「ジス」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

具体的には、第1の信号の出力途中であっても、CPU30はスリープレジスタを初期状態に戻してスリープ状態を解除する。

具体来说，即使在第一信号的输出过程中，CPU 30也将休眠寄存器的状态返回初始状态，并解除休眠状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

図8に示すように、パケット読出DMAC122は、転送範囲設定レジスタ801及びパケットバッファ読出部802を含む。

如图 8所示，包读出 DMAC 122包括传送范围设置寄存器 801和包缓冲器读出单元 802。 - 中国語 特許翻訳例文集

ページ印刷スケジューラは、ページストリップの順番付けと印刷エンジンコントローラ130への転送とを制御する。

页打印调度器控制页条的顺序以及向打印引擎控制器 130的传送。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後、各レジスタからの出力（Dout00〜Dout24）を用いて畳み込み演算部802でフィルタ演算を実行する。

之后，由卷积计算器 802通过使用来自寄存器组 801中的寄存器的输出 (Dout00～ Dout24)来执行滤波计算。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ104は、垂直選択回路VSによって駆動されるリセット信号によって制御されうる。

可借助于由垂直选择电路 VS驱动的复位信号控制复位晶体管 104。 - 中国語 特許翻訳例文集

選択トランジスタ106が、垂直選択回路VSによって駆動される選択信号によって制御されうる。

可借助于由垂直选择电路 VS驱动的行选择信号控制选择晶体管 106。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ102は、垂直選択回路VSによって駆動される転送信号によって制御されうる。

可借助于由垂直选择电路 VS驱动的传输信号控制传输晶体管 102。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、転送トランジスタ102−1、102−3がオフ状態にされて、不図示の回路により光信号が読み出される。

在传输晶体管 102-1和 102-3被关断时，光信号被电路 (未示出 )读取。 - 中国語 特許翻訳例文集

このステップの一部として、プロセッサ391は、データレジスタに記憶された現在の時間および日を得ることもできる。

作为此步骤的一部分，处理器 391还可获得可存储在数据寄存器中的当前时间和日期。 - 中国語 特許翻訳例文集

透過型液晶表示パネルは、薄膜トランジスター(Thin Film Transistor: 以下、“TFT”とする)基板とカラーフィルター基板を含む。

背光型液晶显示面板包括薄膜晶体管 (TFT)基板和滤色器基板。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、第3のトランジスタ25と、共通信号線27に設けられた図示しない負荷電流源とでソースフォロア回路が構成されている。

并且，通过第 3晶体管 25、设置于共同信号线 27商的未图示的负荷电流源构成源跟随器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図5】本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を示す図である。

图 5是示出按照第一实施例的 CMOS图像传感器的像素的例子的图，该像素由四个晶体管形成； - 中国語 特許翻訳例文集

図5は、本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を示す図である。

图 5是示出按照本实施例的 CMOS图像传感器的像素的例子的图，该像素由四个晶体管形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOSトランジスタNT311のゲートがキャパシタC311の第1電極に接続され、その接続点によりノードND313が形成されている。

NMOS晶体管NT311的栅极连接至电容器C311的第一电极，避过且连接点构成节点ND313。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOSトランジスタNT312のゲートがキャパシタC312の第1電極に接続され、その接続点によりノードND314が形成されている。

NMOS晶体管 NT312的栅极连接至电容器 C312的第一电极，并且连接点构成节点ND314。 - 中国語 特許翻訳例文集

閾値検出器316、周波数カウンタ318、およびレジスタ324の機能は、後段でより詳細に説明される。

以下将详细讨论阈值检测器 316、频率计数器 318、和寄存器 324的功能。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップ610で、時刻パルス信号が、例えば、中央クロックモジュール502からレジスタ524に配信される。

在步骤 610，例如从中央时钟模块 502向寄存器 524分发当日时间脉冲信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、負荷トランジスタ614は、そのドレイン端子が垂直信号線（VSL1または2）501または502に接続され、そのソース端子が接地される。

此外，负载晶体管 614使其漏极端子连接到垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502，并且使其源极端子接地。 - 中国語 特許翻訳例文集

