「栅极」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

另外，以下，将转移脉冲 TRC2施加至栅电极 173A的状态称作转移脉冲 TRC2导通的状态或第二 CCD栅极 173导通的状态。

なお、以下、ゲート電極173Aに転送パルスTRC2が印加された状態を、転送パルスTRC2がオンされた状態、あるいは、第2CCDゲート173がオンされた状態とも称する。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，以下，将转移脉冲 TRC2未施加至栅电极 173A的状态称作转移脉冲 TRC2断开的状态或第二 CCD栅极 173断开的状态。

また、以下、ゲート電極173Aに転送パルスTRC2が印加されていない状態を、転送パルスTRC2がオフされた状態、あるいは、第2CCDゲート173がオフされた状態とも称する。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，以下，将转移脉冲 TRG施加至栅电极 144A的状态称作转移脉冲 TRG导通的状态或转移栅极 144导通的状态。

なお、以下、ゲート電極144Aに転送パルスTRGが印加された状態を、転送パルスTRGがオンされた状態、あるいは、転送ゲート144がオンされた状態とも称する。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，以下，将转移脉冲 TRG未施加至栅电极 144A的状态称作转移脉冲 TRG断开的状态或转移栅极 144断开的状态。

また、以下、ゲート電極144Aに転送パルスTRGが印加されていない状態を、転送パルスTRGがオフされた状態、あるいは、転送ゲート144がオフされた状態とも称する。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地，在自从在时间 t2信号电荷 S1开始在光电二极管 141中累积之后过去预定曝光时间 T1的时间 t8，转移脉冲 TRC1被施加至栅电极 171A，第一 CCD栅极 171导通。

具体的には、時刻t2においてフォトダイオード141への信号電荷S1の蓄積が開始されてから所定の露光時間T1が経過した時刻t8において、ゲート電極171Aに転送パルスTRC1が印加され、第1CDDゲート171がオンする。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地，自从在时间 t9信号电荷 S2开始在光电二极管 141中累积之后过去预定曝光时间 T2的时间 t13，转移脉冲 TRC1被施加至栅电极 171A，第一 CCD栅极 171导通。

具体的には、時刻t9においてフォトダイオード141への信号電荷S2の蓄積が開始されてから所定の露光時間T2が経過した時刻t13において、ゲート電極171Aに転送パルスTRC1が印加され、第1CDDゲート171がオンする。 - 中国語 特許翻訳例文集

在读取动作中，首先对单位像素 3的复位晶体管 RSTTr的栅极赋予复位脉冲(RST)，向垂直信号线 L输出复位信号。

読み出し動作は、まず、単位画素3のリセットトランジスタRSTTrのゲートにリセットパルス（RST）を与え、リセット信号を垂直信号線VSLに出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

虽然开关部件 31、32、36和 37中的开关是作为 N-沟道开关来描述的，但是在其他的示例中，这些开关也可以是诸如 P-沟道开关或转移栅极之类的其他类型的开关。

スイッチブロック31、32、36、及び37は上記ではNチャネルスイッチとして述べられたが、これらのスイッチは、他の例では、Pチャネルスイッチまたはトランスファーゲートのような他のタイプのスイッチであっても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 1A、图 1B和图 1C为第 1实施方式的固体摄像装置中的传感器的剖视图，图 1A为概要地表示取出第 1实施方式的传感器的摄像区域中的一部分的、元件形成区域和栅极的布局图像的图，图 1B为概要地表示取出同一传感器的摄像区域中的一部分的、滤色器和微透镜的布局图像的图，图 1C为概要地表示取出同一传感器的摄像区域中的一部分的、元件形成区域和栅极的布局图像以及滤色器和微透镜的布局图像的图；

