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「ジス」を含む例文一覧

該当件数 : 1118



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CPU130は、ACT206からACT207、210、211、216、217を経て、レジストローラ対14の方向に進んだ原稿G3を、OUTパス26に待機する。

CPU 130从 ACT206经 ACT207、210、211、216、217,使向对位辊对 14方向前进的文稿 G3在 OUT路径 26中待机。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、MOSトランジスタ221と定電流源225とで構成されるソースフォロワの出力はVRSである。

此时,包含 MOS晶体管 221和恒流源 225的源跟随器的输出为 VRS。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソースは、各ビデオ・エンド・ポイントのアドレスからレジスタのコンテナ識別子を読み出す。

该源读取来自每个视频端点地址的寄存器的容器标识符。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソースは、各ビデオ・エンド・ポイントのアドレスからレジスタのコンテナ識別子を読み出す。

源从每个视频端点地址读取寄存器的容器标识符。 - 中国語 特許翻訳例文集

DevIDが登録中に保護されていないときのレジストラ(S−CSCF)によるGRUU生成のためのステップ

DevID在注册期间不受保护时由注册器 (S-CSCF)进行 GRUU创建的步骤 - 中国語 特許翻訳例文集

S−CSCF(レジストラの役割を果たす)が、ステップ1001で送信されたインスタンスIDに基づきGRUUを構築する。

S-CSCF(充当注册器 )基于在步骤 1001中发送的实例 ID构建 GRUU。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後、選択行の選択パルスSELをアクティブとすることで、選択トランジスタ25がオンする。

然后,选定的像素行的选择脉冲 SEL被激活,以接通选择晶体管 25。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかる後、選択パルスSELを非アクティブにし、選択トランジスタ25をオフさせる。

然后,选择脉冲 SEL被禁止以关断选择晶体管 25。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図3】ページスキャンモードにおける電力消費量の一例を示す図。

图 3是示出寻呼扫描模式下的功耗的例子的图示。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、図1を参照しながら、ページスキャンモードにおける動作の例を提示する。

现在将参考图 1给出寻呼扫描模式下的操作的例子。 - 中国語 特許翻訳例文集


ページスキャンモードにおける平均電流消費量は、次のように近似できる。

寻呼扫描模式下的平均电流消耗可以近似为: - 中国語 特許翻訳例文集

エネルギー検出時間752から約1ページ列間隔後、短縮ページスキャン760が開始する。

在自能量检出的时间 752起约一个寻呼队列间隔之后开始缩短的寻呼扫描 760。 - 中国語 特許翻訳例文集

この態様は、短縮ページスキャンを使用することによって電力を節約する。

这个方面由于使用了缩减的寻呼扫描而节省了功率。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25,26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。

并且,所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

直列接続される2つのNMOSトランジスタ27,28のゲート幅Wは、それぞれ同じ4μmである。

所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 27、28的栅极宽度 W分别都为 4μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

直列接続される2つのNMOSトランジスタ33,34のゲート幅Wは、それぞれ同じ3μmである。

所串联连接的 2个NMOS晶体管 33、34的栅极宽度 W都为 3μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

直列接続される2つのNMOSトランジスタ35,36のゲート幅Wは、それぞれ同じ5μmである。

所串联连接的 2个 NMOS晶体管 35、36的栅极宽度 W都为 5μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ40,41のゲート幅Wは、それぞれ同じ7μmである。

并且,所串联连接的 2个 NMOS晶体管 40、41的栅极宽度 W都为 7μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25,26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。

并且,所串联连接的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ30,31のゲート幅Wは、それぞれ同じ1μmである。

并且,所串联连接的 2个 NMOS晶体管30、31的栅极宽度 W分别都为 1μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75,76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号(/列選択信号)が入力される。

驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接,处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ78,79のうち、基準電圧線Vref3にドレイン端子が接続されるNMOSトランジスタ78のゲート端子には、列選択信号が入力され、NMOSトランジスタ78のソース端子とグランドとの間に介在するNMOSトランジスタ79のゲート端子は、電源77に接続されている。

另外,驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 78、79中漏极端子与基准电压线Vref3连接的 NMOS晶体管 78的栅极端子被输入列选择信号,处于 NMOS晶体管 78的源极端子与电路接地端之间的 NMOS晶体管 79的栅极端子与电源 77连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS115では変数CNT_L,CNT_R,CNT_UおよびCNT_Dの値をレジスタRGST1のK番目のカラムに登録する。

