「晶」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

输入部分 510包括一个晶体管 (第四晶体管 Tr4)，第四晶体管 Tr4的输入端和控制端被共同连接 (二极管连接 )到第一输入端 IN1，输出端连接到节点 Q(以下，称为第一节点 )。

入力部510は一つのトランジスター（第4のトランジスターTr4）を備え、第4のトランジスターTr4の入力端子及び制御端子は第1の入力端子IN1と共通に接続（ダイオード接続）され、出力端子はQ接点（以下、第1のノードともいう）に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

第三晶体管 Tr3的控制端连接到上拉驱动器 511的第七晶体管 Tr7的输出端，通过第二输入端 IN2向第二晶体管 Tr2的控制端输入下一级的栅极电压。

第3のトランジスターTr3の制御端子はプルアップ駆動部511の第7のトランジスターTr7の出力端子に接続され、第2のトランジスターTr2の制御端子には第2の入力端子IN2を介して次段のステージのゲート電圧が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，Bμcom 101与通信连接器 106以及快门驱动控制电路 121等连接，而且还与液晶监视器 140、照相机操作开关 (SW)150、以及未图示的电源连接，该液晶监视器 140通过显示输出向摄影者告知照相机动作状态。

なお、Bμcom101は、通信コネクタ160と、シャッタ駆動制御回路121等と接続されており、更に、カメラの動作状態を表示出力によって撮影者へ告知するための液晶モニタ140と、カメラ操作スイッチ（SW）150と、図示しない電源と接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

当被连接到垂直信号线的全部像素的选择晶体管 25被关断时 (当选择晶体管处于低电平时 )，用于对开关负载晶体管 31进行开关的开关脉冲 LOAD被激活 (例如，电源电压 Vdd)。

垂直信号線122に接続された全ての画素の選択トランジスタ25をオフした状態（選択パルスSELが低レベルの状態）で、負荷トランジスタ31をスイッチング駆動するスイッチングパルスLOADをアクティブ（例えば、電源電圧Vdd）とする。 - 中国語 特許翻訳例文集

在地址晶体管 24被行选择后导通时，放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接，且在开关晶体管 14导通后电流源 15经由垂直信号线 VSL与源极端子连接时，构成源极跟踪器电路。

増幅トランジスタ23は、アドレストランジスタ24が行選択されてオンしドレイン端子が電源26に接続され、かつスイッチトランジスタ14がオンして電流源15が垂直信号線VSLを介してソース端子に接続されたときにソースフォロワ回路を構成する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在电路接地端侧的 2个 NMOS晶体管 26、28处，NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn，另外，NMOS晶体管 28的栅极端子被输入第 n+1列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn+1。

グランド側の2つのNMOSトランジスタ26，28ではNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力され、また、NMOSトランジスタ28のゲート端子にn＋1列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dn＋1が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

基准电压驱动电路 19a中，在列选择信号被输出而处于高电平的期间，驱动基准电压线 Vref1的 NMOS晶体管 30、驱动基准电压线 Vref2的 NMOS晶体管 33、驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 35都导通。

基準電圧駆動回路19aでは、列選択信号が出力されて高レベルである期間では、基準電圧線Vref1を駆動するNMOSトランジスタ30と、基準電圧線Vref2を駆動するNMOSトランジスタ33と、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ35とが共にオンする。 - 中国語 特許翻訳例文集

像素哑选择晶体管 118的源极连接至垂直信号线 116。

画素ダミー選択トランジスタ118のソースが垂直信号線116に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

选择晶体管 Tr15的源极侧与垂直信号线 9连接。

選択トランジスタTr15は、そのソース側が垂直信号線9に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，显示器 33是 LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器 )、CRT(Cathode Ray Tube：阴极射线管 )、PDP(Plasma Display Panel：等离子显示器 )等显示装置。

なお、ディスプレイ33は、LCD（Liquid Crystal Display）、CRT（Cathode Ray Tube）、PDP（Plasma Display Panel）等の表示装置である。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，也可以在 Y方向的轴部 126内配置霍尔式传感器和磁体，在使可动式液晶监视器 101以 Y轴为中心旋转时，霍尔式传感器与磁体的距离变化，由此判断可动式液晶监视器 101是处于收纳状态，还是处于非收纳状态。

また、Y方向の軸部126内にホールセンサーとマグネットを配し、Y軸を中心に可動式液晶モニター101を回転させたときにホールセンサーとマグネットの距離が変わることによって、可動式液晶モニター101が格納状態にあるのか、非格納状態にあるのかを判別するようにしてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

