「栅极」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

与所述栅极电位 Vg的电位变化所关联，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs也减小(图 15E，图 16E)。

また、このゲート電位Vgの電位変化に連動して、駆動トランジスタN2のソース電位Vsも押し下げられる（図15（E）、図16（E））。 - 中国語 特許翻訳例文集

随着所述操作的开始，所述驱动晶体管 N2的栅极电位 Vg被增加到所述信号电位Vsig(图 15D，图 16D)。

この動作の開始に伴い、駆動トランジスタN2のゲート電位Vgは、信号電位Vsigに上昇する（図15（D）、図16（D））。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过将驱动电压从栅极驱动器 52和数据驱动器 51输出到每个像素 20，来执行显示驱动操作。

そして、ゲートドライバ52およびデータドライバ51から出力される各画素20への駆動電圧によって表示駆動動作がなされる。 - 中国語 特許翻訳例文集

晶体管 203的所有传送门控制栅极在每一像素 210行内连接在一起。

トランジスタ203の全てのトランスファゲート制御ゲートは、画素203の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

晶体管 303的所有传送门控制栅极在每一像素 310行内连接在一起。

トランジスタ303の全てのトランスファゲート制御ゲートは、画素310の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

晶体管 103的所有传送门控制栅极在每一像素 110行内连接在一起。

全てのトランジスタ103のトランスファゲート制御ゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在像素组 12a和 12a′中，像素 12a的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PTX(n)连接。

画素セット12a、12a’のうち、画素12aの転送スイッチ2のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX（n）に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

像素 12a′的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PTX(n+2)连接。

また、画素12a’の転送スイッチのゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX（n＋2）に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在像素组 12e和 12e′中，像素 12e的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PTX(n)连接。

2つの画素のセット12e、12e’のうち、画素12eの転送スイッチ2のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX（n）に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

像素 12e′的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PTX(n+2)连接。

また、画素12e’の転送スイッチのゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX（n＋2）に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在像素组 12g和 12g′中，像素 12g的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PTX(m)连接。

画素セット12g、12g’のうち、画素12gの転送スイッチ2のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX（m）に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

像素 12g′的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PTX(m+2)连接。

また、画素12g’の転送スイッチのゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX（m＋2）に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

传送的信号电荷在浮置扩散 22处被转换为电压信号，并输出到放大晶体管 Tr3的栅极。

FD22は転送された信号電荷を電圧信号に変換して増幅トランジスタTr3のゲートに出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一开关元件 TR1连接到第一扫描开始信号线 STVP1和栅极线 G1至 Gn+1。

第1のスイッチング素子TR1は、第1のスキャン開始信号線STVP1及びゲート線G1〜Gn＋1に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

参照图 5和图 6，栅极驱动器 500包括相关地连接的多级 SR1至 SRn+1。

図5を参照すると、ゲート駆動部500は、それぞれ縦続接続されたシフトレジスタからなる多数のステージSR1〜SRn＋1を備える。 - 中国語 特許翻訳例文集

M个开关晶体管 14的各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电流控制线 16上。

M個のスイッチトランジスタ14の各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電流制御線16に並列に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

读出晶体管 21通过与栅极端子连接的读出线 READ的电压来进行导通 /截止控制。

読み出しトランジスタ21は、ゲート端子に接続される読み出し線READの電圧によりオン・オフ制御される。 - 中国語 特許翻訳例文集

放大晶体管 23的源极端子与垂直信号线 VSL连接，栅极端子与 FD25连接。

増幅トランジスタ23は、ソース端子が垂直信号線VSLに接続され、ゲート端子がFD25に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在数据线 10侧的 2个 NMOS晶体管 25、27的各栅极端子公共被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。

データ線10側の2つのNMOSトランジスタ25，27の各ゲート端子には列選択回路5aからの列選択信号が共通に入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

控制信号线 21侧的 NMOS晶体管 40的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。

制御信号線21側のNMOSトランジスタ40のゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

数据线 10侧的 NMOS晶体管25的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。

データ線10側のNMOSトランジスタ25のゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

电路接地端侧的 NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn。

グランド側のNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

基准电压线Vref侧的 NMOS晶体管 30的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。

基準電圧線Vref側のNMOSトランジスタ30ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

之后，向读取晶体管 READTr的栅极赋予读取脉冲 (READ脉冲 )，对于像素 (PD)信号也同样进行模数变换。

その後、読み出しトランジスタREADTrのゲートに読み出しパルス（READパルス）を与え、画素（PD）信号も同様にAD変換をする。 - 中国語 特許翻訳例文集

由于可以以这种方式将栅极宽度 (沟道宽度 )W3和栅极长度 (沟道长度 )L3设置为大，因此与在感光像素 110中相比，可以更多地降低由第二遮光像素 920中的驱动晶体管Td1所生成的噪声。