保持容量613は、負荷電流を一定に維持するために、負荷トランジスタ614のゲート電圧を一定に保持するためのキャパシタである。

保持电容器 613维持负载晶体管 614的栅极电压恒定，以便维持负载电流恒定。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準トランジスタ690は、そのソース端子が接地され、かつ、そのゲート端子およびドレイン端子が基準電流線601に接続される。

此外，参考晶体管 690使其源极端子接地，并且使其栅极端子和漏极端子连接到参考电流线 610。 - 中国語 特許翻訳例文集

このため、信号読出し回路710により、増幅トランジスタ414から一定の増幅利得により出力された基準信号が読み出される。

这允许信号读出电路 710读出以恒定的放大增益从放大晶体管 414输出的参考信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

I／Q較正レジスタ16は、SPIシリアルバス15から書き込まれることが可能であり、またRFループバック経路11を制御するために使用される。

I/Q校准寄存器 16可从 SPI串行总线 15被写入且用以控制 RF环回路径 11。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、図25は、第2補正回路44の乗算器97〜100を制御するI／Q補正レジスタ139を示している。

举例来说，图 25展示控制第二校正电路 44的乘法器 97到 100的 I/Q校正寄存器 139。 - 中国語 特許翻訳例文集

一側面では、乗算器97は、I／Q補正レジスタ139から受信された補正信号によって制御される。

在一个方面中，乘法器 97由从 I/Q校正寄存器 139接收的校正信号控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態では、アナログ送信移相器29はI／Q補正レジスタからの補正信号によって制御される。

在一个实施例中，模拟发射移相器 29由来自 I/Q校正寄存器的校正信号控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

DSP14は、等式119から得られた位相不一致φaを使用して、I／Q補正レジスタのビットを書き込むことによって送信移相器29を制御する。

DSP 14通过写入 I/Q校正寄存器的位而使用从方程式 119获得的相位失配 控制发射移相器 29。 - 中国語 特許翻訳例文集

図26の実施形態の補正シフタおよび補正乗算器は、I／Q補正レジスタによって制御される。

图 26的实施例的校正移位器及校正乘法器由 I/Q校正寄存器控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、図26は、受信器13の直交ミキサの補正シフタ145〜146および補正乗算器147〜148を制御するI／Q補正レジスタ149を示している。

举例来说，图 26展示控制接收器 13的正交混频器的校正移位器 145到 146及校正乘法器 147到 148的 I/Q校正寄存器 149。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図7】図3の復調部においてシフトレジスタにラッチされる情報の例を説明する図である。

图 7是用于说明由图 3的解调器中的移位寄存器锁存的信息的例子的示意图； - 中国語 特許翻訳例文集

シフトレジスタ64は、1／2etu毎のクロックが供給されたタイミングで信号d4の信号レベルを保持（ラッチ）する。

移位寄存器 64在每 1/2etu的时钟供应时刻保持 (锁存 )信号 d4的信号电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、各回線IFのOAM ACT／SBY切替レジスタ200を切り替え、障害が発生したポートをSBY、障害が発生していないポートをACTと設定する。

并且，切换各个线路 IF的 OAM ACT/SBY切换寄存器200，将产生了故障的端口设定为 SBY，将未产生故障的端口设定为 ACT。 - 中国語 特許翻訳例文集

図21（b）は、OAM ACT／SBY切替レジスタ200の変更通知を統括制御CPU40から受信したIF制御CPU110の処理フローチャートである。

图 21(b)是从总括控制 CPU40接收了 OAM ACT/SBY切换寄存器 200的变更通知的IF控制 CPU110的处理流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、VMはPMOSトランジスタのオフのためにゲートに供給される電圧の絶対値よりも小さい電圧である。

电压 VM比向栅极供给以关断 PMOS晶体管的电压的绝对值小。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1の入力トランジスタ201のゲートに第1の共通出力線2からの信号が入力される。

信号从第一共用输出线2被输入到第一输入晶体管 201的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷トランジスタ503は演算増幅器を動作させるための電流（バイアス電流）を供給するためのものである。

