「栅极」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

另外，驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 78、79中漏极端子与基准电压线Vref3连接的 NMOS晶体管 78的栅极端子被输入列选择信号，处于 NMOS晶体管 78的源极端子与电路接地端之间的 NMOS晶体管 79的栅极端子与电源 77连接。

また、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ78，79のうち、基準電圧線Vref3にドレイン端子が接続されるNMOSトランジスタ78のゲート端子には、列選択信号が入力され、NMOSトランジスタ78のソース端子とグランドとの間に介在するNMOSトランジスタ79のゲート端子は、電源77に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

返回参考图 2，负荷晶体管 Ts1分别连接至垂直信号线 101、垂直信号线 102和垂直信号线 103，以使得漏极连接至垂直信号线 101～ 103，并且栅极和源极接地。

図2に戻って、垂直信号線101〜103に接続されている負荷トランジスタTs1は、ドレインがそれぞれ垂直信号線101〜103に接続され、ゲートおよびソースが接地されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

假定在本实施例中，除驱动晶体管 Td1和负荷晶体管 Ts1以外的晶体管作为随着连接至栅极的控制线接通和断开而接通和断开的开关作用。

本実施形態において、駆動トランジスタTd1および負荷トランジスタTs1以外のトランジスタは、スイッチとして働き、ゲートに接続されている制御線のオンで導通し、オフで遮断することとする。 - 中国語 特許翻訳例文集

当向第二复位晶体管 Tr16的溢出栅极电极 (OFG)43施加复位脉冲时，像素部 3中的全部像素 22(22R、22G和 22B)进行通过完全排出电荷而实现的全局复位操作。

画素部3内の全ての通常画素22［22R，22G，22B］は、第2リセットトランジスタTr16のゲート電極（OFG）43にリセットパルスを印加することで、完全電荷排出によるグローバルリセット動作が行われる。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一装置 210的第一输入 211耦合到第一切换元件的控制端子，例如 p沟道场效晶体管 (p沟道 FET)214的栅极。

第1のデバイス210の第1の入力211は、pチャネル電界トランジスタ（pチャネルFET）214のゲートのような第1のスイッチング要素の制御端子に連結される。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分放大器 115被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 115的非反相输入端子。 差分放大器 115的输出端子与最大值检测 NMOS晶体管 116的栅极端子连接。

差動アンプ115の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最大値検出用NMOSトランジスタ116のゲート端子と接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分放大器 118被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 118的非反相输入端子。 差分放大器 118的输出端子与最小值检测 PMOS晶体管 119的栅极端子连接。

差動アンプ118の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最小値検出用PMOSトランジスタ119のゲート端子と接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在该中间保持单元 2中，通过高电平栅极信号 将第一写入开关 32驱动到导通状态，从而将来自相应的像素 1的信号写入到中间保持电容器 31中。

中間保持手段2は、ゲート信号φCMがハイレベルとなることで第1の書き込みスイッチ32が導通状態となり、対応する画素1からの信号が中間保持容量31に書き込まれる。 - 中国語 特許翻訳例文集

不同的控制信号和 被施加到相应的选择晶体管 41的栅极，并且根据控制信号，从相应的中间保持单元 2选择信号并经由放大电路 42将该信号输出。

各選択トランジスタ41のゲートには、それぞれ別の制御信号φSW1、φSW2、φSW3が供給され、この制御信号に従って任意の中間保持手段2の信号が選択されて増幅回路42を介し出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

TFT30的栅极与扫描线 3a电气连接，本实施例的液晶装置 100在规定的定时，将脉冲扫描信号 G1、G2、...、Gm按该顺序线性依次施加到扫描线 3a。

TFT30のゲートには、走査線3aが電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置100は、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2、・・・、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

控制信号 (地址信号或选择信号 )SEL经由选择控制线 LSEL供给至选择晶体管115的栅极，来导通选择晶体管 115。

そして、選択制御線LSELを通して制御信号（アドレス信号またはセレクト信号)SELが選択トランジスタ115のゲートに与えられ、選択トランジスタ115がオンする。 - 中国語 特許翻訳例文集

PMOS晶体管PT313和PT314的栅极共同连接至用于在低电平有效的第一控制脉冲信号 CPL的输入端子 TCPL。

そして、PMOSトランジスタPT313およびPT314のゲートがローレベルでアクティブの第1の制御パルス信号CPLの入力端子TCPLに共通に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5是图示根据本发明的第二实施例的负载晶体管栅极线上的耦合影响的示例的概念性图；

【図5】本発明の第2の実施の形態における負荷トランジスタゲート線612に対するカップリングの影響の一例を示す概念図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，复位晶体管 413使其栅极端子连接到像素复位线 321和 322，并且使其漏极端子连接到复位电势线 311和 312。

