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「栅极」を含む例文一覧

該当件数 : 229



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在第二遮光像素 920中,为了增大栅极宽度 (沟道宽度 )W3和栅极长度 (沟道长度 )L3,缩小光电转换元件 D1的面积。

第2の遮光画素920においては、ゲート幅(チャネル幅)W3とゲート長(チャネル長)L3を大きくとるために、光電変換素子D1の面積を削減している。 - 中国語 特許翻訳例文集

为了增大栅极宽度 (沟道宽度 )W3,缩小光电转换元件 D1在垂直方向上的面积。 为了增大栅极长度 (沟道长度 )L3,缩小光电转换元件 D1在水平方向上的面积。

ゲート幅(チャネル幅)W3を広くするために、光電変換素子D1の垂直方向の面積を削減し、ゲート長(チャネル長)L3を長くするために、光電変換素子D1の水平方向の面積を削減している。 - 中国語 特許翻訳例文集

在这种情况下,可以仅增大栅极宽度 (沟道宽度 )W3,而将栅极长度 (沟道长度 )L3设置为与感光像素 110的 L1相等。 即使在该配置中,也可以获得一些噪声降低效果。

この時、ゲート幅(チャネル幅)W3だけ広くして、ゲート長(チャネル長)L3を感光画素110のL1と同じにしてもよく、それでもノイズ低減効果はある。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外,可以仅增大栅极长度 (沟道长度 )L3,而将栅极宽度 (沟道宽度 )W3设置为与感光像素 110的 W1相等。 即使在该配置中,也可以获得一些噪声降低效果。

また、ゲート長(チャネル長)L3だけ長くして、ゲート幅(チャネル幅)W3を感光画素110のW1と同じにしてもよく、それでもノイズ低減効果はある。 - 中国語 特許翻訳例文集

与第一遮光像素 910相比较,这允许增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L,因此可以满足本实施例中的情况 (1)的条件。

これにより、第1の遮光画素910に比べて、ゲート幅(チャネル幅)Wおよびゲート長(チャネル長)Lを大きくする余裕が生じるので、本実施形態の(1)の条件を満たすことができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

与第一遮光像素 910相比较,这允许增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L,因此可以满足本实施例中的“(1)”的条件。

これにより、第1の遮光画素910に比べて、ゲート幅(チャネル幅)Wおよびゲート長(チャネル長)Lを大きくする余裕が生じるので、本実施形態の(1)の条件を満たすことができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二复位晶体管Tr16被配置为所谓的溢出沟道机构(overflow drain mechanism),其具有用作溢出栅极的复位栅极以及用作溢出漏极的漏极。

この第2リセットトランジスタTr16は、そのリセットゲートをオーバーフローゲートとし、そのドレインをオーバーフロードレインとした、いわゆるオーバーフロードレイン機構として構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

溢出栅极电极 (OFG)43相当于第二复位栅极电极,而溢出漏极区域 38相当于复位漏极区域。

オーバーフローゲート電極(OFG)43は、第2リセットゲート電極に相当し、オーバーフローどれ印領域38は、リセットドレイン領域に相当する。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一电路块 180_1和第二电路块 180_2交叉耦合,其中第一电路块 180_1的 nMOS182的漏极连接到第二电路块 180_2的 pMOS185的栅极,并且第二电路块 180_2的 nMOS184的漏极连接到第一电路块 180_1的 pMOS183的栅极。

第1回路ブロック180_1のnMOS182のドレインを第2回路ブロック180_2のpMOS185のゲートへ接続し、第2回路ブロック180_2のnMOS184のドレインを第1回路ブロック180_1のpMOS183のゲートへ接続した襷掛け接続構造を採っている。 - 中国語 特許翻訳例文集

显示面板控制信号 CDIS包括用于控制数据驱动电路的操作时序的数据控制信号,和用于控制栅极驱动电路的操作时序的栅极控制信号。

表示パネル制御信号CDISは、データ駆動回路の動作タイミングを制御するためのデータ制御信号と、ゲート駆動回路の動作タイミングを制御するためのゲート制御信号を含む。 - 中国語 特許翻訳例文集


NMOS晶体管 NT311的栅极构成第一信号输入端子,而 NMOS晶体管 NT312的栅极构成第二信号输入端子。

そして、NMOSトランジスタNT311のゲートにより第1の信号入力端子が形成され、NMOSトランジスタNT312のゲートにより第2の信号入力端子が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

也就是说,在连接时段期间,负载晶体管栅极线 612示出与现有技术的负载晶体管栅极线 872的波形相似的波形。

すなわち、負荷トランジスタゲート線612に示される波形は、接続期間において従来負荷トランジスタゲート線872と同様の波形を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在该示例中,示出了在一行读出时段期间垂直信号线 (VSL1)501、第二负载晶体管栅极线622、第二负载晶体管624的源极端子、以及负载晶体管栅极线612的电势中的改变。

