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「半－半」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1843件
如图 8所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。
漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图 9所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。
漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集
在以上述方式配置半导体芯片 103的情况下，输入信号经历并行到串行转换，并且得到的串行信号传输到半导体芯片 203。 同时，来自半导体芯片 203侧的接收信号经历串行到并行转换。
このように半導体チップ103を構成すると、入力信号をパラレルシリアル変換して半導体チップ203側へ伝送し、また半導体チップ203側からの受信信号をシリアルパラレル変換することにより、ミリ波変換対象の信号数が削減される。 - 中国語 特許翻訳例文集
因为外壳 190B中的半导体芯片 103B和外壳 290B中的半导体芯片 203B具有指定的 (典型地为固定的 )安排位置，半导体芯片 103B和半导体芯片 203B的位置关系以及它们之间的传输信道的环境条件 (如例如反射条件 )可以预先指定。
筐体190B内の半導体チップ103Bと筐体290B内の半導体チップ203Bは、配設位置が特定（典型的には固定）されたものとなるので、両者の位置関係や両者間の伝送チャネルの環境条件（たとえば反射条件など）を予め特定できる。 - 中国語 特許翻訳例文集
半帧 1分别以图像条纹 A、C和 E显示左图像的半部左 1、左 3、左 5，并且半帧 1还分别以图像条纹 B、D和 F显示右图像的半部右 2、右 4、右 6。
フィールド1が、画像ストライプA、C、及びEで表示される左画像の半分であるレフト1、レフト3、レフト5をそれぞれ表示し、フィールド1はまた、画像ストライプB、D、及びFで表示される右画像の半分であるライト2、ライト4、ライト6をそれぞれ表示する。 - 中国語 特許翻訳例文集
然后，半帧 2分别以图像条纹B、D和 F显示左图像剩余的半部左 2、左 4、左 6，并且半帧 2还分别以图像条纹 A、C和 E显示右图像剩余的半部右 1、右 3、右 5。
フィールド2が、画像ストライプB、D、及びFで表示される左画像の残りの半分であるレフト2、レフト4、レフト6をそれぞれ表示し、フィールド2はまた、画像ストライプA、C、及びEで表示される右画像の半分であるライト1、ライト3、ライト5をそれぞれ表示する。 - 中国語 特許翻訳例文集
然而，可以在快门按钮被半按之后执行自动视差调整量的获取。
ただし、自動視差調整量の取得はシャッタボタンの半押し後に実行されてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
该 P型半导体区域 35也用作抑制暗电流的区域。
このp型半導体領域35は、暗電流を抑制する領域ともなる。 - 中国語 特許翻訳例文集
光接收区域 54可以被配置成不具有在其内形成的 P型半导体区域 35。
受光領域54において、p型半導体領域35をも形成しない構成とすることもできる。 - 中国語 特許翻訳例文集
SDAA 104是网络控制单元的示例，其是半导体 NCU(网络控制单元 )。
SDAA104は、網制御手段の一例であって、半導体NCU（ネットワーク制御ユニット）である。 - 中国語 特許翻訳例文集
在各个半导体基底上以阵列布置像素 DPX和感测电路。
そして、画素DPXとセンス回路121は各々の半導体基板上にアレイ状に配置される。 - 中国語 特許翻訳例文集
给定一个帧时段是 1/60秒，则计数的数目变为图 2中处理的计数的大约一半。
一方、1フレーム期間を1／60秒とすると、カウント数は図2の処理の約半分となる。 - 中国語 特許翻訳例文集
例如，作为内置存储器，可以采用半导体存储器或者硬盘；
たとえば、内蔵メモリとして、半導体メモリまたはハードディスクを採用することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 7B示出了根据一方面在二叉树中进行半径自适应球形解码。
【図7B】図7Bは、一態様に従う、2分木の形の半径適応球面復号化を示している。 - 中国語 特許翻訳例文集
闪烁器部4也可在半导体基板 3上由蒸镀而设置。
シンチレータ部4は、半導体基板3上に蒸着により設けられていてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
闪烁器部 4也可在半导体基板 3上由蒸镀而设置。
シンチレータ部4は、半導体基板3上に蒸着により設けられていてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
在特定实施例中，微环 1302包括本征半导体。
いくつかの実施形態では、マイクロリング1302は真性半導体から構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集
在交替照明循环的一半中，给阵列 44a通电，如图 5A中所示。
交互照明サイクルの一の半分においては、アレイ44aは、図5Aに示すように、電力供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集
这里，因为两组使用相同的载波频率 f2的载波信号，在传输侧的多个半导体芯片103中，只有一个 (在图 12中，只有半导体芯片 103B)具有准备好载波信号的生成的配置，而所有剩余的半导体芯片 (在图 12中，半导体芯片 103A)从准备好载波信号的生成的半导体芯片 103B接收载波信号，并且基于接收的载波信号执行频率转换，即，上转换。
ここで、両方の組で同一周波数f2の搬送信号を使用するため、複数ある送信側の半導体チップ103は、その中の1つのみ（図では半導体チップ103B）が搬送信号生成に対応した構成を持っているが、残りの全て（図では半導体チップ103A）は、搬送信号生成に対応していない。 - 中国語 特許翻訳例文集
这样，通过快门按钮 15的半按下来执行 AE/AF处理。
以上のように、シャッターボタン15の半押しによって、AE／AF処理が行なわれる。 - 中国語 特許翻訳例文集
记录介质 1012包括例如半导体存储器，并且是可拆装的。
記録媒体1012は、半導体メモリ等を含んで構成され、着脱が可能である。 - 中国語 特許翻訳例文集
该附图还示出了稀疏一半像素的“1/2稀疏”的情况。
また、半分の画素を読み飛ばす「1／2間引き」動作を行う場合について示している。 - 中国語 特許翻訳例文集