在步骤 S115中,将变量CNT_L、CNT_R、CNT_U以及 CNT_D的值登记到寄存器 RGST1的第 K栏中。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、期間V2では、通信5012により、CPU書き込みレジスタR(401)には、以下の書き込みを行う。

此外,在时段 V2中,通过通信 5012将以下写入到 CPU写入寄存器 R(401)中: - 中国語 特許翻訳例文集

また、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加が停止される。

另外,停止将选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集

まず、時刻t1の際、リセットパルスRSTが”H”レベルとされ、リセットトランジスタRSTTrがオンとされる。

首先,在时刻 t1时,将复位脉冲 RST设为“H”电平,使复位晶体管 RSTTr导通。 - 中国語 特許翻訳例文集

その結果、NチャネルMOSトランジスタ15を流れる参照電流Iref0の値が大きくなる。

这增大了流向 N沟道 MOS晶体管 15的参考电流 Iref0的值。 - 中国語 特許翻訳例文集

その結果、NチャネルMOSトランジスタ15を流れる参照電流Iref0の値が小さくなる。

这减小了流向 N沟道 MOS晶体管 15的参考电流 Iref0的值。 - 中国語 特許翻訳例文集

PチャネルMOSトランジスタ21のゲートには、差動入力信号の一方の信号IN1が入力される。

差分输入信号的一个信号 IN1进入 P沟道 MOS晶体管 21的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

PチャネルMOSトランジスタ22のゲートには、差動入力信号の他方の信号IN2が入力される。

差分输入信号的另一个信号 IN2进入 P沟道 MOS晶体管 22的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、タイトル番号レジスタにおけるタイトル番号は、0、1〜999、不定値(0xFFFF)という番号がある。

这里,标题号码寄存器中的标题号码,有 0、1~ 999、不定值 (0xFFFF)的号码。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS43は、立体視表示ケーパビリティレジスタのb1が“1”であるか否かの判定である。

步骤 S43是立体视显示能力寄存器的 b1是否是“1”的判断。 - 中国語 特許翻訳例文集

この守秘義務契約はABCコンピュータとXYZロジスティックの間で締結されたものである。

这个保密协议是ABC电脑和XYZ物流间缔结的合约。 - 中国語会話例文集

我社の資産を運用するにあたり、投資方法をストラテジストに相談する。

我公司在运用资产的时候,会向战略家咨询投资方法。 - 中国語会話例文集

その都市の復興会議には、多くのエコロジストやアーバニストが集まった。

在那座城市的复兴会议上,聚集了很多城市规划专家和生态学者。 - 中国語会話例文集

来週会議を開いて、ロジスティクスの点で何をする必要があるかを検討したいと思います。

下周召开会议,想探讨一下物流方面需要做什么。 - 中国語会話例文集

画素ダミーアンプトランジスタ117のドレインが電源ラインLVDDAMPに接続され、ソースが画素ダミー選択トランジスタ118のドレインに接続されている。

像素哑放大晶体管 117具有连接至电源线 LVDDAMP的漏极、以及连接至像素哑选择晶体管 118的漏极的源极。 - 中国語 特許翻訳例文集

選択回路155は、レジスタ152A−0〜152A−3の出力を順次に選択して、各レジスタ152A−0〜152A−3の保持した判定値をカウント回路153Aに供給する。

选择电路 155顺序选择寄存器 152A-0到 152A-3的输出,以便将寄存器 152A-0到152A-3中保持的判决值提供到计数电路 153A。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS31では重要フレーム番号SFNをレジスタRGST1のI番目のカラムに登録し、ステップS33では実フレーム番号RFNをレジスタRGST1のI番目のカラムに登録する。

在步骤 S31中,将重要帧编号 SFN登记在寄存器 RGST1的第 I列,在步骤 S33中,将实帧编号 RFN登记在寄存器 RGST1的第 I列。 - 中国語 特許翻訳例文集

単一ビットの唯一の線形関数は、XORおよび逆XORであり、しかして、LFSRは、その入力ビットがシフト・レジスタ値の全体を構成する一部のビットの排他的OR(XOR)によって駆動される、シフト・レジスタである。