この例では、1行読み出し期間における垂直信号線(VSL1)501、第2負荷トランジスタゲート線622、第2負荷トランジスタ624のソース端子および負荷トランジスタゲート線612における電位変動が示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外,像素 12b的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PTX(n+1)连接。 像素 12b′的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号PTX(n+3)连接。

また、画素12bの転送スイッチ2のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX(n+1)に接続され、画素12b’の転送スイッチ2のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX(n+3)に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号传送单元 13a的复位开关 3的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号PRES(n)连接,并且行选择开关 6的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PSEL(n)连接。

信号転送部13aのリセットスイッチ3のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PRES(n)に接続され、行選択スイッチ6のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PSEL(n)に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号传送单元 13b的复位开关 3的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PRES(n+2)连接,并且行选择开关 6的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PSEL(n+2)连接。

また、信号転送部13bのリセットスイッチ3のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PRES(n+2)に接続され、行選択スイッチ6のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PSEL(n+2)に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外,像素 12f的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PTX(n+1)连接。 像素 12f′的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号PTX(n+3)连接。

また、画素12fの転送スイッチ2のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX(n+1)に接続され、画素12f’の転送スイッチ2のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX(n+3)に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号传送单元 13e的复位开关 3的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号PRES(n)连接,并且行选择开关 6的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PSEL(n)连接。

信号転送部13eのリセットスイッチ3のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PRES(n)に接続され、行選択スイッチ6のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PSEL(n)に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号传送单元 13f的复位开关 3的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PRES(n+2)连接,并且行选择开关 6的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PSEL(n+2)连接。

また、信号転送部13fのリセットスイッチ3のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PRES(n+2)に接続され、行選択スイッチ6のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PSEL(n+2)に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外,像素 12b的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PTX(m+1)连接。 像素 12b′的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号PTX(m+3)连接。

また、画素12bの転送スイッチ2のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX(m+1)に接続され、画素12b’の転送スイッチ2のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX(m+3)に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号传送单元 13a的复位开关 3的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号PRES(m)连接,并且行选择开关 6的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PSEL(m)连接。

信号転送部13aのリセットスイッチ3のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PRES(m)に接続され、行選択スイッチ6のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PSEL(m)に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号传送单元 13b的复位开关 3的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PRES(m+2)连接,并且行选择开关 6的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PSEL(m+2)连接。

また、信号転送部13bのリセットスイッチ3のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PRES(m+2)に接続され、行選択スイッチ6のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PSEL(m+2)に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外,像素 12h的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PTX(m+1)连接。 像素 12h′的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号PTX(m+3)连接。

また、画素12hの転送スイッチ2のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX(m+1)に接続され、画素12h’の転送スイッチ2のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX(m+3)に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号传送单元 13g的复位开关 3的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号PRES(m)连接,并且行选择开关 6的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PSEL(m)连接。

信号転送部13gのリセットスイッチ3のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PRES(m)に接続され、行選択スイッチ6のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PSEL(m)に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号传送单元 13h的复位开关 3的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PRES(m+2)连接,并且行选择开关 6的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PSEL(m+2)连接。

また、信号転送部13hのリセットスイッチ3のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PRES(m+2)に接続され、行選択スイッチ6のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PSEL(m+2)に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如,参照图 11,栅极导通电压被施加到从上到下水平布置的多条栅极线,白图像被输入到屏幕的下部。

例えば、図11を参照すると、水平に配列された複数のゲート線に上から下へ向かってゲートオン電圧が印加される場合、画面の下部にのみホワイトイメージを入力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

栅极控制信号 CONT1包括用于命令开始扫描的扫描开始信号 STV和用于控制栅极导通电压 Von的输出周期的至少一个时钟信号。

ゲート制御信号CONT1は、走査開始を指令するスキャン開始信号と、ゲートオン電圧Vonの出力周期を制御する少なくとも一つのクロック信号と、を含む。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外,第一开关元件 TR1和第二开关元件 TR2可连接到多条栅极线 G1至 Gn+1的一部分,可不连接其他的栅极线。

加えて、第1のスイッチング素子TR1及び第2のスイッチング素子TR2は複数のゲート線G1〜Gn+1のうちの一部にのみ接続され、残りのゲート線には接続されていなくてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

参考图 6,没有示出除了光电转换元件 D1、FD电容器 C1、各个晶体管的栅极、源极和漏极、以及内部连线以外的组件。

図6においては、光電変換素子D1、FD容量C1、各トランジスタのゲート、ソース、ドレインおよび配線以外は省略している。 - 中国語 特許翻訳例文集

然而,只要缩减光电转换元件 D1在垂直方向上的面积以增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L,就可以根据驱动晶体管 Td1的布局,颠倒光电转换元件 D1的面积水平地或垂直地缩减的方向、以及栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L增大的方向 (水平方向或垂直方向 )的组合。