接下来，将描述表面发射半导体激光器 128A的操作原理。
次に、面発光型半導体レーザ128Aの動作原理について説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集
注意，作为发光单元121，可以采用边沿发射半导体激光器。
なお、発光部121としては、端面発光型の半導体レーザでも良い。 - 中国語 特許翻訳例文集
R像素相对于G1像素向图中横向位移半个像素的量。
R画素は、G1画素に対して図中横方向へ半ピクセル分シフトさせる。 - 中国語 特許翻訳例文集
B像素相对于 G1像素向图中纵向位移半个像素的量。
B画素は、G1画素に対して図中縦方向へ半ピクセル分シフトさせる。 - 中国語 特許翻訳例文集
基站 102可以将控制区的大小半静态地设置为 3个OFDM码元。
基地局102は、制御領域のサイズを3つのOFDMシンボルに半静的に設定しても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 11是用于对 IP层的诊断处理 (前半 )进行说明的流程图。
【図11】IP層の診断処理（前半）について説明するためのフローチャートである。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 12是用于对 IP层的诊断处理 (后半 )进行说明的流程图。
【図12】IP層の診断処理（後半）について説明するためのフローチャートである。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 11是用于对 IP层的诊断处理 (前半 )进行说明的流程图。
図11は、IP層の診断処理（前半）について説明するためのフローチャートである。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 12是用于对 IP层的诊断处理 (后半 )进行说明的流程图。
図12は、IP層の診断処理（後半）について説明するためのフローチャートである。 - 中国語 特許翻訳例文集
在绝缘膜 15上方、各个栅极 2上形成岛状的半导体有源层 8。
絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
在各半导体层21上形成各自的上部电极22。
各半導体層21上には、それぞれ個別に上部電極22が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
在绝缘膜 15上方的各栅极 2上形成岛形的半导体有源层 8。
絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
这些技术常常被实现在固态 (solid state)半导体器件中。
これらの技術は多くの場合固体半導体デバイスで実現される。 - 中国語 特許翻訳例文集
半透明屏幕 92为如在第 WO2005096095和 /或第 WO2007052005专利中所述的箔屏幕。
半透明スクリーン92は、WO2005096095および／またはWO2007052005で説明されるような、銀膜スクリーンである。 - 中国語 特許翻訳例文集
常规上，下面的技术是众所周知的半导体芯片的引线接合方法。
従来、半導体チップのワイヤボンディング方法として次のような技術が知られている。 - 中国語 特許翻訳例文集
此外，描述了一种半导体集成电路装置，其中内置半导体芯片通过引线接合连接到导线。 在该装置中，半导体芯片安装在具有用于改变半导体芯片的连接焊盘的连接路径的信号线的布线板处。
また、内蔵された半導体チップとリードをワイヤボンディングにより接続する構造の半導体集積回路装置において、半導体チップの接続用パッドの接続経路を変更するための信号線を有する配線板上に半導体チップを搭載することが記載されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
光接收元件 33和放大器 34的半导体芯片与图 3所示的相同。
図10に示す受光素子33と増幅器34の半導体チップは、図3と同じである。 - 中国語 特許翻訳例文集
外齿轮部分 43a的齿数为内齿轮部分 41a的齿数的一半。
外歯車部43aの歯数は、内歯車部41aの歯数の半分に設定されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 1示出根据本发明的一个实施例的半导体器件的示例。
【図1】本実施の形態に係る半導体装置の一例を説明する図。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 2示出根据本发明的一个实施例的半导体器件的示例。
【図2】本実施の形態に係る半導体装置の一例を説明する図。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 3示出根据本发明的一个实施例的半导体器件的示例。
【図3】本実施の形態に係る半導体装置の一例を説明する図。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 10示出根据本发明的一个实施例的半导体器件的比较器的示例。
【図10】本実施の形態に係る半導体装置の一例を説明する図。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 15示出根据本发明的一个实施例的半导体器件的示例。
【図15】本実施の形態に係る半導体装置の一例を説明する図。 - 中国語 特許翻訳例文集
泄漏电流的量是半导体检测器中的温度的强函数；
漏れ電流の量は、半導体検出器では温度の強い関数である。 - 中国語 特許翻訳例文集
备选地，图像传感器可以是互补金属氧化物半导体 (CMOS)传感器。
代替として、画像センサは、相補型金属酸化物半導体（CMOS）センサでもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
序列 a’可以具有与 a相同的长度或是为a长度的一半。
シーケンスa'は、aと同じであっても、または、aの半分の長さであってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
定义互补格雷序列 a64和 b64为相应的序列 a128和 b128的前半个。
そして、シーケンスa128およびb128の前半部であるゴーレイシーケンスa64およびb64を定義している。 - 中国語 特許翻訳例文集
应当注意到序列 a64和 b64是由式 (12)和 (13)给出的对应的序列 a128和 b128的前半个。
シーケンスa64およびb64は、（12）および（13）が表すa128およびb128のそれぞれの前半部である。 - 中国語 特許翻訳例文集
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