【図1】（a）は第1の実施形態のセンサの撮像領域における一部分を取り出して素子形成領域およびゲートのレイアウトイメージを概略的に示す図、（b）は同センサの撮像領域の一部を取り出して色フィルタ及びマイクロレンズのレイアウトイメージを概略的に示す図、（c）は同センサの撮像領域における一部分を取り出して素子形成領域およびゲートのレイアウトイメージ並びに色フィルタ及びマイクロレンズのレイアウトイメージを概略的に示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 3A、图 3B和图 3C为第 2实施方式的固体摄像装置中的传感器的剖视图，图 3A为概要地表示取出第 2实施方式的传感器的摄像区域中的一部分的、元件形成区域和栅极的布局图像的图，图 3B为概要地表示取出同一传感器的摄像区域中的一部分的、滤色器和微透镜的布局图像的图，图 3C为概要地表示取出同一传感器的摄像区域中的一部分的、元件形成区域和栅极的布局图像以及滤色器和微透镜的布局图像的图；

【図3】（a）は第2の実施形態のセンサの撮像領域における一部分を取り出して素子形成領域およびゲートのレイアウトイメージを概略的に示す図、（b）は同センサの撮像領域の一部を取り出して色フィルタ及びマイクロレンズのレイアウトイメージを概略的に示す図、（c）は同センサの撮像領域における一部分を取り出して素子形成領域およびゲートのレイアウトイメージ並びに色フィルタ及びマイクロレンズのレイアウトイメージを概略的に示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集

18.如权利要求 9所述的三维图像显示装置，其中，栅极驱动器包括连接到栅极线的一端的多级，其中，每一级包括第一输入端、第二输入端、输出端和传输信号输出端，所述多级中的至少一级的第一输入端连接到所述多级中的另一极的传输信号输出端，所述多级中的至少一级的输出端连接到所述另一极的第二输入端。

18. 前記ゲート駆動部は前記ゲート線の一端に接続される複数のステージを備え、前記ステージは、第1の入力端子、第2の入力端子、出力端子、及び伝達信号出力端子を備え、前記複数のステージのうちの少なくともいずれか一つの第1の入力端子は他のステージの伝達信号出力端子に接続され、出力端子は他のステージの第2の入力端子に接続されることを特徴とする請求項9に記載の立体映像表示装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

在配置于电源侧的 PMOS晶体管 60、61和 PMOS晶体管 66、67中，在源极端子连接到电源 64的 PMOS晶体管 60、66中 PMOS晶体管 60的栅极端子被直接输入第 n+1列的寄存器数据 Dn+1，PMOS晶体管 66的栅极端子经由 NAND电路 70被输入对第 n+1列寄存器数据Dn+1进行逻辑反转后的数据 (/Dn+1)和对第 n列寄存器数据 Dn进行逻辑反转后的数据 (/Dn)。

電源側に直列配置されるPMOSトランジスタ60，61およびPMOSトランジスタ66，67において、電源64にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ60，66のうち、PMOSトランジスタ60のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1が直接入力され、PMOSトランジスタ66のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1を論理反転したデータ（／Dn＋1）とn列目のレジスタデータDnを論理反転したデータ（／Dn）とがNAND回路70を介して入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

公共输出线 8，其用于根据扫描线 7的扫描信号输出来自保持单元 5中的每一个保持单元的信号； 复位单元 9，其用于根据栅极信号 将公共输出线 8复位到电压 VCHR；

8は各保持手段5からの信号を走査信号7に応じて出力する共通出力線、9はゲート信号φCHRに応じて共通出力線8を電圧VCHRにリセットするリセット手段、10は共通出力線8からの信号を増幅し出力する出力回路である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5示出了保持电容器 51、用于根据栅极信号 进行写入的第二写入开关 52、以及用于根据来自扫描电路 6的扫描信号7 将来自保持电容器 51的信号传送到公共输出线 8的传送开关 53。

図5において、51は保持容量、52はゲート信号φCTに応じて書き込みを行う第2の書き込みスイッチ、53は走査回路6からの走査信号7（φSR）に応じて共通出力線8へ保持容量51の信号を転送する転送スイッチである。 - 中国語 特許翻訳例文集