しかしながら、光電変換素子D1の垂直方向の面積を削減し、ゲート幅(チャネル幅)Wおよびゲート長(チャネル長)Lを大きくするためであれば、駆動トランジスタTd1のレイアウトによっては、光電変換素子D1の面積を水平および垂直に削減する方向と、ゲート幅(チャネル幅)Wおよびゲート長(チャネル長)Lを大きくする方向(水平方向あるいは垂直方向)の組み合わせが逆になってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

像素哑选择晶体管118的栅极连接至将由垂直扫描部件120供给的选择脉冲DSEL的供给线。

画素ダミー選択トランジスタ118のゲートが垂直走査部120により供給される選択パルスDSELの供給ラインに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

读栅极电极 42也利用贯穿遮光膜 46的接触通道 52与所需布线 49连接。

読み出し電極42も、遮光膜46を貫通するコンタクトビア52を介して所要の配線49に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管未图示,但溢出栅极电极 43也利用贯穿遮光膜 46的接触通道 52与所需布线 49连接。

図示しないが、オーバーフローゲート電極43も、遮光膜46を貫通するコンタクトビア52を介して所要の配線49に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外,在此情况下,应该通过基板或另一布线 49来使传输栅极电极 41按照期望接地。

さらに、この場合転送ゲート電極41は、基板あるいは他の配線49により接地されているのが望ましい。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二装置 220的第一输入 221耦合到第一切换元件的控制端子,例如 p沟道 FET 224的栅极。

第2のデバイス220の第1の入力221は、pチャネルFET224のゲートのような第1のスイッチング要素の制御端子に連結される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二装置 220的第二输入 222耦合到第二切换元件的控制端子,例如 n沟道FET225的栅极。

第2のデバイス220の第2の入力222は、nチャネルFET225のゲートのような第2のスイッチング要素の制御端子に連結される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第三装置 230的第一输入 231耦合到第一切换元件的控制端子,例如 p沟道 FET 234的栅极。

第3のデバイス230の第1の入力231は、pチャネルFET234のゲートのような第1のスイッチング要素の制御端子に連結される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第三装置 230的第二输入 232耦合到第二切换元件的控制端子,例如 n沟道FET235的栅极。

第3のデバイスの第2の入力は、nチャネルFET235のゲートのような第2のスイッチング要素の制御端子に連結される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 3示出了中间保持电容器 31以及用于根据栅极信号 进行写入的第一写入开关 32。 中间保持单元 2具有:

図3において、31は中間保持容量、32はゲート信号φCMに応じて書き込みを行う第1の書き込みスイッチである。 - 中国語 特許翻訳例文集

此示意图为单位单元 204,其具有由同一控制导线 TG2控制的两个传送栅极 208及210。

この概略図は、同一の制御線TG2によって制御されている2つの転送ゲート208及び210を有する単位セル204である。 - 中国語 特許翻訳例文集

四个传送栅极 207到 210对称地布置在浮动扩散部 203周围。

4つの転送ゲート207乃至210は、フローティング・ディフュージョン203に関して対称的に配置されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

此示意图为单位单元 304,其具有由同一控制导线 TG3控制的两个传送栅极 309及 310。

この概略図は、同一の制御線TG3により制御される2つの転送ゲート309及び310を有する単位セル304である。 - 中国語 特許翻訳例文集

四个传送栅极 307到 310对称地布置在浮动扩散部 303周围。

4つの転送ゲート307乃至310は、フローティング・ディフュージョン303に関して対称的に配置されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOS晶体管NT311的栅极连接至电容器C311的第一电极,避过且连接点构成节点ND313。

NMOSトランジスタNT311のゲートがキャパシタC311の第1電極に接続され、その接続点によりノードND313が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOS晶体管 NT312的栅极连接至电容器 C312的第一电极,并且连接点构成节点ND314。

NMOSトランジスタNT312のゲートがキャパシタC312の第1電極に接続され、その接続点によりノードND314が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

保持电容器 613维持负载晶体管 614的栅极电压恒定,以便维持负载电流恒定。

保持容量613は、負荷電流を一定に維持するために、負荷トランジスタ614のゲート電圧を一定に保持するためのキャパシタである。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外,参考晶体管 690使其源极端子接地,并且使其栅极端子和漏极端子连接到参考电流线 610。

また、基準トランジスタ690は、そのソース端子が接地され、かつ、そのゲート端子およびドレイン端子が基準電流線601に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

应注意,寄生电容器 629形成在第二负载晶体管栅极线 622与第二负载晶体管 624的漏极端子之间。

なお、寄生容量629は、第2負荷トランジスタゲート線622と第2負荷トランジスタ624のドレイン端子との間に形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

电压 VM比向栅极供给以关断 PMOS晶体管的电压的绝对值小。

ここで、VMはPMOSトランジスタのオフのためにゲートに供給される電圧の絶対値よりも小さい電圧である。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号从第一共用输出线2被输入到第一输入晶体管 201的栅极。

第1の入力トランジスタ201のゲートに第1の共通出力線2からの信号が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

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