また、リセットトランジスタ413は、そのゲート端子が画素リセット線321および322に接続され、そのドレイン端子がリセット電位線311および312に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在负载电流提供电路 610中，设置晶体管 611使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到参考电流线 601。

この負荷電流供給回路610において、設定トランジスタ611は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が基準電流線601に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生电容器 619包括在负载晶体管 614的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和参考电流线 601之间形成的布线间电容器。

寄生容量619は、負荷トランジスタ614のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と基準電流線601との間に形成される配線間容量からなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

然而，这样的长期下降有可能被从设置晶体管 611到负载晶体管栅极线 612的沟道漏电流抑制。

しかしながら、このような長期的な電位低下は、設定トランジスタ611から負荷トランジスタゲート線612へのチャンネルリーク電流によって抑制されると考えられる。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，可以不能充分地抑制从垂直信号线 (VSL1)501的信号电平的改变导致的、对与该垂直信号线 (VSL1)501相关联的负载晶体管栅极线 612的耦合影响。

例えば、垂直信号線（VSL1）501における信号レベルの変動によるカップリングの影響は、その垂直信号線（VSL1）501に対応する負荷トランジスタゲート線612に対して充分に抑制できないことがある。 - 中国語 特許翻訳例文集

在第二负载电流提供电路 620中，第二设置晶体管 621使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到第二参考电流线 602。

この第2負荷電流供給回路620において、第2設定トランジスタ621は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が第2基準電流線602に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5是图示根据本发明的第二实施例的负载晶体管栅极线 612上的耦合影响的示例的概念性图。

図5は、本発明の第2の実施の形態における負荷トランジスタゲート線612に対するカップリングの影響の一例を示す概念図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

电压设置电路 631基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号，将在其漏极侧的参考电流线 601和其源极侧的负载晶体管栅极线 632连接到一起。

この電圧設定回路631は、タイミング制御回路200からの維持制御信号に基づいて、そのドレイン側の基準電流線601とソース側の負荷トランジスタゲート線632との間を接続する。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地说，在 FD放大器 107中，在终止存储时段之后，在输出信号之前，通过复位线 113(其组成复位栅极 (Rst))复位电荷检测器 110。

すなわち、FDアンプ107は、蓄積期間が完了すると、信号を出力する前に電荷検出部110がリセットゲート（Rst）を構成するリセット線113でリセットされる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在第一示例性实施例中，通过箝位电容器 5从第一共用输出线 2向第一输入晶体管 501的栅极供给信号。

第1の入力トランジスタ501のゲートに第1の共通出力線2からの信号が供給される。 本実施例においてはクランプ容量を介して供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集

基本上在该操作的同时，向开关60的栅极供给脉冲以接通开关60，由此，向运算放大器4的输出节点供给基准电压 Vref。

この動作と略同時にスイッチ60のゲートにパルスを供給して導通させることにより、演算増幅器4の出力ノードにVrefを供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构，其形成于半导体上。

例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

根据由正时控制部分 43进行的正时控制，栅极驱动器 52按照线顺序驱动在液晶显示面板 2中的各个像素 20。

ゲートドライバ52は、タイミング制御部43によるタイミング制御に従って、液晶表示パネル2内の各画素20を線順次駆動するものである。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过如此构成，可以按照供给节点 N101的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制供给节点 N101的电压。

このように構成することにより、供給ノードN101の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように供給ノードN101の電圧を制限できる。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过如此构成，可以按照输入节点 N103的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制输入节点 N103的电压，因此能够可靠地防止接收器103的耐压破坏。

このように構成することにより、入力ノードN103の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように入力ノードN103の電圧を制限できるので、レシーバ103の耐圧破壊を確実に防止できる。 - 中国語 特許翻訳例文集

而且，由于电压缓和晶体管 202p的漏极电压及栅极电压分别为“VTT-Vα”、“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p的端子间电压比“VTT”低。

また、電圧緩和トランジスタ202pのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT−Vα”，“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202pの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

同样，由于电压缓和晶体管 202n的漏极电压及栅极电压分别为“VTT”、“VTT-Vα”，所以可以使电压缓和晶体管 202n的端子间电压比“VTT”低。

同様に、電圧緩和トランジスタ202nのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT”，“VTT−Vα”になるので、電圧緩和トランジスタ202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

而且，由于电压缓和晶体管 202p、202n的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p、202n的端子间电压比“VTT”低。

また、電圧緩和トランジスタ202p，202nのドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202p，202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过如此构成，可以按照供给节点 N201p、N201n的电压不超过辅助晶体管 205p、205n的栅极电压的方式来限制供给节点 N201p、N201n的电压。