各个复位晶体管 113C的栅极电极连接到公共复位线 118C。

各リセットトランジスタ113Cのゲート電極が共通のリセット線118Cに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，L3及 L4以及对应晶体管可用于低线性接收模式中。

さらに、L3およびL4ならびに対応するトランジスタは、低直線性受信モードで使用されてよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

诸如LCD(液CN 10201761224 AA 说 明 书 6/18页晶显示器 )之类的显示器可用作显示单元 160。

表示部160としては、例えば、LCD（Liquid Crystal Display）等のディスプレイを用いることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

显示单元包括例如 LCD(液晶显示器 )、有机 EL(电激发光 )显示器、或无机 EL显示器。

この表示部は、例えばLCD（Liquid Crystal Display）、有機EL（ElectroLuminescence）ディスプレイ、無機ELディスプレイにより構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

如上所述，因为当液晶的驱动频率增加时在第一次写入结束时在屏幕的下侧未达到期望的亮度，因此在背光 136可以关闭达至少在第一次写入期间的液晶显示面板 134正瞬时响应的某个时段。

上述のように、液晶の駆動周波数を高めると、1回目の書き込み時には、書き込み終了時に画面下部では所望の輝度に到達しないため、液晶表示パネル132の過渡応答中である1回目の書き込み時の少なくとも一部区間では、バックライト136を消灯することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

因为液晶响应性是依赖于温度的，因此，例如，如果使用在所使用的温度不具有充分的响应的液晶，则在不同于背光 136被点亮的时段的时段期间，也用诸如灰色的暗色按期望地点亮背光 136而不完全关闭。

液晶の応答性は温度に依存するため、例えば使用温度において十分な応答性を有さない液晶を用いる場合には、パックライト136の点灯期間以外においても、バックライト136を完全に消灯させることなく、グレー等の暗色で点灯させておくことが望ましい。 - 中国語 特許翻訳例文集

当用于左眼的图像L和用于右眼的图像 R之间的视差大，而且立体图像的外观 (apparent)位置突出至液晶显示面板 134的显示屏幕的前方，或者将其定位在显示屏幕的后方时，左和右图像之间的亮度差变大，而且施加于液晶的电压具有图 4中所示的驱动波形。

左目用画像と右目用画像の視差が大きく、立体画像の見かけ上の位置が、液晶表示パネル134の表示画面よりも手前に飛び出している場合、または表示画面よりも奥に位置している場合は、左右の画像の輝度差が大きくなり、液晶に印加する電圧は図4に示すような駆動波形となる。 - 中国語 特許翻訳例文集

当像素被读出时，负载 MOS晶体管 51-1至 51-n用作源极跟随器的电流源。

負荷MOSトランジスタ51−1〜51−nは画素読み出し時のソースフォロワの電流源として機能する。 - 中国語 特許翻訳例文集

当像素被读出时，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n用作源极跟随器的电流源。

負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nは画素読み出し時のソースフォロワの電流源として機能する。 - 中国語 特許翻訳例文集

相应地，所述驱动晶体管 N2被控制为在饱和的状态中操作。

これにより、駆動トランジスタN2は、飽和領域で動作する状態に制御される。 - 中国語 特許翻訳例文集

此时，所述驱动晶体管 N2和所述有机 EL器件 OLED都处于关断状态。

このとき、駆動トランジスタN2及び有機EL素子OLEDは共にオフ状態である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在专利文献 1所述的方法中，确定与事件有关的颜色值，以确定的颜色值在液晶屏幕上进行显示，同时用相同的颜色点亮按键背光，以通过颜色提醒用户注意事件，并将用户引导到液晶屏幕上显示的事件。

特許文献1に記載された方法では、イベントに関連する色値を決定し、決定した色値で液晶画面上において表示を行い、同時にキーバックライトも同色で発光させることによって、ユーザに色からイベントを意識させ、液晶画面に表示されたイベントへの誘導を行う。 - 中国語 特許翻訳例文集

在前述透射轴中，以液晶显示单元 1设置为保持直立在 XZ平面上并且快门眼镜 6在其入射面与液晶面板 2那一侧相对的状态下直立的状态作为基准，面板出射侧偏振片 2B的透射轴 C2与快门入射侧偏振片 60A的透射轴 C3相对应。

これらのうち、パネル出射側偏光板2Bの透過軸C2とシャッター入射側偏光板60Aの透過軸C3とは一致している。 但し、これは、液晶表示装置1をXZ平面上に傾かずに配置され、シャッター眼鏡6がその入射面を液晶表示パネル2側に向けて正立している状態を基準とする。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 2所示，数据通信电路 11可以还具备辅助晶体管 105。