单个位的唯一线性函数为XOR和反XOR; 因而 LFSR是其输入位由总的移位寄存器值的一些位的异或 (XOR)来驱动的移位寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集

LFSRの初期値はシードと呼ばれ、このレジスタの動作は確定的な性質 (deterministic)をもつものなので、該レジスタによって生成される値のシーケンスは、その現在の(または前の)状態によって完全に定まる。

LFSR的初始值被称为种子 (seed),并且因为寄存器的操作是确定性的,所以由寄存器产生的值的序列完全由其当前 (或先前 )状态确定。 - 中国語 特許翻訳例文集

(5)CPU30は、CPU30に予め設けられているレジスタ(以下、スリープレジスタ)に、電力供給が停止されても問題ない状態(スリープ状態)であることを示すデータを書込み、自身をスリープ状態に設定する。

(5)CPU 30向预先设置在 CPU 30中的寄存器 (以下称为休眠寄存器 )写入指示即使停止供电也不会产生问题的状态 (休眠状态 )的数据,并将其状态设置为休眠状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

続いて、S107において、パケット読出DMAC122は、転送範囲設定レジスタ801のレジスタ値に従って、実行する画像処理においてオーバラップデータ領域が必要であるか否かを判定する。

随后,在 S107中,包读出 DMAC 122根据传送范围设置寄存器 801的寄存器值,确定要执行的图像处理是否需要交叠数据区域。 - 中国語 特許翻訳例文集

1水平走査期間内において、まず、変換領域103−1、103−2の電圧をリセットするために、リセットトランジスタ104−1、104−2および選択トランジスタ106−1、106−2がオン状態にされる。

在水平扫描时间周期中,首先,复位晶体管 104-1和104-2以及选择晶体管 106-1和 106-2被接通,以便分别复位转换区域 103-1和 103-2的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図4において選択トランジスタ41の後段に増幅回路42を配置している、すなわち1列あたりに1個の増幅回路42を配置しているが、選択トランジスタ41の前段に増幅回路42を配置しても良い。

在图 4中,放大电路 42被布置在选择晶体管 41之后,即,对于每一列布置一个放大电路 42,但是放大电路 42可以布置在选择晶体管 41之前。 - 中国語 特許翻訳例文集

図10に示すように、探索エリアは、レジスタRGST1に登録された顔サイズの1.3倍の大きさを有して、レジスタRGST1に登録された顔位置に相当する位置に割り当てられる。

如图 10所示,探索区域具有寄存器 RGST1所登录的面部尺寸的 1.3倍的大小,并分配给相当于寄存器 RGST1所登录的面部位置的位置。 - 中国語 特許翻訳例文集

CPU26はまた、図11に示すように、最大サイズSZmaxをレジスタRGST1に登録された顔サイズの1.3倍の値に設定し、最小サイズSZminをレジスタRGST1に登録された顔サイズの0.8倍の値に設定する。

另外,如图 11所示,CPU26将最大尺寸 SZmax设定为寄存器 RGST1所登录的面部尺寸的 1.3倍的值,将最小尺寸 SZmin设定为寄存器 RGST1所登录的面部尺寸的 0.8倍的值。 - 中国語 特許翻訳例文集

探索エリアは、レジスタRGST1に登録された顔サイズの1.3倍の大きさを有して、レジスタRGST1に登録された顔位置に相当する位置に割り当てられる。

探索区域具有寄存器 RGST1所登录的面部尺寸的 1.3倍的大小,并分配给相当于寄存器 RGST1所登录的面部位置的位置。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS25では、最大サイズSZmaxをレジスタRGST1に登録された顔サイズの1.3倍の値に設定するとともに、最小サイズSZminをレジスタRGST1に登録された顔サイズの0.8倍の値に設定する。

在步骤 S25中,将最大尺寸 SZmax设定为寄存器 RGST1所登录的面部尺寸的 1.3倍的值,并且将最小尺寸 SZmin设定为寄存器 RGST1所登录的面部尺寸的 0.8倍的值。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、選択制御線LSELを通して制御信号(アドレス信号またはセレクト信号)SELが選択トランジスタ115のゲートに与えられ、選択トランジスタ115がオンする。

控制信号 (地址信号或选择信号 )SEL经由选择控制线 LSEL供给至选择晶体管115的栅极,来导通选择晶体管 115。 - 中国語 特許翻訳例文集

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