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「导」を含む例文一覧
該当件数 : 4352件
专利文献 1公开了次级光波导层 (secondary optical waveguide layer)、具有从一种到另一种进行切换的多种振荡模式的半导体激光器，以及光程切换结构 (其中，切换从半导体激光器发射的光束的光程 )。
特許文献1では、二次元光導波路層と、発振モードを切り替えられる半導体レーザと、半導体レーザからの出射光の光路を切り替える光路交換構造体を有する。 - 中国語 特許翻訳例文集
排列光程切换结构以便根据半导体激光器的振荡模式的改变而在光波导层中改变辐射角，并且在光波导层中传输发射光。
光路交換構造体は、半導体レーザの発振モードの切り替えに応じて、光導波路層における放射角を変化させ、出射光が光導波路層を伝播するように配置される。 - 中国語 特許翻訳例文集
在以上的扫描动作中，当扫描托架 21在框体 10内移动时，扫描托架 21在 X方向由第一引导槽 53和第二引导槽 57引导。
以上の走査動作において、走査キャリッジ21は、筐体10内を移動する際に、第1ガイド溝53および第2ガイド溝57によってX方向に案内される。 - 中国語 特許翻訳例文集
在一些示例中，OFDM符号既包括连续导频 (CP)载波，也包括分散导频 (SP)，其中连续导频载波在 OFDM符号中保持在相同的相对频率位置。
いくつかの例では、OFDMシンボルは、OFDMシンボルにおいて同じ相対周波数位置に留まる連続パイロット（CP: Continuous Pilot）キャリアと、分散パイロット（SP: Scattered Pilot）との両方を有する。 - 中国語 特許翻訳例文集
信标前导符 102和 MAP前导符 122是最具鲁棒性和最低有效前导符，这是因为它们用于网络协调并且包含有关网络的信息。
ビーコンプリアンブル102およびMAPプリアンブル122は、ネットワーク協調のために使用され、かつネットワークに関する情報を含むため、最もロバストでかつ効率が最も低いプリアンブルである。 - 中国語 特許翻訳例文集
当文稿 G2使得 RGT传感器 15导通时 (ACT207的是 )，CPU 130判断第二张文稿G2为第偶数张 (ACT210的否 )，并导通 RGT电机 71和 IN电机 74，导通入口闸门螺线管72(ACT212)。
原稿G2がRGTセンサ15をオンすると（ACT207でYes）、CPU130は、2枚目の原稿G2が偶数枚目であると判断し（ACT210でNo）、RGTモータ71とINモータ74をオンして、入口ゲートソレノイド72をオンして（ACT212）。 - 中国語 特許翻訳例文集
可发射四个新导频集合，使得来自导频集合 1的有效信道增益为 h1(t)-h2(t-Tc)、来自导频集合 2的有效信道增益为 h3(t)-h4(t-Tc)，等等。
パイロットの4つの新しいセットは、パイロットセット1からの実効チャネル利得がh1（t）−h2（t−Tc）となり、パイロットセット2からの実効チャネル利得がh3（t）−h4（t−Tc）となるなどように送信され得る。 - 中国語 特許翻訳例文集
接着，图 13E和图 13F描述了两个针对控制 PHY分组的示例性前导码格式，其中在前导码格式 659和前导码格式 661的 STF中使用了序列 a。
次に、図13Eおよび図13Fは、シーケンスaがプリアンブルフォーマット659およびプリアンブルフォーマット661のSTFで利用されている制御PHYパケット用の2つの例示的なプリアンブルフォーマットを示す。 - 中国語 特許翻訳例文集
输送引导器 61C位于与两侧的每个输送引导器 61A紧邻的位置，并且在原稿输送路径 103的宽度方向上形状短于输送引导器 61A和61B。
搬送ガイド61Cは、搬送ガイド61Aの両隣に位置し、搬送ガイド61A、61Bと比較して、原稿搬送路101の幅方向に短い形状となっている。 - 中国語 特許翻訳例文集
由于输送引导器包括多个输送引导器 61A至 61C，因此，即使当位于 ADF 120中的基板 610具有翘曲、变形等情况时，输送引导器 61A至 61C也能够单独移动至适当的设计位置。
また、搬送ガイド61A〜61Cは、複数からなるため、ADF120に配設した基板610にそれやねじれ等が発生したとしても、搬送ガイド61A〜61Cが個別に移動し設計上の適切な位置に配置される。 - 中国語 特許翻訳例文集
圆弧引导件 30布置成使得在圆弧引导件 30的最靠近台板玻璃 161的部分 (下文中称为圆弧引导件 30的近侧部分 789)和台板玻璃 161之间，间隙 202被固定。