図2のように、データ通信回路11は、補助トランジスタ105をさらに備えていても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，辅助晶体管 105的栅极—漏极间电压成为比“VTT”低的“VTT-Vth”。

例えば、補助トランジスタ105のゲート−ドレイン間電圧は“VTT”よりも低い“VTT−Vth”になる。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 6所示，数据通信电路 21可以还具备辅助晶体管 205p、205n。

図6のように、データ通信回路21は、補助トランジスタ205p，205nをさらに備えていても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

同样，数据通信电路 22也可以还具备辅助晶体管 206p、206n。

同様に、データ通信回路22も、補助トランジスタ206p，206nをさらに備えていても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

而且，数据通信电路 321、322、…、32n也可以还具备图 6所示的辅助晶体管 206p、206n。

また、データ通信回路321，322，…，32nも、図6に示した補助トランジスタ206p，206nをさらに備えていても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

所有复位晶体管 200的栅极在每一像素 210行内连接在一起。

全てのリセットトランジスタ200のゲートは、画素210の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

所有复位晶体管 300的栅极在每一像素 310行内连接在一起。

全てのリセットトランジスタ300のゲートは、画素310の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

所有复位晶体管 100的栅极在每一像素110行内连接在一起。

全てのリセットトランジスタ100のゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

所有复位晶体管 101的栅极在每一像素 110行内连接在一起。

全てのリセットトランジスタ101のゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 4a及图 4b展示本发明的添加了行选择晶体管 112的替代实施例。

図4a及び図4bは、行選択トランジスタ112を加えられた本発明の代替の実施形態を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

除添加了行选择晶体管外，这些实施例与图 3相同。

これらの実施形態は、行選択トランジスタが付加された点を除いて、図3と同じである。 - 中国語 特許翻訳例文集

重置晶体管 Tr2连接在行选择信号 和浮置扩散 22之间。

リセットトランジスタTr2は、行選択信号φSELとFD22との間に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

负载 MOS晶体管 105是对于各个垂直输出线 102设置的。

負荷MOSトランジスタ105は垂直出力線毎に設けられ、ゲートが共通に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

此时，包含 MOS晶体管 221和恒流源 225的源跟随器的输出为 VRS。

このとき、MOSトランジスタ221と定電流源225とで構成されるソースフォロワの出力はVRSである。 - 中国語 特許翻訳例文集

然后，选定的像素行的选择脉冲 SEL被激活，以接通选择晶体管 25。

その後、選択行の選択パルスSELをアクティブとすることで、選択トランジスタ25がオンする。 - 中国語 特許翻訳例文集

然后，选择脉冲 SEL被禁止以关断选择晶体管 25。

しかる後、選択パルスSELを非アクティブにし、選択トランジスタ25をオフさせる。 - 中国語 特許翻訳例文集

接下来将参考图 8描述用于提示用户认证的 LCD屏幕的示例。

次に、図8を参照し、ユーザ認証を促している液晶画面の一例について説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 27、28的栅极宽度 W分别都为 4μm。

直列接続される2つのNMOSトランジスタ27，28のゲート幅Wは、それぞれ同じ4μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

所串联连接的 2个NMOS晶体管 33、34的栅极宽度 W都为 3μm。

直列接続される2つのNMOSトランジスタ33，34のゲート幅Wは、それぞれ同じ3μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

所串联连接的 2个 NMOS晶体管 35、36的栅极宽度 W都为 5μm。

直列接続される2つのNMOSトランジスタ35，36のゲート幅Wは、それぞれ同じ5μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 40、41的栅极宽度 W都为 7μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ40，41のゲート幅Wは、それぞれ同じ7μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管30、31的栅极宽度 W分别都为 1μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ30，31のゲート幅Wは、それぞれ同じ1μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接，处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。

基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75，76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 78、79中漏极端子与基准电压线Vref3连接的 NMOS晶体管 78的栅极端子被输入列选择信号，处于 NMOS晶体管 78的源极端子与电路接地端之间的 NMOS晶体管 79的栅极端子与电源 77连接。

また、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ78，79のうち、基準電圧線Vref3にドレイン端子が接続されるNMOSトランジスタ78のゲート端子には、列選択信号が入力され、NMOSトランジスタ78のソース端子とグランドとの間に介在するNMOSトランジスタ79のゲート端子は、電源77に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集