负载晶体管 503供给用于使得运算放大器 4操作的电流 (即，偏压电流 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、レジスタ163は、デコード部78（図6）から出力されるイネーブルフラグに応じて、保持している絶対値を0にリセットする。

此外，寄存器 163响应于从解码块 78(图 6)输出的启用标志，将保持的绝对值重置为零。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS79において、レジスタ163は、選択部162から供給される絶対値を、現時点で最大の絶対値として記憶する。

在步骤 S79，寄存器 163存储来自选择部分 162的绝对值作为目前的最大绝对值。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、レジスタ203は、デコード部78（図6）から出力されるイネーブルフラグに応じて、保持している絶対値を0にリセットする。

此外，寄存器 203响应于从解码块 78(图 6)输出的启用标志，将保持的绝对值重置为 0。 - 中国語 特許翻訳例文集

第7レジスタの出力は、排他的論理和ゲート36にも供給され、パケットデータと結合されてスクランブルビットを生成する。

第七比特，即输出比特，也被馈送至异或门 36，其与该分组数据的一个比特相结合以产生加扰比特。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図4】ペット登録モードにおいて参照されるレジスタの構成の一例を示す図解図である。

图 4是表示在宠物登记模式中参照的寄存器的结构的一个实例的图解图。 - 中国語 特許翻訳例文集

このような登録用顔検出タスクのために、図3に示す一般辞書GLDCと図4に示すレジスタRGST1とが準備される。

为了这样的登记用面部检测任务，准备图 3所示的一般词典 GLDC和图 4所示的寄存器 RGST1。 - 中国語 特許翻訳例文集

シフトレジスタ61は、クロック信号CKに基づいて、画素データDinの取り込みタイミングを与える回路デバイスである。

所述移位寄存器 61是基于时钟信号 CK取得获取像素数据 Din的时序的电路装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

この形態例の場合、シフトレジスタ61は、少なくとも信号線DTLの本数に対応する3×N個の遅延段で構成される。

在本实施例中，所述移位寄存器 61具有对应于所述信号线 DTL的数量的至少 3×N个延迟级。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、その駆動タイミングと駆動トランジスタN2の電位状態の変化は、前述した図15及び図16を参考に説明する。

将参考上面图 15A至 15E和图 16A至 16E说明所述驱动晶体管 N2的驱动时序和电位状态的变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、書込制御線WSLはLレベルであり、サンプリングトランジスタN1はオフ状態に制御されている。

此时，所述写控制线 WSL处于 L电平，且所述采样晶体管 N1被控制为处于关断状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

初期化タイミングが到来すると、書込制御線WSLはHレベルに制御され、サンプリングトランジスタN1はオン状態に切り替わる。

当初始化时刻到来时，所述写控制线 WSL被控制为处于 H电平，且所述采样晶体管 N1被切换为导通状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、このサンプリングトランジスタN1のオン動作に同期して、信号線DTLには初期化電位Vofs_Hが印加される。

与所述采样晶体管 N1的导通操作同步地将所述初始化电位 Vofs_H施加给信号线 DTL。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、このゲート電位Vgの電位変化に連動して、駆動トランジスタN2のソース電位Vsも押し下げられる（図15（E）、図16（E））。

与所述栅极电位 Vg的电位变化所关联，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs也减小(图 15E，图 16E)。 - 中国語 特許翻訳例文集

この開始時点において、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsは、バラツキを考慮しても閾値電圧Vthより広くなっている。

在开始时刻，甚至当考虑变动时，所述驱动晶体管 N2的栅 /源极之间的电压 Vgs也比所述阈值电压 Vth更宽。 - 中国語 特許翻訳例文集

この動作の開始に伴い、駆動トランジスタN2のゲート電位Vgは、信号電位Vsigに上昇する（図15（D）、図16（D））。

随着所述操作的开始，所述驱动晶体管 N2的栅极电位 Vg被增加到所述信号电位Vsig(图 15D，图 16D)。 - 中国語 特許翻訳例文集