円弧ガイド30のプラテンガラス161に最も近接する箇所（以下、円弧ガイド30の近接部789と呼ぶ）がプラテンガラス161に対して隙間202を確保されるように、円弧ガイド30は配置される。 - 中国語 特許翻訳例文集
另一方面，当止动销 166被从向下位置移回到 V形导轨 262中的凹部内时，止动销 166将在细长导轨 264的背部上被引导。
一方、止めピン166は、下方位置からV字状案内軌道266の凹部へ戻る際に、長尺状案内軌道264の背面側で案内されるだろう。 - 中国語 特許翻訳例文集
一旦第一弹性模块 50的弹力被克服，止动销 166就可以被朝向图 8所示的第一中间位置沿着 V形导轨 262的导向部 263被引导。
いったん第一弾性モジュール50の弾性力が乗り越えられると、止めピン166は、V字状軌道262の案内部263に沿って、図8に示される第一中間位置に向かって案内されてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
脸部关联部 174对特征量导出部 176导出的特征量和从特征量存储部 134读出的多个脸部信息的多个特征量的各个特征量，导出类似度。
顔関連付部174は、特徴量導出部176が導出した特徴量と、特徴量記憶部134から読み出した複数の顔情報の複数の特徴量それぞれについて、類似度を導出する。 - 中国語 特許翻訳例文集
存储控制部 178导出存储于特征量存储部 134的特征量中用户选择的脸部信息的特征量和特征量导出部 176导出的特征量之间的类似度。
記憶制御部178は、特徴量記憶部134に記憶された特徴量のうち、ユーザが選択した顔情報における特徴量と、特徴量導出部176が導出した特徴量との類似度を導出する。 - 中国語 特許翻訳例文集
引导处理部 203将可移动硬盘 251以及 252中的任一个选作引导驱动器，启动所选择的引导驱动器所存储的操作系统。
ブート処理部203は、リムーバブルハードディスク251及び252の何れかをブートドライブに選択し、選択したブートドライブに記憶されているオペレーティングシステムを起動する。 - 中国語 特許翻訳例文集
本发明利用波导中的光传播状态 (波导模式 )根据进入波导的光束的入射角变化的性质。
本発明は、導波路に入射する光束の入射角に応じて、導波路内の光伝播状態（導波モード）が異なるという特性を用いて構成されたものである。 - 中国語 特許翻訳例文集
已经从外部进入像素 100的光束 108经由光入射部件 101进入光学波导，被转换为波导模式，通过光学波导传播，并且被引到光电转换单元 104。
画素100に外部から入射した光束108は、光入射部101を介して光導波路に入射し、導波モードに変換されて光導波路中を伝播して光電変換部104に導かれる。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图3A所示，从第一方向进入的光束110被转换为第一波导模式112，通过光学波导被引导，并且被引到光电转换单元 104而未受光阻挡部件 106影响。
図3（a）に示すように、第1の方向から入射した光束110は第1の導波モード112に変換され光導波路中を導波し、遮光部材106の影響を受けることなく、光電変換部104に導かれる。 - 中国語 特許翻訳例文集
另一方面，如图 3B中所示，从第二方向进入的光束 120被转换为第二波导模式122，通过光学波导被引导，被光阻挡部件 106阻挡，并且未到达光电转换单元 104。
一方、図3（b）に示すように、第2の方向から入射した光束120は第2の導波モード122に変換され光導波路中を導波し、遮光部材106により遮光され、光電変換部104には達しない。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图 10A所示，从第一方向进入的光束 110被转换为第一波导模式 114，通过光学波导被引导，并且被引到光电转换单元 134而未受光阻挡部件 136影响。
図10（a）に示すように、第1の方向から入射した光束110は第1の導波モード114に変換され光導波路中を導波し、遮光部材136の影響を受けることなく、光電変換部134に導かれる。 - 中国語 特許翻訳例文集
另一方面，如图10B所示，从第二方向进入的光束120被转换为第二波导模式124，通过光学波导被引导，被光阻挡部件 136阻挡，并且未到达光电转换单元 134。
一方、図10（b）に示すように、第2の方向から入射した光束120は第2の導波モード124に変換され光導波路中を導波し、遮光部材136により遮光され、光電変換部134には達しない。 - 中国語 特許翻訳例文集
