「栅极」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

栅极控制信号包括栅极启动脉冲 GSP、栅极移位时钟 GSC、栅极输出使能信号 GOE等。

ゲート制御信号はゲートスタートパルス（Gate Start Pulse、GSP）、ゲートシフトクロック(Gate Shift Clock、GSC)、ゲート出力イネーブル信号(Gate Output Enable、GOE)などを含む。 - 中国語 特許翻訳例文集

栅极驱动器 500根据来自信号控制器 600的栅极控制信号 CONT1将栅极导通电压Von施加到栅极线 G1至 Gn，并导通分别连接到栅极线 G1至 Gn的开关元件 Trsw。

ゲート駆動部500は、信号制御部600からのゲート制御信号CONT1に基づき、ゲートオン電圧Vonをゲート線G1〜Gnに印加し、該ゲート線G1〜Gnに接続されたスイッチング素子Trswをターンオンさせる。 - 中国語 特許翻訳例文集

将反相输入 xIN提供到 nMOS182的栅极，并且将非反相输入 IN提供到 nMOS184的栅极。

反転入力 xINがnMOS182のゲートに供給され、非反転入力INがnMOS184のゲートに供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集

栅极启动脉冲 GSP控制第一栅极脉冲的时序。

ゲートスタートパルスGSPは一番目ゲートパルスのタイミングを制御する。 - 中国語 特許翻訳例文集

栅极切换时钟 GSC是用于对栅极启动脉冲 GSP进行移位的时钟信号。

ゲートシフトクロックGSCはゲートスタートパルスGSPをシフトさせるためのクロック信号である。 - 中国語 特許翻訳例文集

栅极输出使能信号 GOE控制栅极驱动电路的输出时序。

ゲート出力イネーブル信号GOEはゲート駆動回路の出力タイミングを制御する。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，可将栅极导通电压 Von施加到仅位于屏幕的下部 gh的栅极线。

或いは、画面の下部ghに位置するゲート線にのみゲートオン電圧Vonを印加してもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过栅极线 G1至 Gn传输在级 SR中输出的栅极电压。

ステージSRから出力されたゲート電圧はゲート線G1〜Gnを介して伝達される。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，优选使第四 OB区域 64中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L大于第三 OB区域 64中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L。

そこで、第3のOB領域63より第4のOB領域64の方のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方がよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，优选使第五 OB区域 65中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L大于第六 OB区域 66中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L。

そこで、第6のOB領域66より第5のOB領域65の方のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方がよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，从显示面板 100的上栅极线施加栅极导通信号，从而可将栅极导通信号顺序地施加到下栅极线。

即ち、表示パネル100の上部ゲート線からゲートオン信号が印加されて下部のゲート線まで順次にゲートオン信号が印加される。 - 中国語 特許翻訳例文集

当用独立 IC芯片形成栅极驱动器 500时，可将栅极导通电压从栅极 IC芯片同时施加到多条栅极导线。

ゲート駆動部500が独立したICチップとして構成される場合、ゲートICチップから複数のゲート線へ同時にゲートオン電圧を印加してもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

参照图 1，显示面板 100中显示的箭头方向表示将栅极导通电压施加到多条栅极线的顺序。

図1を参照すると、表示パネル100に点線で示した矢印方向は、ゲート線にゲートオン電圧が印加される順序を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

栅极控制信号 CONT1还可包括用于定义栅极导通电压 Von的持续时间的输出使能信号 OE。

また、ゲート制御信号CONT1は、ゲートオン電圧Vonの持続時間を限定する出力イネーブル信号を更に含む。 - 中国語 特許翻訳例文集

显然，可以通过在以与第一实施例中的方式相同的方式设置有效像素区域 60的栅极宽度 (沟道宽度 )W1和栅极长度 (沟道长度 )L1与第一 OB区域 61的栅极宽度 (沟道宽度 )W2和栅极长度 (沟道长度 )L2之间的关系时执行操作，来获得噪声降低效果。

有効画素領域60のゲート幅（チャネル幅）W1とゲート長（チャネル長）L1に対する、第1のOB領域61のゲート幅（チャネル幅）W2とゲート長（チャネル長）L2の関係を、第1の実施形態と同様にして実施することで、ノイズ低減効果があることは明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

缓冲器 48的栅极和 ASIC34通过掩蔽线(mask line)58相连接。

バッファ48のゲートとASIC34とは、マスク線58を介して接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 7是图 5的栅极驱动器的信号波形的图表；

