位寄存器 (未示出 )传输信号 时，经由缓冲放大器 202读取信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後、プロセッサ1112による実行のために、1または複数のキャッシュ・ラインが、汎用レジスタ・ファイルへロードされうる。

可接着将一个或一个以上高速缓存线加载到通用寄存器堆中以由处理器 1112执行。 - 中国語 特許翻訳例文集

container＿IDレジスタは、ブランチ装置、複合シンク装置及び複数のトランスポートを有する如何なる装置でも対応されてよい。

分支设备、复合宿设备以及具有多传输的任何设备上都可支持 container_ID寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集

複数のビデオ・エンド・ポイントを有するシンクでは、各アドレスからのcontainer＿IDレジスタは、同一のグローバル一意識別子を返す。

在具有多个视频端点的宿中，来自每个地址的 container_ID寄存器返回同一全局唯一标识符。 - 中国語 特許翻訳例文集

container＿IDレジスタは、ブランチ装置、複合シンク装置及び複数のトランスポートを有する如何なる装置でも対応されてよい。

可在分支设备、复合宿设备和具有多传输的任何设备上支持 container_ID寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集

複数のビデオ・エンド・ポイントを有するシンクでは、各アドレスからのcontainer＿IDレジスタは、同一のグローバル一意識別子を返す。

在具有多个视频端点的宿中，来自每个地址的 container_ID寄存器返回该同一全局唯一标识符。 - 中国語 特許翻訳例文集

レジストパターン66は，副走査方向（図3に示す搬送ベルト7の移動方向）に一定間隔で形成される。

定位图案 66在副扫描方向 (图 3所示的传送带 7的移动方向 )上以一定间隔形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

このようなレジストパターンであれば，副走査方向に加え，主走査方向の位置ずれ量も特定できる。

只要是这种定位图案，不仅副扫描方向，而且也可确定主扫描方向的位置偏差量。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、論理リセットによって、電子回路のメモリ（例えば、ASICのレジスタ）に格納されている値が所定の値に設定される。

例如，通过逻辑复位，把电子线路的存储器 (例如ASIC寄存器 )内存储的值设定为规定值。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、シフトレジスターに格納されている電荷をアナログ電気信号として順次A／D変換部110へと出力させる（T1〜T2、T3〜T4、T5〜T6、…の間）。

并且，将移位寄存器所存储的电荷作为模拟电信号依次向 A/D变换部 110输出 (T1～ T2、T3～ T4、T5～T6、……的期间 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明のこの態様は、UEまたはMSCサーバがDevIDを保護するときに採用されるのと同じ技法を使用するが、レジストラ（S−CSCF）により実施される。

本发明的此方面使用在 UE或 MSC服务器保护 DevID时采用的，但由注册器 (S-CSCF)执行的相同技术。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6では、移動体機器がPSアクセスを使用してIMSで（レジストラに向かって）機器自体を直接登録する呼の流れ600が図示されている。

在图 6中，示出了呼叫流程 600，其中，移动装置使用 PS接入在 IMS中 (向注册器 )直接注册自己。 - 中国語 特許翻訳例文集

図10の呼の流れは、PSアクセスを使用して（レジストラに向かって）直接IMSに自分を登録する移動体機器を図示する。

图 10的呼叫流程示出移动装置使用 PS接入在 IMS中 (向注册器 )直接注册自己。 - 中国語 特許翻訳例文集

登録中にDevIDが保護されていないときの、レジストラ（S−CSCF）によるGRUU生成のためのステップを参照のこと。

参阅当 DevID在注册期间不受保护时由注册器 (S-CSCF)进行 GRUU创建的步骤。 - 中国語 特許翻訳例文集

アドレス領域には、被試験デバイス10−1のレジスタのアドレスを特定するアドレス情報が格納される。

在地址区域上，存储有确定被测试设备 10-1的寄存器的地址的地址信息。 - 中国語 特許翻訳例文集

データ領域には、当該アドレス情報によって指定される第1試験モジュール122のレジスタに書き込むべきデータが格納される。

在数据区域存储有为了向该地址信息指定的第 1测试模块 122的寄存器内写入的数据。 - 中国語 特許翻訳例文集

アドレス領域には、ライトコマンドによって制御する被試験デバイス10内のレジスタのアドレスが格納される。

在地址区域存储有根据写入命令控制的被测试设备 10内的寄存器的地址。 - 中国語 特許翻訳例文集

・1本の垂直信号線122に接続された画素20の全選択トランジスタ25をオフするときに定電流源30もオフする。

第一，当被连接到一垂直信号线 122的所有像素 20的选择晶体管 25被关断时，恒流源 30也被关断； - 中国語 特許翻訳例文集

しかる後、選択パルスSELを非アクティブ（負電圧、例えば−1V）にし、選択トランジスタ25をオフさせる。

然后，选择脉冲 SEL被禁止 (inactivate)(例如，-1V的负电压 )，以关断选择晶体管 25。 - 中国語 特許翻訳例文集

加えて、又はこれに代わって、処理ユニット240は、プロセッサ・レジスタのような、メモリを包含することが出来る。

处理单元 240可另外或可选地包括存储器，例如处理器寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、図3を参照しながら、ページスキャンモードにおける電力消費量の一例について説明する。

现在将参照图 3来讨论寻呼扫描模式下的功耗的例子。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3に、ページスキャンモードにおける受信機30およびモデムプロセッサ35の電流消費量のプロットを示す。

图 3示出了寻呼扫描模式下的接收机 30和调制解调处理器 35的电流消耗的绘图。 - 中国語 特許翻訳例文集