类似地，通过第二匹配滤波器 2062把第二导频信号设置成抽头系数，获得了第二导频信号和接收的导频信号之间的第二互相关值。
同様に第2パイロット信号をタップ係数とする第2マッチドフィルタ2062によって第2パイロット信号と受信パイロット信号との第2相互相関値が求められる。 - 中国語 特許翻訳例文集
更详细地讲，如果在再生装置的插槽 (未图示 )中插入半导体存储卡，则经由半导体存储卡 I/F将再生装置与半导体存储卡电气地连接。
より詳細には、再生装置のスロット（図示せず）に半導体メモリーカードが挿入されると、半導体メモリーカードI/Fを経由して再生装置と半導体メモリーカードが電気的に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集
在图 2中，示出了纸张排出导向件 30位于在排出导向转动范围中最靠近下部单元 10的位置的状态，也就是说，纸张排出导向件 30处于最大闭合位置的状态。
図2には、排出ガイド30が、排出ガイド回転範囲における下ユニット10に最も接近した位置、すなわち排出ガイド30が最も閉じ側の位置にある状態が示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
图像读取装置 1包括分别在导向件打开状态和导向件关闭状态中锁定纸张排出导向件 30的锁定机构 (未示出 )。
画像読取装置1は、ガイドオープン状態およびガイドクローズ状態でそれぞれ排出ガイド30をロックする図示しないロック機構を備えている。 - 中国語 特許翻訳例文集
图像形成装置 1将向导注册按钮 BN1的按压操作视为“向导注册处理”的开始指示，从而开始接受向导的注册操作。
画像形成装置1は、しおり登録ボタンBN1の押下操作を「しおり登録処理」の開始指示とみなして、しおりの登録操作の受け付けを開始する。 - 中国語 特許翻訳例文集
第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。
第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集
第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。
第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集
第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。
第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集
p型半导体区域 1306可以在微环 1302的半导体衬底内部形成，并且 n型半导体区域 1308和1310可以在包围微环 1302的外面的半导体衬底中和波导 1304的相对侧上形成。
p型半導体領域1306を、マイクロリング1302の内側の半導体基板で（または、該半導体基板に）形成することができ、n型半導体領域1308及び1310を、マイクリング1032の外側を囲む半導体基板であって導波路1304の反対側にある半導体基板で（または、該半導体基板に）形成することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
这里，因为两组使用相同的载波频率 f2的载波信号，在传输侧的多个半导体芯片103中，只有一个 (在图 12中，只有半导体芯片 103B)具有准备好载波信号的生成的配置，而所有剩余的半导体芯片 (在图 12中，半导体芯片 103A)从准备好载波信号的生成的半导体芯片 103B接收载波信号，并且基于接收的载波信号执行频率转换，即，上转换。
ここで、両方の組で同一周波数f2の搬送信号を使用するため、複数ある送信側の半導体チップ103は、その中の1つのみ（図では半導体チップ103B）が搬送信号生成に対応した構成を持っているが、残りの全て（図では半導体チップ103A）は、搬送信号生成に対応していない。 - 中国語 特許翻訳例文集
在导数为零 (或接近零 )时，意味着在相继的导数之间没有 (或非常小的 )增减 (即接近平行于 x轴，如线 305所示 )，或者在导数符号改变 (从正的到负的导数或者从负的到正的导数 )时，可以确定达到最大的 HF值。
最も大きなHF値は、連続する微分係数の間で増加または減少がない（またはほとんどない）（即ち、線305に示されるようにx軸と平行に近い）ことを意味する、微分係数がゼロ（またはゼロに近い）場合、または、微分係数がその符号を変える（正の微分係数から負の微分係数に、または負の微分係数から正の微分係数になる）場合に到達したと決定されてよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