【図7】図5のゲート駆動部の信号波形を示すグラフである。 - 中国語 特許翻訳例文集

扫描驱动器 450与显示面板 300的栅极线连接，并对栅极线施加由导通电压 Von和截止电压 Voff组成的栅极电压。

走査駆動部400は、液晶表示パネル300のゲート線に接続され、ゲートオン電圧Vonとゲートオフ電圧Voffとの組み合わせからなるゲート電圧をゲート線に印加する。 - 中国語 特許翻訳例文集

当栅极驱动器 500安装在显示面板组件 300上时，可通过数据金属层、栅极金属层或电容二极管来连接多条栅极导线。

ゲート駆動部500が表示板組立体300に実装される場合、複数のゲート線はデータ金属層を介して接続されてもよく、ゲート金属層を介して接続されてもよく、静電ダイオードを介して接続されてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

公共的控制端 47与 NMOS晶体管 52的栅极端子直接连接，经由反相器 53与 PMOS晶体管 50的栅极端子连接，连还接到 PMOS晶体管 54、55的各栅极端子。

共通の制御端47は、NMOSトランジスタ52のゲート端子に直接接続され、インバータ53を介してPMOSトランジスタ50のゲート端子に接続され、また、PMOSトランジスタ54，55の各ゲート端子に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

控制端 47与 NMOS晶体管 52的栅极端子直接连接，经由反相器 53与 PMOS晶体管 50的栅极端子连接，还与 PMOS晶体管 54、55的各栅极端子连接。

制御端47は、NMOSトランジスタ52のゲート端子に直接接続され、インバータ53を介してPMOSトランジスタ50のゲート端子に接続され、また、PMOSトランジスタ54，55の各ゲート端子に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，在通过栅极线发送从不同的级 SR1至 SRn输出的栅极电压时，将数据电压施加到像素，以显示图像，然而，伪级 SRn+1没有连接到栅极线，即使伪级 SRn+1连接到栅极线，也将伪级SRn+1连接到不显示图像的伪像素 (未显示 )的栅极线，从而伪级 SRn+1不用于显示图像。

例えば、他のステージ（SR1〜SRn）から出力されたゲート電圧は、ゲート線を介して伝達され、画素にデータ電圧が印加されて画像を表示するが、ダミーステージSRn＋1はゲート線に接続されないか、或いはゲート線に接続されたとしても画像を表示しないダミー画素（図示せず）のゲート線に接続されて画像を表示するのに使用されない。 - 中国語 特許翻訳例文集

而且，该情况下，由于电压缓和晶体管 102的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 102的端子间电压 (栅极—漏极间电压、栅极—源极间电压以及源极—漏极间电压 )比“VTT”低。

また、この場合、電圧緩和トランジスタ102のドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”であるので、電圧緩和トランジスタ102の端子間電圧（ゲート−ドレイン間電圧，ゲート−ソース間電圧，およびソース−ドレイン間電圧）を“VTT”よりも低くすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

显然，可以通过在以与第一实施例中的方式相同的方式设置有效像素区域 60的栅极宽度 (沟道宽度 )W1和栅极长度 (沟道长度 )L1与第一 OB区域 61和第二 OB区域 62各自的栅极宽度 (沟道宽度 )W3和栅极长度 (沟道长度 )L3之间的关系时执行操作，来获得噪声降低效果。

有効画素領域60のゲート幅（チャネル幅）W1とゲート長（チャネル長）L1に対する、第1のOB領域61および第2のOB領域62それぞれのゲート幅（チャネル幅）W3とゲート長（チャネル長）L3の関係を、第1の実施形態と同様にして実施することで、ノイズ低減効果があることは明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

同样，可以通过在以与第一实施例中的方式相同的方式设置有效像素区域 60的栅极宽度 (沟道宽度 )W1和栅极长度 (沟道长度 )L1与第二 OB区域 62的栅极宽度 (沟道宽度 )W3和栅极长度 (沟道长度 )L3之间的关系时执行操作，来获得噪声降低效果。

同じく、有効画素領域60のゲート幅（チャネル幅）W1とゲート長（チャネル長）L1に対する、第2のOB領域62それぞれのゲート幅（チャネル幅）W3とゲート長（チャネル長）L3の関係を、第1の実施形態と同様にして実施することで、ノイズ低減効果があることは明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