放大晶体管 42使其栅极连接到浮动扩散 38，使其漏极连接到电源 Vdd，且使其源极经由垂直选择晶体管 40连接到像素线 51，并进一步连接到垂直信号线 19。

増幅用トランジスタ42は、ゲートがフローティングディフュージョン38に接続され、ドレインが電源Vddに、ソースは垂直選択用トランジスタ40を介して画素線51に接続され、さらに垂直信号線19に接続されるようになっている。 - 中国語 特許翻訳例文集

帧计数器 22对信号进行计数，例如对具有在 1个垂直周期 (或 1个帧周期 )期间产生一次的脉冲的垂直同步信号 Vsync或栅极启动脉冲 GSP进行计数，以产生帧计数信号Cnt_FR。

フレームカウンター22は、垂直同期信号VsyncまたはゲートスタートパルスGSPのように1垂直期間(または1フレーム期間)に1回パルスが発生される信号をカウントしてフレームカウント信号Cnt＿FRを発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生电容器 629包括在第二负载晶体管 624的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和第二参考电流线 602之间形成的布线间电容器。

寄生容量629は、第2負荷トランジスタ624のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と第2基準電流線602との間に形成される配線間容量からなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

参照图 9，显示装置 50包括显示面板 100、背光单元 200、数据驱动器 400、栅极驱动器500、图像信号处理器610、立体控制器620、帧转换控制器630、帧存储器640、亮度控制器 210和灰度电压产生器 800。

図9を参照すると、表示装置（display device）50は、表示パネル（display panel）100と、バックライトユニット200と、データ駆動部400と、ゲート駆動部500と、イメージ信号処理部（image signal processor）610と、ステレオ制御部（stereo controller）620と、フレーム変換制御部（frame conversion controller）630と、フレームメモリ（frame memory）640と、輝度制御部（luminance controller）210と、階調電圧生成部800などを備える。 - 中国語 特許翻訳例文集

SR1至SRn+1中的每一级均包括两个输入端 IN1和 IN2、两个时钟端 CK1和 CK2、接收与栅极截止电压相应的低电压 Vss的电压输入端 Vin、重置端 RE、输出端 OUT以及传输信号输出端 CRout。

各ステージSR1〜SRn＋1は、2つの入力端子IN1、IN2と、2つのクロック入力端子CK1、CK2と、ゲートオフ電圧に相当する低電圧（Vss）が印加される電圧入力端子Vinと、リセット端子REと、出力端子OUT及び伝達信号出力端子CRoutを備える。 - 中国語 特許翻訳例文集

第六晶体管 Tr6的控制端通过重置端 RE接收伪级的传输信号 CR，通过第二输入端 IN2向第九晶体管 Tr9的控制端输入下一级的栅极电压。

第6のトランジスターTr6の制御端子にはリセット端子REを介してダミーステージの伝達信号CRが印加され、第9のトランジスターTr9の制御端子には第2の入力端子IN2を介して次段のステージのゲート電圧が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第三晶体管 Tr3的控制端连接到上拉驱动器 511的第七晶体管 Tr7的输出端，通过第二输入端 IN2向第二晶体管 Tr2的控制端输入下一级的栅极电压。

第3のトランジスターTr3の制御端子はプルアップ駆動部511の第7のトランジスターTr7の出力端子に接続され、第2のトランジスターTr2の制御端子には第2の入力端子IN2を介して次段のステージのゲート電圧が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一实施例的特征在于，当像素 20的选择晶体管 25被关断时，其栅极电压被设为一电压也就是负电压，该电压距关断侧比距其中形成了选择晶体管 25的阱的电压更近。

第1実施例では、画素20内の選択トランジスタ25をオフときに、そのゲート電圧を当該選択トランジスタ25が形成されているウェルの電圧よりもオフ側、本例では負電圧に設定することを特徴としている。 - 中国語 特許翻訳例文集

M个开关晶体管 12的各漏极端子并联地连接在偏压生成电路 5的输出端子上，各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电压控制线 13上。

M個のスイッチトランジスタ12の各ドレイン端子はバイアス電圧生成回路5の出力端子に並列に接続され、各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電圧制御線13に並列に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