描述了一种容纳有多个半导体芯片的多芯片系统中的半导体器件，其中接合焊盘设置在装载到第一半导体芯片的第二半导体芯片的一侧附近，并且半导体芯片的接合焊盘通过引线直接连接。
複数の半導体チップを収納したマルチチップ方式の半導体装置において、第1の半導体チップに搭載される第2の半導体チップの一辺の近傍にボンディングパッドを設け、それらの半導体チップのボンディングパッドを直接ワイヤで接続することが記載されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
此外，描述了一种半导体集成电路装置，其中内置半导体芯片通过引线接合连接到导线。 在该装置中，半导体芯片安装在具有用于改变半导体芯片的连接焊盘的连接路径的信号线的布线板处。
また、内蔵された半導体チップとリードをワイヤボンディングにより接続する構造の半導体集積回路装置において、半導体チップの接続用パッドの接続経路を変更するための信号線を有する配線板上に半導体チップを搭載することが記載されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
附图标记θ2表示当纸张排出导向件 30利用中心轴线 X作为转动中心转动时的转动角度范围，即排出导向件转动范围，该排出导向件转动范围是： 当纸张排出导向件30在远离下部单元 10的方向上从最靠近下部单元 10的位置转动时，纸张排出导向件 30相对于下部单元 10的相对转动的转动范围。
また、符号θ2は、中心軸線Xを回転中心として排出ガイド30が回転するときの回転角度の範囲、すなわち、排出ガイド30が下ユニット10に対して最も接近した位置から下ユニット10に対して離間する方向に回転するときの排出ガイド30の下ユニット10に対する相対回転の回転範囲である排出ガイド回転範囲を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集
当由此形成半导体芯片 103时，通过将输入信号经历并 -串转换以及将结果发送到半导体芯片 203一侧，并将从半导体芯片 203一侧接收到的信号经历串 -并转换，减少了作为毫米波转换对象的信号的数量。
このように半導体チップ103を構成すると、入力信号をパラレルシリアル変換して半導体チップ203側へ伝送し、また半導体チップ203側からの受信信号をシリアルパラレル変換することにより、ミリ波変換対象の信号数が削減される。 - 中国語 特許翻訳例文集
在本示例中，通过在管状导电材料 144内形成介质波导管 142来配置凸出形状配置 198A(介质传输线 9A)，并且固定地放置凸出形状配置 198A，以便介质波导管 142的中心与传输线耦合部分 108的天线 136一致。
本例では、凸形状構成198A（誘電体伝送路9A）は、誘電体導波管142を筒型の導体144内に形成することで構成されており、伝送路結合部108のアンテナ136に対して誘電体導波管142の中心が一致するように固定的に配置される。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图 8所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。
漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图 9所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。
漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集
在漏光修正用像素 24中，光接收区域 54的 n型半导体区域 34与溢出漏极区域 38连接，从在提供了 n型半导体区域 34与溢出漏极区域 38之间的常导通状态。
一方、漏れ込み光補正用画素24では、受光領域54のn型半導体領域34がオーバーフロードレイン領域38に接続されており、常にn型半導体領域34とオーバーフロードレイン領域38間が導通状態にある。 - 中国語 特許翻訳例文集
在 S-P-S-S前导分配机制中，每一个 PA前导位于每一个超帧中的第二帧 (F1)的第一 OFDM符号中，而三个 SA前导分别位于每一个超帧中的第一帧、第三帧及第四帧的第一 OFDM符号中。