同样，显然，可以通过在以与第一实施例中的方式相同的方式设置有效像素区域 60的栅极宽度(沟道宽度 )W1和栅极长度 (沟道长度 )L1与第二 OB区域 62的栅极宽度 (沟道宽度 )W4和栅极长度 (沟道长度 )L4之间的关系时执行操作，来获得噪声降低效果。

同じく、有効画素領域60のゲート幅（チャネル幅）W1とゲート長（チャネル長）L1に対する、第2のOB領域62それぞれのゲート幅（チャネル幅）W4とゲート長（チャネル長）L4の関係を、第1の実施形態と同様にして実施することで、ノイズ低減効果があることは明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，只要可以增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，就可以根据驱动晶体管 Td1的布局，颠倒栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L增大的方向 (水平方向和垂直方向 )的组合。

さらに、本実施形態においては、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくするためであれば、駆動トランジスタTd1のレイアウトによっては、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方向（水平方向あるいは垂直方向）の組み合わせが逆になってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏光修正用像素 24的溢出栅极电极 (OFG)被设计成常开的。

漏れ込み光補正用画素24のオーバーフローゲート（OFG）は常にオン状態となるように設計される。 - 中国語 特許翻訳例文集

各个复位晶体管 113C的栅极电极连接到公共复位线 118C。

各リセットトランジスタ113Cのゲート電極が共通のリセット線118Cに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 10中分别以标记 G、S及 D来说明MOSFET的栅极、源极及漏极。

MOSFETのゲート、ソースおよびドレインは、図10にそれぞれラベルG，SおよびDで示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二电路块 180_2的输出 (nMOS184与 pMOS185之间的连接点 )连接到 nMOS186和 pMOS187的栅极。

第2回路ブロック180_2の出力（nMOS184とpMOS185の接続点）がnMOS186およびpMOS187のゲートに共通に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，辅助晶体管 105的栅极—漏极间电压成为比“VTT”低的“VTT-Vth”。

例えば、補助トランジスタ105のゲート−ドレイン間電圧は“VTT”よりも低い“VTT−Vth”になる。 - 中国語 特許翻訳例文集

所有复位晶体管 200的栅极在每一像素 210行内连接在一起。

全てのリセットトランジスタ200のゲートは、画素210の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

所有复位晶体管 300的栅极在每一像素 310行内连接在一起。

全てのリセットトランジスタ300のゲートは、画素310の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

所有复位晶体管 100的栅极在每一像素110行内连接在一起。

全てのリセットトランジスタ100のゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

所有复位晶体管 101的栅极在每一像素 110行内连接在一起。

全てのリセットトランジスタ101のゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在绝缘膜 15上方、各个栅极 2上形成岛状的半导体有源层 8。

絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在绝缘膜 15上方的各栅极 2上形成岛形的半导体有源层 8。

絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5是根据本发明示例性实施例的栅极驱动器的框图；

【図5】本発明の一実施形態によるゲート駆動部を概略的に示すブロック図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

显示面板组件 300可包括多个像素、多个栅极线 G1-Gn和多个数据线 D1-Dm。

表示板組立体300は、複数の画素と、ゲート線G1〜Gn及びデータ線D1〜Dmを備える。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 27、28的栅极宽度 W分别都为 4μm。

直列接続される2つのNMOSトランジスタ27，28のゲート幅Wは、それぞれ同じ4μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

所串联连接的 2个NMOS晶体管 33、34的栅极宽度 W都为 3μm。

直列接続される2つのNMOSトランジスタ33，34のゲート幅Wは、それぞれ同じ3μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

所串联连接的 2个 NMOS晶体管 35、36的栅极宽度 W都为 5μm。

直列接続される2つのNMOSトランジスタ35，36のゲート幅Wは、それぞれ同じ5μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 40、41的栅极宽度 W都为 7μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ40，41のゲート幅Wは、それぞれ同じ7μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管30、31的栅极宽度 W分别都为 1μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ30，31のゲート幅Wは、それぞれ同じ1μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

转移栅极 144的栅电极 144A(图 3)连接至转移线 154。

転送ゲート144のゲート電極144A（図3）は転送配線154に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分输入信号的一个信号 IN1进入 P沟道 MOS晶体管 21的栅极。

PチャネルMOSトランジスタ21のゲートには、差動入力信号の一方の信号IN1が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分输入信号的另一个信号 IN2进入 P沟道 MOS晶体管 22的栅极。

PチャネルMOSトランジスタ22のゲートには、差動入力信号の他方の信号IN2が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集