このように、ゲート幅（チャネル幅）W3とゲート長（チャネル長）L3を大きくとることができるので、感光画素110に比べて、第2の遮光画素920の駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，可以仅将栅极长度 (沟道长度 )L3设置为大，而将栅极宽度 (沟道宽度 )W3设置为与感光像素 110的 W1相等，从而不缩减光电转换元件 D1在垂直方向上的面积。 即使在该配置中，也可以获得一些噪声降低效果。

また、ゲート長（チャネル長）L3だけ長くして、ゲート幅（チャネル幅）W3を感光画素110のW1と同じにし、光電変換素子D1の垂直方向の面積の削減は行わないことにしてもよく、それでもノイズ低減効果はある。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，在本实施例中，为了增大栅极宽度 (沟道宽度 )W3，缩减光电转换元件 D1在垂直方向上的面积。 为了增大栅极长度 (沟道长度 )L3，缩减光电转换元件 D1在水平方向上的面积。

さらに、本実施形態においては、ゲート幅（チャネル幅）W3を広くするために、光電変換素子D1の垂直方向の面積を削減し、ゲート長（チャネル長）L3を長くするために、光電変換素子D1の水平方向の面積を削減している。 - 中国語 特許翻訳例文集

第四遮光像素 940的布局被设计成，通过与图 10中缩减光电转换元件 D1的面积的方法相同的方法，来增大栅极宽度 (沟道宽度 )W5和栅极长度 (沟道长度 )L5。

第4の遮光画素940においては、図10において光電変換素子D1の面積を削減したのと同様の方法で、ゲート幅（チャネル幅）W5が広くなるとともに、ゲート長（チャネル長）L5が長くなるようなレイアウトとなっている。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管没有具体说明 VOB钳位的噪声灵敏度和数字钳位的噪声灵敏度之间的比较，但可以根据使用方式来设置驱动晶体管 Td1的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L之间的一些差异。

また、VOBクランプとデジタルクランプについては、どちらがノイズに敏感かの比較は特にしないが、使い方に応じて、駆動トランジスタTd1のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lに差を設けてもかまわない。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管没有具体说明 VOB钳位的噪声灵敏度和数字钳位的噪声灵敏度之间的比较，但可以根据使用方式设置驱动晶体管 Td1的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L之间的一些差异。

また、VOBクランプとデジタルクランプについては、どちらがノイズに敏感かの比較は特にしないが、使い方に応じて、駆動トランジスタTd1のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lに差を設けてもかまわない。 - 中国語 特許翻訳例文集

同样在这种情况下，可以通过以与针对第一阵列示例的方式相同的方式设置第一HOB区域和第二 HOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止对噪声敏感的 HOB钳位的错误校正。

この時も、第1のHOB領域および第2のHOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第1の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感なHOBクランプの誤補正をさらに防止することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，可以通过以与针对第一阵列示例的方式相同的方式设置第一 VOB区域和第二 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止对噪声敏感的垂直条纹噪声的错误校正。

また、第1のVOB領域および第2のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第1の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感な縦スジノイズの誤補正をさらに防止することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

同样在这种情况下，还可以通过以与针对第一阵列示例的方式相同的方式设置第一 HOB区域和第二 HOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止对噪声敏感的 HOB钳位的错误校正。

この時も、第1のHOB領域および第2のHOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第1の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感なHOBクランプの誤補正をさらに防止することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，还可以通过以与针对第一阵列示例的方式相同的方式设置第一 VOB区域和第二 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止对噪声敏感的垂直条纹噪声的错误校正。

また、第1のVOB領域および第2のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第1の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感な縦スジノイズの誤補正をさらに防止することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，可以通过以与针对第四阵列示例的方式相同的方式设置第四 VOB区域和第五 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止垂直条纹噪声的错误校正。

また、第4のVOB領域および第5のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第4の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感な縦スジノイズの誤補正をさらに防止することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在该第一垂直传送操作中，在栅极信号处于高电平的同时将来自像素 1的信号写入到中间保持单元 2的相应的中间保持电容器 31中，并且在栅极信号 下降时保持这些信号值 (P11)。

第1の垂直転送動作では、ゲート信号φCMのハイレベル期間に各画素1からの信号が、それぞれ接続されている中間保持手段2の中間保持容量31に書き込まれ、ゲート信号φCMの立下り時に信号値がホールドされる（P11）。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，垂直选择晶体管 40使其漏极连接到放大晶体管 42的源极，使其源极连接到像素线 51，且使其栅极 (具体地，称为垂直选择栅极 SELV)连接到垂直选择线 58。

垂直選択用トランジスタ40は、一例として、ドレインが増幅用トランジスタ42のソースに、ソースが画素線51にそれぞれ接続され、ゲート（特に垂直選択ゲートSELVという）が垂直選択線58に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，传输晶体管 412使其栅极端子连接到电荷传输线 331和 332，并且经由浮动扩散 FD使其漏极端子连接到复位晶体管 413的源极端子和放大晶体管 414的栅极端子。