S-P-S-Sアロケーションスキーム中、各PAプリアンブルは、各スーパーフレーム中の第二フレーム(F1)の第一OFDM符号中に割り当てられ、3個のSAプリアンブルは、それぞれ、各スーパーフレーム中の第一、第三、及び、第四フレームの第一OFDM符号中に割り当てられる。 - 中国語 特許翻訳例文集
在 S-S-P-S前导分配机制中，每一个 PA前导位于每一个超帧中的第三帧 (F2)的第一 OFDM符号中，而三个 SA前导分别位于每一个超帧中的第一帧、第二帧及第四帧的第一 OFDM符号中。
S-S-P-Sアロケーションスキーム中、各PAプリアンブルは、各スーパーフレーム中の前記第三フレーム(F2)の前記第一OFDM符号に割り当てられ、3個のSAプリアンブルは、それぞれ、各スーパーフレーム中の第一、第二、及び、第四フレームの前記第一OFDM符号に割り当てられる。 - 中国語 特許翻訳例文集
在 S-S-S-P前导分配机制中，每一个 PA前导位于每一个超帧中的第四帧 (F3)的第一 OFDM符号中，而三个 SA前导分别位于每一个超帧中的第一帧、第二帧及第三帧的第一 OFDM符号中。
S-S-S-Pアロケーションスキーム中、各PAプリアンブルは、各スーパーフレーム中の第四フレーム(F3)の前記第一OFDM符号に割り当てられ、3個のSAプリアンブルは、それぞれ、各スーパーフレーム中の第一、第二、及び、第三フレームの第一OFDM符号に割り当てられる。 - 中国語 特許翻訳例文集
在此实例中，有可能将电子音乐播放器耦合到导航装置 200以便准许通过导航装置 200播放音乐，其通过导航装置 200的内部扬声器或另一外部输出装置来播放音乐。
本例では、電子音楽プレイヤをナビゲーション装置200と接続して、ナビゲーション装置200を経由して、（ナビゲーション装置200の内部スピーカか、別の外部出力装置かのいずれかを通じて）音楽の再生を許可することが可能である。 - 中国語 特許翻訳例文集
半导体芯片 103不能直接安装在板 102上，但是可以形成为半导体封装，其中半导体芯片 103安装在插座板上并使用如环氧树脂的树脂制模，并如此安装在板 102上。
半導体チップ103を直接に基板102上に搭載するのではなく、インターポーザ基板上に半導体チップ103を搭載し、半導体チップ103を樹脂（たとえばエポキシ樹脂など）でモールドした半導体パッケージを基板102上に搭載するようにしてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
在以上述方式配置半导体芯片 103的情况下，输入信号经历并行到串行转换，并且得到的串行信号传输到半导体芯片 203。 同时，来自半导体芯片 203侧的接收信号经历串行到并行转换。
このように半導体チップ103を構成すると、入力信号をパラレルシリアル変換して半導体チップ203側へ伝送し、また半導体チップ203側からの受信信号をシリアルパラレル変換することにより、ミリ波変換対象の信号数が削減される。 - 中国語 特許翻訳例文集
空的波导 9L的配置不限于从板上的导体 MZ形成罩的配置，而是可以配置空的波导 9L，使得可以是或者可以不是透孔的孔形成在相当厚的板中，使得孔的壁面用作罩，如图3F所示。
中空導波路9Lは、基板上の導電体MZで囲いを形成することに限らず、たとえば、図2（6）に示すように、比較的厚めの基板に穴（貫通でもよいし貫通させなくてもよい）を開けて、その穴の壁面を囲いに利用するように構成してもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
毫米波信号传输路径 9_2从外壳 190B和 290B中的自由空间、在这种自由空间中构造的介电传输路径、波导管和 /或波导形成。 波导包括插槽线和 /或微条线。
ミリ波信号伝送路9_2は、筐体190B，290Bの内部の自由空間、その内部に構築された誘電体伝送路や、導波管および／または導波路から構成され、導波路には、スロットラインおよび／またはマイクロストリップラインが含まれる。 - 中国語 特許翻訳例文集
如果两个子束之间的相对相移是 180度，那么子束在光学合束器 104处“相消”干涉，使得光不会耦合到输出波导150中，而是辐射到波导回路 102的衬底中，结果是实质上没有光从波导 150输出。
2つのサブビーム間の相対位相シフトが180度の場合には、（2つの）サブビームは、光が出力導波路150に結合せずに導波回路102の基板中に放射していくように光コンバイナ140で「減殺的に」干渉し、実質的に光は導波路150から出力されないことになる。 - 中国語 特許翻訳例文集
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