也就是说，数据传输电路 18b对于列方向的相邻每 2位 (Dn+1，Dn)的 4种组合 (0，0)、(0，1)、(1，0)、(1，1)，能通过与数据传输电路18a完全相同的栅极宽度W驱动数据线10，因此能引起图 7(4)所示的特性 a、b、c、d的电位变化。

つまり、データ転送回路18bは、列方向の隣り合う2ビット（Dn＋1，Dn）毎の4通りの組み合わせ（0，0）（0，1）（1，0）（1，1）について、データ転送回路18aと完全に同じゲート幅Wでもってデータ線10を駆動できるので、図7（4）に示す特性a，b，c，dの電位変化を起こさせる。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 9A和图 9B为第 2实施方式的固体摄像装置中的传感器的剖视图，图 9A为概要地表示取出图 5的 CMOS图像传感器的摄像区域中的一部分的、元件形成区域和栅极的布局图像的图，图 9B为概要地表示取出图 5的 CMOS图像传感器中的摄像区域的一部分的、滤色器和微透镜的布局图像的图。

【図9】（a）は図5のCMOSイメージセンサの撮像領域における一部分を取り出して素子形成領域およびゲートのレイアウトイメージを概略的に示す図、（b）は図5のCMOSイメージセンサにおける撮像領域の一部を取り出して色フィルタ及びマイクロレンズのレイアウトイメージを概略的に示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集

当检测到放射线的照射时，控制部 106在经过特定累积持续时间之后控制扫描信号控制电路104，并且使得从扫描信号控制电路104每次一条线顺序地向各条扫描线101输出导通信号。 从而，控制部 106通过扫描线 101将导通信号顺序地施加给 TFT开关 4的栅极 2。

制御部106は、放射線の照射を検出すると、所定の蓄積期間経過後に、スキャン信号制御回路104を制御してスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させ、TFTスイッチ4のゲート電極2に走査配線101を介して順次ON信号を印加する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在经过特定累积持续时间之后，控制部 106控制扫描信号控制电路 104，使得从扫描信号控制电路 104每次一条线顺序地向各条扫描线 101输出导通信号。 结果，控制部 106通过扫描线 101顺序地向 TFT开关 4的栅极 2施加导通信号。

制御部106は、放射線の照射を検出すると、リセット動作を停止して放射線検出素子10の各画素20Aに電荷を蓄積させ、所定の蓄積期間経過後に、スキャン信号制御回路104を制御してスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させ、TFTスイッチ4のゲート電極2に走査配線101を介して順次ON信号を印加する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在已经经过特定累积持续时间之后，控制部 106控制扫描信号控制电路104，使得从扫描信号控制电路104每次一条线顺序地向各条扫描线101输出导通信号。 结果，控制部 106通过扫描线 101顺序地向 TFT开关 4的栅极 2施加导通信号。

制御部106は、放射線の照射を検出すると、リセット動作を停止して放射線検出素子10の各画素20Aに電荷を蓄積させ、所定の蓄積期間経過後に、スキャン信号制御回路104を制御してスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させ、TFTスイッチ4のゲート電極2に走査配線101を介して順次ON信号を印加する。 - 中国語 特許翻訳例文集

当控制部 106检测到完成了放射线的照射时，在从做出了该检测的点待机达到特定完成状态待机持续时间之后，控制部 106控制扫描信号控制电路 104并且使导通信号从扫描信号控制电路 104每次一条线顺序地向各条扫描线 101输出。 然后，控制部 106通过扫描线 101向 TFT开关 4的栅极 2顺序地施加导通信号，并且读出与放射线图像成像装置10的各个像素 20A中累积的电荷量相对应的电信号。

制御部106は、放射線の照射終了を検出すると、検出した時点を起点に所定の終了待機期間だけ待機した後に、スキャン信号制御回路104を制御してスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させ、TFTスイッチ4のゲート電極2に走査配線101を介して順次ON信号を印加して放射線検出素子10の各画素20Aに蓄積された電荷を電気信号として読み出し、読み出した電気信号から放射線が示す画像を生成する。 - 中国語 特許翻訳例文集