このように構成することにより、供給ノードN201p，N201nの電圧が補助トランジスタ205p，205nのゲート電圧を超えないように供給ノードN201p，N201nの電圧を制限できる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在第一信号布线层的一面上形成绝缘膜 15，并且各个栅极 2上方的位置充当 TFT开关 4中的栅绝缘膜。

この第1信号配線層上には、一面に絶縁膜15が形成されており、ゲート電極2上に位置する部位がTFTスイッチ4におけるゲート絶縁膜として作用する。 - 中国語 特許翻訳例文集

这里，在右眼图像 (R)被顺序地施加到与相应的栅极线连接的多个像素时，右眼快门可处于打开状态，并且左眼快门可处于关闭状态。

ここで、右眼映像Rが順次に当該ゲート線に接続されている複数の画素に印加される間、右眼シャッターは開状態であり、左眼シャッターは閉状態である。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，在左眼图像 (L)可被顺序地施加到与相应的栅极线连接的多个像素时，左眼快门可处于打开状态，并且右眼快门可处于关闭状态。

なお、左眼映像Lが順次に当該ゲート線に接続されている複数の画素に印加される間、左眼シャッターは開状態であり、右眼シャッターは閉状態である。 - 中国語 特許翻訳例文集

参照图 5至图 7，在安装到显示面板组件 300的栅极驱动器 500中，可实现输入图像数据以使液晶分子大部分呈卧式的方法。

図5〜図7を参照すると、表示板組立体300に実装されるゲート駆動部500において、液晶分子を殆ど横たわる状態にするイメージデータを入力する方法が実現される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二开关元件 TR2的输入电极连接到电压信号线 Vss，控制电极连接到第二扫描开始信号线 STVP2，输出电极连接到栅极线 G1至 Gn+1。

第2のスイッチング素子TR2の入力電極は電圧信号線Vssに接続され、制御電極は第2のスキャン開始信号線STVP2に接続され、出力電極はゲート線G1〜Gn＋1に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

将栅极截止电压施加到电压输入端 Vin，并且将重置端 RE连接到通常最后布置的伪级 SRn+1的传输信号输出端 CRout。

電圧入力端子Vinにはゲートオフ電圧が印加され、リセット端子REは最終段に位置するダミーステージSRn＋1の伝達信号出力端子CRoutに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

接着，下面将详细描述后一种方法即当选择晶体管 25被关断时将负电压施加到栅极的实施例。

続いて、後者の手法、即ち選択トランジスタ25をオフするときにゲートに負電圧を与える具体的な実施例について以下に説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

更具体地说，在图 4中，图 7所示的开关脉冲 LOAD被提供到负载晶体管 31的栅极，这使负载晶体管 31充当开关元件。

具体的には、図2において、負荷トランジスタ31のゲートに図5に示すスイッチングパルスLOADを印加することで、負荷トランジスタ31にスイッチ素子としての役割を持たせる。 - 中国語 特許翻訳例文集

复位晶体管 22的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与 FD25连接，栅极端子与复位线 RESET连接。

リセットトランジスタ22は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子がFD25に接続され、ゲート端子がリセット線RESETに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

地址晶体管 24的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与放大晶体管 23的漏极端子连接，栅极端子与地址线 ADDRESS连接。

アドレストランジスタ24は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子が増幅トランジスタ23のドレイン端子に接続され、ゲート端子がアドレス線ADDRESSに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3侧的 3个 NMOS晶体管 30、33、35的各栅极端子被公共输入来自列选择电路 5a的列选择信号。

基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3側の3つのNMOSトランジスタ30，33，35の各ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が共通に入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，源极端子连接到 PMOS晶体管 60、66的漏极端子的 PMOS晶体管 61、67的各栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。

また、PMOSトランジスタ60，66のドレイン端子にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ61，67の各ゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，以下，将转移脉冲 TRC1施加至栅电极 171A的状态称作转移脉冲 TRC1导通的状态，或称作第一 CCD栅极 171导通的状态。

なお、以下、ゲート電極171Aに転送パルスTRC1が印加された状態を、転送パルスTRC1がオンされた状態、あるいは、第1CCDゲート171がオンされた状態とも称する。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，以下，将转移脉冲 TRC1未施加至栅电极 171A的状态称作转移脉冲 TRC1断开的状态或第一 CCD栅极 171断开的状态。

また、以下、ゲート電極171Aに転送パルスTRC1が印加されていない状態を、転送パルスTRC1がオフされた状態、あるいは、第1CCDゲート171がオフされた状態とも称する。 - 中国語 特許翻訳例文集