また、転送トランジスタ412は、そのゲート端子が電荷転送線331および332に接続され、そのドレイン端子がフローティングディフュージョンFDを介してリセットトランジスタ413のソース端子と増幅トランジスタ414のゲート端子とに接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

设置晶体管 611是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到负载晶体管 614的栅极端子的负载晶体管栅极线 612和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。

設定トランジスタ611は、タイミング制御回路200から供給される維持制御信号に基づいて、負荷トランジスタ614のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線612と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二设置晶体管 621是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到第二负载晶体管 624的栅极端子的第二负载晶体管栅极线 622和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。

第2設定トランジスタ621は、タイミング制御回路200から供給された維持制御信号に基づいて、第2負荷トランジスタ624のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線622と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。 - 中国語 特許翻訳例文集

在像素组 12a和 12a′中，像素 12a的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PTX(m)连接。 像素 12a′的传送开关 2的栅极与来自垂直扫描电路 14的控制信号 PTX(m+2)连接。

画素セット12a、12a’のうち、画素12aの転送スイッチ2のゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX（m）に接続され、画素12a’の転送スイッチのゲートは垂直走査回路14からの制御信号PTX（m＋2）に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 3中所示，由无碱玻璃等构成的绝缘基板 1形成放射线图像成像装置 10的像素 20A，在该绝缘基板 1上形成有扫描线 101和栅极 2，其中扫描线 101连接到栅极 2(参见图 2)。

図3に示すように、放射線検出素子10の画素20Aは、無アルカリガラス等からなる絶縁性の基板1上に、走査配線101（図2参照。）、ゲート電極2が形成されており、走査配線101とゲート電極2は接続されている（図2参照。）。 - 中国語 特許翻訳例文集

参照图 3和图 4，在输入图像数据以使液晶分子呈卧式的方法中，将栅极导通电压Von施加到显示面板 100的多条栅极线，并且向多条数据线施加公共电压 Vcom。

図3及び図4を参照すると、液晶分子を殆ど横たわる状態にするイメージデータを入力する方法としては、表示パネル100の複数のゲート線にゲートオン電圧Vonを印加し、複数のデータ線に共通電圧Vcomを印加する方法がある。 - 中国語 特許翻訳例文集

在电路接地端侧的 2个 NMOS晶体管 26、28处，NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn，另外，NMOS晶体管 28的栅极端子被输入第 n+1列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn+1。

グランド側の2つのNMOSトランジスタ26，28ではNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力され、また、NMOSトランジスタ28のゲート端子にn＋1列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dn＋1が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

如上所述，在第三遮光像素 930和第四遮光像素 940中，由于可以将栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L设置为大，因此与在感光像素 110中相比，在第三遮光像素 930和第四遮光像素 940中，可以更多地降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

このように、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940においては、ゲート幅（チャネル幅）Wとゲート長（チャネル長）Lを大きくとることができるので、感光画素110に比べて、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940の駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在这种情况下，可以通过对第一 HOB区域和第二 HOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置，从而满足第二 HOB区域中的 W＞第一 HOB区域中的 W＞有效像素区域中的 W1、并且第二 HOB区域中的 L＞第一 HOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第二 HOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

この時は、第1のHOB領域および第2のHOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第2のHOB領域のW＞第1のHOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第2のHOB領域のL＞第1のHOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第2のHOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，可以通过对第一 VOB区域和第二 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置，从而满足第一 VOB区域中的 W＞第二 VOB区域中的W＞有效像素区域中的 W1、并且第一 VOB区域中的 L＞第二 VOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第一 VOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

また、第1のVOB領域および第2のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第1のVOB領域のW＞第2のVOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第1のVOB領域のL＞第2のVOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第1のVOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，可以通过对第四 VOB区域和第五 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置、从而满足第五 VOB区域中的 W＞第四 VOB区域中的 W＞有效像素区域中的 W1并且第五 VOB区域中的L＞第四 VOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第五 VOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

また、第4のVOB領域および第5のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第5のVOB領域のW＞第4のVOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第5のVOB領域のL＞第4のVOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第5のVOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

电压调整部 207对应于多个信号线对中的任意一个，将与该对应的信号线对分别连接的信号节点 NP1、NN1的电压 (信号电压 VP1、VN1)的中间电压作为控制电压 VM，向电压缓和晶体管 202p、202p、…的栅极及电压缓和晶体管 202n、202n、…的栅极供给。

電圧調整部207は、複数の信号線対のうちいずれか1つに対応し、その対応する信号線対にそれぞれ接続される信号ノードNP1，NN1の電圧（信号電圧VP1，VN1）の中間電圧を制御電圧VMとして電圧緩和トランジスタ203p，203p，…のゲートおよび電圧緩和トランジスタ203n，203n，…のゲートに供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接，处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。

基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75，76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集